Математика	Физика	Химия	Биология	Техника и технологии
	Основы теории полупроводниковых приборов- Г.Е.Пикус Москва1965 450стр. АННОТАЦИЯ В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы разнообразных полупроводниковых приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, по отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом виде. Книга предназначена для инженеров и научных работников, специализирующихся в области конструирования, исследования и применения полупроводниковых приборов. Она может также служить учебным пособием при изучении курса «Полупроводниковые приборы*? в технических вузах.
ПРЕДИСЛОВИЕ Одной из наиболее важных областей технического применения полупроводников является их использование для выпрямления и усиления электрических сигналов. Еще в 70-х годах прошлого столетия было установлено, что контакт между металлом и некоторыми полупроводниками обладает выпрямляющими свойствами. Основанные на этом принципе кристаллические детекторы широко использовались в первые годы развития радиотехники, пока не были вытеснены электронными лампами. В 30-х годах были разработаны меднозакисные и селеновые выпрямители, которые нашли широкое применение в электротехнике. В эти же годы были подробно изучены явления, происходящие на контакте полупроводника с металлом, и разработана теория этих явлений, позволившая объяснить основные наблюдаемые на опыте закономерности. Позже было установлено, что наилучшие условия для выпрямления могут быть осуществлены на контакте двух полупроводников — электронного и дырочного. Теория выпрямления на контакте двух полупроводников начала особенно быстро развиваться после открытия германиевых и кремниевых диодов и в свою очередь способствовала значительному прогрессу в усовершенствовании этих приборов. Было установлено, что и в селеновых и в меднозакисных выпрямителях между металлом и основным слоем полупроводника, обладающего дырочной проводимостью, ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие .................. Глава 1. Полупроводники и металлы.......... § 1. Изоляторы и проводники............ § 2. Полупроводники................ \| 3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах................ § 4. Концентрация электронов и дырок в собственном и примесном полупроводниках.........• Глава 2. Контакт полупроводника с металлом...... § 5. Термоэлектронная эмиссия и контактная разность Потенциалов.................. § б. Контакт полупроводника с металлом....... Г л а и а 3. Диффузионный и омический токи....... § 7. Подвижность носителей тока.......... § 8. Диффузионный ток............... Глава 4. Выпрямление на контакте полупроводника с металлом ............,........ § 9, Изменение приконтактного слоя во внешнем поле § 10. Диффузионная теория выпрямления....... § 11. Диодная теория выпрямления.......... Глава 5, Поверхностный явления........... § 12, Распределение носителей в приповерхностном слое § 13-, Эффект поля.................. § 14. Роль поверхностных уровней при контакте полупроводника с металлом, р —• л-переход..... I лава 6. Избыточные носители тока в полупроводнике § 15. Генерация н рекомбинация носителей тока . . § 16. Рекомбинация на примесных центрах....... § 17. Уравнение неразрывности........... § 18. Поверхностная рекомбинация......... S 19. Распределение носителей в однородном образце при генерации их светом. Квазиуровпи Ферми . . , 139 Глава 7. Выпрямление на р — п-переходе....... 151 § 20. Распределение носителей и р — п-переходс .... 151 \| 21. Вольт-амперные характеристики тонкого р — «-перехода ..................... 151) § 22. Диод с короткой базой. Влияние металлических контактов.................. 173 § 23. Вольтамперная характеристика при рекомбинации в р — п-лереходе............. 182 § 24. Импульсные и частотные характеристики..... 193 § 25. Сравнение с экспериментом; пробой в р — п-пере- ходе..................... 206 Глав а8. Транзистор................. 222 § 26. Теория р — п — ^-транзистора......... 222 . § 27. Параметры транзистора на низкой частоте..... 236 § 28. Транзистор при больших уровнях инъекции . . . 249 § 29. Зависимость параметров транзистора от частоты. Высокочастотные транзисторы.......... 254 Глава 9. Диоды для усиления и генерации сверхвысоких частот....................... 268 § 30. Л авинно-про летный диод............ 268 § 31. Параметрический дпод.............. 285 § 32. Туннельный диод................ 294 § 33. Больтамперные характеристики туннельных диодов при низких температурах и зонная структура различных полупроводников ......... 319 Глава 10. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы и лазеры.................... 352 § 34. Фотоэлементы с р — тг-псреходом........ 352 § 35. Коэффициент полезного действия фотоэлемента 365 § 36. Фототранзистор............... 376 § 37. Полупроводниковый лазер........... 390 Приложение ................. 434 Литература .................. 443 Цена: 150руб.*
Назад	Заказ	На главную страницу