Предисловие.........................6
Введение......................... . 8
Глава I. Физико-химические основы, приемы и процессы литографии ... 15
I. 1. Формирование слоя резиста................. 15
1.2. Предэкспозиционная термообработка............ • 21
1.3. Экспонирование...................... 23
1.3.1. Некоторые физические пределы оптического экспонирования . . 25
1.3.2. Электронное излучение и электронная литография...... 33
1.3.3. Рентгеновская литография . . . • ........... 39
1.3.4. Ионная литография.................. 43
1.3.5. Смешанная литография................ 44
1.4. Светочувствительность, контрастность, разрешающая способность фоторезистов .........................44
1.5. Проявление....................... 48
1.5.1. Моделирование экспонирования и проявления........ 53
1.6. Постэкспозиционная термообработка............ . 57
1.7. Травление подложки и снятие резиста............ . 57
1.8. Адгезия резистов к подложке................ 63
Глава II. Позитивные фоторезисты................65
II. 1. Системы, содержащие растворимый в основаниях полимер и создающие рельеф в результате превращений светочувствительной гидрофобной добавки..........................66
II. 1.1. Хинондиазидные композиции.............. 66
II. 1.1.1. Строение, термо- и фотопревращения нафтохинондиазидов 67
П. 1.1.2. Основные компоненты резистов.......... . 75
II. 1.1.3. Модификация полимерного компонента резистов .... 80
П. 1.1.4. Улучшение свойств резистного слоя......... 84
II. 1.2. Композиции с веществом, генерирующим под действием света
кислоту, и с циклическим ацеталем.............. 95
II. 1.3. Композиции с фотоокислителем и дигидропиридином..... 96
II. 2. Системы, создающие рельеф в результате превращений полимера . . 98
II. 2.1. Композиции с веществом, генерирующим под действием света кислоту, и с неустойчивым полимером.............98
II. 2.2. Композиции с полимером, содержащим о-нитробензильные группы 99
II. 2.2.1. Превращения за счет боковых цепей полимеров .... 99 П. 2.2.2. Превращения за счет основных цепей полимеров .... 101
: II. 2.2.3. Другие превращения...............103
Глава III. Негативные фоторезисты^на основе ониевых солей.....105
III. 1. Диазосоединения.................... 105
III. 1.1. Низкомолекулярные соли диазония.......... . 105
III. 1.2. Диазосмолы....................108
III. 1.2.1. Двухслойные композиции, дающие негативное изображение........................П2
III. 1.2.2. Однослойные композиции, дающие негативное изображение........................П5
III. 1.2.3. Композиции, дающие позитивное изображение . . . .119
III. 2. Ониевые соли как источники кислот Льюиса или Бренстеда .... 123
III. 2.1. Соли диазония................... 123
III. 2.2. Соли мероцианиновых красителей............ 124
III. 2.3. Ониевые соли элементов V, VI, VII групп с комплексными
анионами........................ 125
III. 2.3.1. Пути фоторазложения..............125
III. 2.3.2. Композиции светочувствительных слоев........ 131
Глава IV. Негативные азидсодержащие фоторезисты.........133
IV. 1. Фотохимические свойства арилазидов . ...........135
IV. 2. Олеофильные арилазиды в фоторезистах........141
IV. 3. Водорастворимые арилазиды в фоторезистах.......... 151
IV. 4. Фоторезисты на основе азидополимеров....... .... 155
Глава V. Негативные фоторезисты на основе поливинилциннаматов и других циклодимеризующихся систем.............161
V. 1. Составы на основе поливинилциннаматов ...........161
V. 2. Другие циклодимеризующиеся полимерные системы.......172
Глава VI. Фоторезисты различного назначения...........177
VI. 1. Фоторезисты для коротковолнового УФ-света.........177
VI. 1.1. Позитивные фоторезисты...............178
VI. 1.2. Негативные фоторезисты............... 186
VI. 2. Сухие фоторезисты.................... 187
VI. 3. Термостойкие фоторезисты................. 190
VI. 4. Фоторезисты-диффузанты.................. 195
VI. 5. Системы с переносом рельефного изображения......... 200
VI. 6. Светочувствительные слои для печатных форм офсета без увлажнения 205
Глава VII. Резисты, чувствительные к электронному и рентгеновскому
излучению....................212
VII. 1. Особенности распространения электронного излучения в полимерных
слоях...........................214
VII. 2. Структурирование и деструкция полимеров под действием ионизирующего излучения......................222
VI 1.2.1. Чувствительность полимеров к ионизирующему излучению . . 224
VII. 2.2. Механизмы превращения полимеров........... 228
VII. 2.2.1. Диеновые полимеры............... 228
VII. 2,2.2. Полимеры акриловой и метакриловой кислот и их производных ....................... 230
VII. 2.2.3. Полиолефины, полиолефинсульфоны ......... 233
VII. 2.2.4. Полимеры на основе стирола и винилацетата..... 235
VII. 3. Технологические разработки резистов............237
VII. 3.1. Особенности оценки литографических параметров...... 237
VII. 3.2. Электронорезисты..................242
VII. 3.2.1. Негативные резисты . ..............243
VII. 3.2.2. Позитивные резисты...............255
VII. 3.3. Рентгенорезисты...................264
VII. 3.4. Неорганические резисты...............266
Глава VIII. Многослойные резистные системы...........268
Приложение. Промышленные фоторезисты..........279
Литература.........................283
Цена: 150руб.
