Рассчитана на научных, инженерно-технических ра-ботников э •области исследования и применения полупроводников, а также преподавателей, аспирантов я студентов, специализирующихся в -области адсорбцми, катализа и физической хиадш пол у провод киков.
В числе различных материалов, используемых в иятенсявяв развиваемой полупроводниковой технике, в настоящее время ЛВДЯ-руюшее место занимают адмазоподобные полупроводники, к классу которых относятся рассматриваемые в монографии объекты (GaAs -- -ZnSe -- *-CuBr; ZnSe -- ^ZnTe— ~*-CdSe; ZnSe -- -CdSe — *CuI ).
Определенный интерес они представляют и для катализа, выступая прежде всего в .роли благодатных модельных полупроводниковых катализаторов. При этом следует также заметить, что каталитические реакции могут .рассматриваться как разновидность физико-химических процессов, неизбежно протекающих на поверхности полупроводников к определяющих, наряду с адсорбционными процессами, ее состояние.
Поскольку в практической деятельности чаще всего приходится иметь дело с реальной поверхностью, изучение поверхностных фн-процессов необходимо начинать с выяснения ее
химического состава.
К началу данной работы сведения о составе -реальной поверхности бинарных алмазоггадобных полупроводников оказались весьма ограниченными и носили, как правило, косвенный характер. Совсем отсутствовали работы, в которых бы определялся вклад примесей и фаз в поверхностные свойства полупроводников. Каталитическому действию бинарных алмазоподоблшх полупроводников было посвящено ограниченное число работ (это работы С. 3. Рогннского и О. В. Крылова с сотрудниками, Г. М. Шваба, К, Тамару, А. М, Рубинштейна, Я. С. Мазуркевича, Т. Э.ртла с сотрудниками), результаты которых, в общей сложности, базировались на нескольких реакциях и носили преимуществен.}) о корреляционный характер. При этом их детальный механизм с учетом химического состава реальной поверхности не рассматривался.
Предлагаемая читателю монография существенно восполняет имевшийся пробел. В ней впервые изложены (результаты исследований химического состава реальной поверхности бинарных алмазо-гюдобных полупроводников, с учетом которых обобщены механизм н закономерности каталитических процессов, типичных окислительно-восстановительных и разложения.
Автор приносит глубокую благодарность академику, д-ру хим. наук Д. В. Сокольскому, д-ру физ.-мат. наук проф. В. Ф, Киселеву за ценные замечания, сделанные пум просмотре рукописи, а также рецензентам, д-рам хим. наук проф. Г. Л. Рыжовой, В. В. Серебренникову н всем, оказавшим помощь в подготовке материала
к печати,
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ..,,,,..,.»., ib e . 3 Глава 1, Некоторые сведения о реальной поверхности бинарных алмазоподобных полупроводников ..,.,,„„ 4
1.1. Вводные замечания . .......0 „ 4
1.2. Термическая устойчивость, стехиометрия состава и дефектность структуры бинарных алмазоподобных полупроводников' .,,...„,.. „ 5
1.3. Окисление бинарных алмазоподобных полупроводников .............„ .. 12
Глава 2. Влияние примесного состава, оксидной фазы и гид-ратного покрова на адсорбционные свойства и зарядовое состояние реальной поверхности бинарных алмазоподобных полупроводников ... . ........, * 26
2.1. Методические замечания ........ * * 26
2.2. Термодесорбционные исследования состава поверхности арсенида галлия-........., . 36
2.3. Оптические и электронно-спектроскопические исследования............., т 41
2.4. Адсорбционные характеристики арсенида галлия и
его основного оксида........., , 47
2.5. Зарядовое состояние поверхности арсенида галлия в условиях термодесорбции и адсорбции воды, кислорода, аммнака ..........., „ 49
2.6. Примесный состав реальной поверхности полупроводников AI!Bvr и влияние оксидной фазы на
их адсорбционно-каталитическис свойства ...... 51
Глава 3. Адсорбция смесей газов на бинарных алмазоподобных полупроводниках............„ . 54
3.1. Вводные и методические замечания.......54
3.2. Общие характерные особенности и закономерности адсорбции смесей газов........, в 66
3.3. Исследование механизма адсорбции газовых смесей . ............. „ , 68
Глава 4. Каталитические свойства бинарных алмазоподобных полупроводников............, , 78
4.1. Методические замечания . ...... 78
4.2. Типичные окислительно--восстановительные каталитические процессы............82
4.3. .Каталитические процессы дегидрирования и дегидратации ................87
Заключение................, * 109
Библиографический список........... е , ИЗ
Цена: 75руб.
