В. И. Ляшенко, О. В. Снитко и Т. Н. Сытеико. Комплексное исследование поверхностных свойств германия. I........... 3
В. И. Ляшенко, О. В. Снитко и Т. Н. Сытенко. Комплексное исследование поверхностных свойств германия. II.......... 11
A. А. Остроухое и К. Б. Толпыго. Теория добавочной проводимости и термоэлектронной эмиссии полупроводника, вызванных обстрелом быстрыми электронами ... 17
3. С. Грибников. Граничные условия на поверхности в задаче о биполярной диффузии носителей заряда в полупроводнике .... 30
\. А. Липник. Связывание и распад экситонов Мотта...... 36
\. Ф. Городецкий, Г. Н. Гук и Б. И. Пучкин. О тензочувстви-тельности тонких слоев висмута, теллура и германия...... 47
B. А. Нетрусевич. О влиянии обработки поверхности на спектральное распределение фотопроводимости п- и р-германия..... 56
Г. И. Шмелев. Материалы для термоэлементов на основе трехком-
понентных интерметаллических
ло соединении........... Do
И. Д. Кирвалидзе. Влияние давления на знак фототока в контакте металлического острия с полупроводником .......... 76
Д. Н. Наследов и Б. В. Царенков. Электронно-дырочные переходы в арсениде галлия ....... 78
Г. В. Кокош и С. С. Синани. Влияние примесей на термоэлектрические свойства твердого раствора SbjTeg—Bi2Te3...... 89
В. Е. Косенко, Е. Г. Миселюк и Л. А. Хоменко. Влияние электрического поля на диффузию серебра в германии.......100
В. Е. Харциев. О теории термо-
стимулированного тока.....104
В. И. Ляшенко и Н. С. Черная. Энергетическое распределение электронных состояний на поверхности германия при разных температурах ...........110
Contents
Page
V. I. Ljashenko, 0. V. Snitko a.
Т. N. Sytenko. Complex Investigation of Surface Properties of Germanium. I.......... 3-
V. I. Ljashenko, 0. V. Snitko a. T. N. Sytenko. Complex Investigation of Surface Properties of Germanium. II......... 11
A. A. Ostrouchov а. К. В. Tolpygo. The Theory of Additional Conductivity and Thermoelectronic Emission of Semiconductor due to Bombardment by Fast Electrons ... 17
Z. S. Gribnikov. Boundary Conditions on the Surface in the Problem of Bipolar Diffusion of Carriers in a Semiconductor..... 30
A. A. Lipnik. Coupling and Dissoci-'
ation of Mott's Exitons..... 36
A. F. Gorodetsky, G. N. Guk a. B. I. Puchkin. On the Tensosensi-tivity of Thin Layers of Vismuth, Tellurium and Germanium .... 47
V. A. Petrusevich. On the Influence of Surface Processing on the Spectral Distribution of Photoconductivity in n- and p-Germanium . . 56-
G. I. Shmelev. Materials for Thermoelements on the Basis of Three-Component Intermetallic Compounds.............. 63
I. D. Kirvalidze. Influence of Pressure on the Sign of the Photocur-rent in the Contact of a Metal Spike with a Semiconductor . . 76
D. N. Nasledov a. B. V. Tsarenkov.
n—p-Junctions in Gallium Arsenide. 78
G. V. Kokosh a. S. S. Sinani.
Influence of Impurities on Thermoelectric Properties of the Sb2Te3—Bi2Tes Solid Solution . 89*
V. E. Kosenko. E. G. Miselyuk a. L. A. Khomenko. Influence of Electric Field on the Diffusion of Silver in Germanium......100
V. E. KhaHsiev. On the Theory of
Thermostimulated Current .... 104
V. I. Ljashenko a. N. S. Chernaja. The Energy Distribution of Electronic States on Germanium Surface at Various Temperatures . . 110
^тр.
В. Е. Лашкарев, Е. Г. Миселюк и К. Д. Глинчук. Влияние отжига на состояние некоторых примесей в германии...........114
Н. И. Волокобинская, В.. В. Гала-ванов и Д. Н. Наследов. Электрические и гальваномагнитные свойства антимонида индия р-типа 122
A. Н. Кронгауз, В. К. Ляпидевский и Ю. С.Деев. Влияние совместного действия света различного спектрального состава на положительную и отрицательную фотопроводимость куприта .... 130
B. Г. Ерофеичев и Л. Н. Курбатов. Электропроводность и диэлектрическая проницаемость слоев сульфида свинца при частоте .101° гц . . . .'......133
В. И. Устьянов и Р. М. Ха;'кина. Электронографическде исследование тонких слоев антимонида алюминия............144
В. М. Вул и А. П. Шотов. Об ударной ионизации в кремниевых р—п-переходах ........ 150
И. Д. Кирвалидзе и С. Г. Чернявская. О влиянии термообработки и ионной бомбардировки на диодные свойства кремния в точечном контакте..........155
Ю. С. Рябинкин. Электрическое поле в базе плоскостных транзисторов при малых уровнях инъекции.............159
К. Б. Толпыго, Ю. А. Цвирко и
A. А. Шаталов. Кинетика фотохимической реакции превращения /'-центров в /2-центры в ще-лочно-галоидных кристаллах . . . 170
Т. Н. Вербицкая, Е. И. Гиндин и
B. Г. Прохватилов. Структурные и электрические свойства сег-
нетоэлектриков систем ВаТЮ3—BaZrOg, BaTiO3—BaSnO3, ВаТЮ3—ZrO2 и BaTiO3—SnO2 180
М. С. Лурье и И. В. Игнатьева. О влиянии слоя поверхностного заряда на поляризацию поликристаллического титаната бария . . 190
Г. И. Сканави и Л. К. Водопьянов. К вопросу о диэлектрических свойствах изоморфных кристаллов TeJ—TIBr (KPC-5) ... 196
Ю. Н. Веневцгв, Т. Н. Вербицкая, F. С. Жданов и С. П. Соловьев. Электрические и рентгенографические исследования системы BaTiO3—BaSnOg .... 199
Б. И. Маркие. Исследование электропроводности трехкомпонентной системы серебряно-таллиевых борных стекол.........206
К. Б. Толпыго. Применение теории колебаний решеток с деформируемыми ионами к рассмотрению . физических свойств бинарных кубических кристаллов......211
Page
V. Е. Lashkarev, E. G. Miselyuk a. К. D. Glinchuk. Influence of Annealing on the State of Some Impurities in Germanium......114
N. I. Volokobinskaja, V. V. Gala-vanov a. D. N. Nasledov. Electric and Galvanomagnetic Properties of p-type Indium Antimonide. 122
A. N. Krongaus, V. K. Ljapidevsky a. Yn. S. Deev. Influence of Simultaneous Action of Light of Different Spectral Composition on Positive and Negative Photoccmp"' ductivity in Cuprite......130
V. G. Erofeichev a. L. N. Kurbatov. Electroconductivity and Permeability of the Lead Sulphide Layers at 10Ю Hz...........133
V. I. Ustjanov a. R. M. Khaikina.
Electronographic Investigation of :• the Thin Layers of Aluminium Antimonide.......... 144
B. M. Vul a. A. P. Shotov. On the ; Strike lonization in p—«-Transition of Silicon.......... 150
I. D. Kirvalidze a. S. G. Chernjav-skaja. On the Influence of Ther-moprocessing on Diode -Properties of Silicon in a Point Contact • 155
Yu. S. Rjabinkin. The Electric Field in the Base of Plate Transistors at Low Injection Levels . . . . . . 159
K. B. Tolpygo, Yu. A. Tsvirko a. A. A. Shatalov. Kinetics of Photochemical Conversion of /''-Centres in /2-Centres in Alkali-Haloid Crystals . . . ......... 170
T. N. Verbitskaja, E. I. Gindin a.
V. G. Prokhvatilov. Structural and Electric Properties of the Seig-
nette-Electric Systems: BaTiO3—BaZrO3, BaTiOg—BaSnOg, BaTiO3—ZrO2 a. BaTiO3—SnO2 180
M. S. Lurje a. I. V. Ignatjeva. On
the Influence of a Surface Charge Layer on the polarization of Poly-crystalline Barium Titanate . . . 190
G. I. Skanavi a. L. K. Vodopjanov. Dielectric Properties of Isomor-phous TeJ—TIBr (KRS-5) Crystals ..............196
Yu. N. Venevtsev, T. N. Verbitskaja, G. S. Zhdanov a. S. P. Solo vjev. Electric and. x-Ray Diffraction Studies of the BaTiOg—BaSnO3 System .... 199
B. I. Markin, Investigation of Electroconductivity of Silver-Tallium Boron Glasses. Three-Component System.............206
К. В. Tolpygo. Application of the Theory of Vibrations of a Lattices with Deformed Ions for the Consideration of Physical Properties of Binary Cubic Crystals .... 211
Стр.
Л. М. Шестопалов. О некотором соответствии свойств атома и кристалла .............228
B. Л. Инденбом. О теории закалки стекла и ее сопоставлении с экспериментом ..........236
О. В. Клявин и А. В. Степанов. Изучение механических свойств твердых тел, особенно металлов при температурах 4.2° К и ниже. IV...............241 I
Л. Григореску и И. Теодореску. Исследование при помощи дифракции электронов сплава Си—Sn, полученного путем одновременной конденсации компонент на стек-i лянную подложку........251
М. В. Волысенштейн и О. Б. Пти-пын. Внутреннее вращение в полимерных цепях и их физические свойства. XV..........259
М. И. Бессонов и Е. В. Кувшин-
ский. Ползучесть твердых i аморфных полимеров при повышенных напряжениях......265
Т. Л. Мацкевич. Вторичная электронная эмиссия некоторых полимеров .............277
Е. А. Коленко, А. Г. Таубер,
, В. Г. Юрьев и А. Г. Щербина. Термоэлектрическая высоковакуумная ловушка для насоса Н-5 . 282
М. С. Козырева и В. Т. Ренне. К вопросу о применении инфракрасной спектроскопии для исследования конденсаторной бумаги ..............285
C. Л. Нудельман. Единый графический метод индицирования рентгенограмм поликристаллических веществ. I............289
Page
L. М. Shestopalov. On some Correspondence of Properties of Atom and Crystal ..........228
V. L. Indenbom. On the Theory of Glass Quenching and its Comparison with Experiment.....- 236
0. V. Kljavin a. A. V. Stepanov. A Study of the Mechanic Properties of Solids, Especially Metals, at Temperatures 4.2° К and below. IV.............241
L. Grigoresku a. I. Teodoresku. Investigation by Means of Electron Diffraction of Cu—Sn Alloy Obtained by Means of Simultaneous Condensation of Components on a Glass Lining.........251
M. V. Volkenshtein а. О. В. Pti-tsyn. Internal Rotation in Polymer Chains and their Physical Properties. XV.........259
M. I. Bessonov a. E. V. Kuvshinsky. Creeping of Solid Amorphous Polymers at Elevated Stresses . . . 265
T. L. Matskevich. Secondary Electronic Emission of Some Polymers ..............277
E. A. Kolenko, A. G. Tauber, V. G. Yurjev a. A. G. Shcher-bina. Thermoelectric High-Vacuum Trap for the Pump K-5 . . 282
M. S. Kozyreva a. V. T. Renne. On the Application of Infrared Spec-troscopy for Investigation of Capacitor Paper..........285
S. L. Nudelman. Unified Graphic Method of Indication of x-Ray Patterns of Polycrystalline Substances. I............289
Цена: 500руб.
