Основные условные обозначения................. 8
Введение ........................... 9
Глава первая
Электропроводность двухкомпонентных систем........... 13
1. Двухкомпонентные проводники половинного состава 13
2. Соотношения взаимности теории двумерных композитов 21
Глава вторая
Распределение тока в неоднородных средах с периодическими
структурами.......................... 23
1. Двоякопериодическая двухкомпонентная система ... 23
2. Однопериодическая система............. 36
Глава третья
Эффективные параметры и средние поля неоднородно проводящих
сред с периодическими структурами ............... 49
1. Электрические характеристики двоякопериодической системы ....................... 49
2. Гальвяномагнитные свойства двоякопериодических сред 53
3. Преобразования взаимности дуальных систем .... 60
4. Слоисто-однородные проводники в магнитном поле . . . 64
Глава четвертая
Тонкие пленки с переменным составом....... ...... 72
1. Неоднородные пленки в магнитном поле....... 72
2. Эффективная электропроводность .......... 70
3. Гальваномагнитные характеристики ........ ВО
4. Основные свойства эффективных параметров..... Я4
5. Расчет электрических полей............. 87
Глава пятая
Неоднородные проводники с анизотропной структурой ....... 98
1. Решение полевых задач..... ....... gg
2. Тензор эффективной электропроводности .!..!! !06
3. Учет эффекта Холла ................ \\\
4. Слабая анизотропия ................ пд
ОГЛАВЛЕНИЕ
Глава шестая
Электропроводность материалов с ленточными включениями ... 12
1. Расчетная модель , . ......... 12
2. Тензор эффективного сопротивления ....... 13
3. Локальные и средние электрические поля...... 13
4. Продольные и поперечные магнитные поля ..... 14
5. Малая концентрация включений .......... 14
Глава седьмая
Зависимость эффективной электропроводности от формы включений 14!
1. Оценка влияния формы включений ......... 14
2. Круглые включения................ 15
3. Эллиптические включения ............. 16:
Основные формулы эффективных параметров двухкомпонентных
систем............................. 17
Список литературы ...................... 1&
ПРЕДИСЛОВИЕ
Гетерогенные или неоднофазные среды повсеместно распространены в природе. Они значительно шире, чем гомогенные или однородные среды, представлены в различных физических явлениях. Во многих областях техники созданию композиционных материалов уделяется большое внимание и сфера их приложений постоянно расширяется.
Неоднородности образуются в материалах в результате действия разнообразных физико-химических процессов, протекающих в естественных условиях или формируемых в специально разработанных технологических режимах. Сравнительно простой способ получения гетерогенных систем состоит в механическом объединении нескольких компонентов, различающихся по своим свойствам. Путем всевозможных сочетаний составных элементов и видоизменением структурного построения неоднородных систем можно создавать композиты с большим разнообразием физико-механических характеристик, часто несвойственных каждому в отдельности взятому компоненту.
В качестве примера можно указать используемый в технике полупроводников эвтектический сплав антимонид индия — антимонид никеля (InSb — NiSb), позволяющий усилить магнитнорезистивный эффект в гальваномагнитных датчиках в несколько раз по сравнению с соответствующими однородными полупроводниками. Такой композит представляет собой матрицу из InSb с небольшой добавкой NiSb (до 2 % по объему). Для достижения требуемого эффекта существенно не только количественное соотношение составных компонентов, но и структура сплава. В композиционном материале InSb — NiSb включения располагаются в виде параллельных игл или узких лент, которые ориентируются в магниторезисторах перпендикулярно к направлению внешнего магнитного поля. Электропроводность антимонида никеля на два порядка больше собственной проводимости слаболегированного антимонида индия n-типа. Качественно изменение маг-нитосопротивления в сплаве InSb — NiSb можно объяснить тем, что хорошо проводящие включения закорачивают холловское поле, искривляя линии тока в матрице. Увеличение пути протекания тока приводит к воз растанию общего сопротивления материала.
Другим примером эффективного применения композиционного принципа создания материалов могут служить системы, содержащие сверхпроводники. Применение комбинации сверхпроводников с нормальными про-
Цена: 100руб.
