Предисловие редактора перевода............ 5
Предисловие ,............... б
Тлава 1. Технология интегральных схем........, . . 9
1.1. Кремний............. . . 13
1.2. Производство интегральных схем........ 15
1.3. Толстоплепочные схемы........... 20
1.4. Тонкопленочные схемы........... 22
(Глава 2. Энергетические зоны и свойства кристаллов..... 24
2.1. Электронная структура атома......... 24
2.2. Структура энергетических зон в кристаллах...... 26
2.3. Кристаллическая решетка кремния........ 37
2.4. Дефекты кристаллов............ 42
2.5. Влияние дефектов на электронные свойства..... 47
2.6. Выращивание кристаллов........... 48
2.7. Процесс зонной плавки............. 51
Задачи.........,.......„ 53
Литература.........„...... 55
Тлава 3. Фазовые диаграммы и твердые растворы ....... 56
3.1. Типы фазовых диаграмм.....,.'.,.. 56
3.2. Системы, имеющие важное значение в микроэлектронике . . 61
3.3. Твердая растворимость............ 66
Задачи..........,........ 67
Литература ,,....... ......, 67
С лава 4. Диффузия и ионное внедрение (имплантация) .... 68
4.1. Виды диффузии........... 69
4.2. Первый и второй законы Фика........... 70
4.3. Коэффициент диффузии........... 72
4.4 Твердая растворимость............ 74
4.5. Решения уравнения второго закона Фика...... 74
4.6. Расчет диффузионного слоя.......... х
4.7. Ионное внедрение............ 85
Задачи.................. 94
Литература................. ^
Слава 5. Выращивание эпитаксиальных слоев и их свойства ... 97
по
5.1. Выращивание эпитаксиального слоя...... . **°
5.2. Профили распределения примеси в эпитаксиальных слоях 102
5.3. Дефекты в эпитаксиальных слоях ........ Ю'
Задачи................... НО
Литература................ 11'
Глава 6. Диод с р- п-переходом............ 112'
6.1. Кремний п- и р-типа........... 113-
6.2. Подвижность носителей . ........ 117
6.3. Время жизни носителей заряда........ 12О
6.4. Ток дрейфа ............ 125
6.5. Ток диффузии........... . 127
66. р- n-переход в состоянии равновесия....... 127
67. р- гс-переход под напряжением, приложенным извне . . 130-
6.8. Ширина обедненного слоя и емкость перехода при обратном смещении.............., 144
6.9. Напряжение пробоя р- п-переходов , ..... 150"
6.10. Другие ограничения идеальной модели...... 155
Задачи........ ......... .158-
Литература................. 160»
Глава 7. Биполярные транзисторы . . ....... 162т
7.1. Общее описание работы транзистора ....... 164
Г — - " - I -7 П.
7.2. Работа при больших сигналах: модель Эберса — Молла . . 170
180 189 196
7.3. Ограничения и модификации модели.......180
7.4. Работа транзистора при малом сигнале — гибридная л-модель 189
7.5. рлр-транэисторы
Задачи..............- . . . 200"
Литература....... ....... 202
Глава 8. Системы металл— окисел — полупроводники ...... 203
8.1. Свойства двуокиси кремния ... ...... 203-
8.2. Выращивание и осаждение слоев кварцевого стекла . . . 205
8.3. Качество кварцевого стекла...... . . 207
,8.4. Нитрид кремния ............. 208'
8.5. Поверхности полупроводника . . ,...... 209
8.6. Реальные системы металл — изолятор — полупроводник . . 214 . 8.7. Характеристика емкость — напряжение......-. 219
Задачи.................. 222'
Литература............... 223
Глава 9. Полевые транзисторы........... 224
9.1. ПТ со структурой металл—окисел—полупроводник (МОППТ) 225
9.2. Полевые транзисторы с р-л-переходом....... 246'
Задачи........ ,........ 254
Литература.................. 258
Глава 10. Литография............... 259'
10.1. Топология шаблонов для биполярных ИМС..... 263
10.2. Электронно-лучевая литография . . . ........ 272
10.3. Резисты................ 276-
10.4. Согласователи шаблонов , ,......- 277
10.5. Фотообработка.............. 280
Задачи.................. 288-
Литература .,............... 29О
Глава 11. Изготовление интегральных схем...... , . 292
11.1. Производство биполярных схем ........ 293
11.2. Производство биполярных приборов для логических схем 308 И.З. Технология МОП-процесса.......... 315
Задачи ........... .«...„ 335
Литература............... 336
1"лава 12. Изготовление гибридных схем ...,,..,. 337
12.1. Гибридные толстопленочные схемы........ 337
12.2. Проектирование и этапы изготовления толстопленочных схем 338
12.3. Материалы..............340
12.4. Макетирование и проектирование шаблонов ..... 353
12.5. Процесс печати............. 359
12.6. Процессы сушки и отжига............ 364
12.7. Подгонка толстопленочных резисторов...... 367
12.8. Тенология производства тонкопленочных схем .... 372
Задачи................ 388
Литература................ 389
Глава 13. Присоединение, установка в корпус и испытания , . . 390
13.1. Соединения.............. 390
13.2. Установка в корпус (сборка)......... 397
13.3. Испытания .... ...... , . ' . 402
Задачи.................. 412
Литература „.......„...... 413
Глава 14. Семейства цифровых логических элементов..... 414
14.1. Основные логические функции......... 414
14.2. Рабочие параметры логических вентилей...... 420
14.3. Транзисторно-транзисторная логика (ТЭЛ)..... 432
14.4. Логические элементы с эмиттерными связями . . . 440
14.5. Интегральная йнжекционная логика (И2Л) . . . 446
14.6. Логические элементы на я-МОП-структурах ... . 454
14.7. Логические элементы КМОП „ ... ..... 468
148. Сравнение цифровых логических схем....... 484
Задачи ................. 490
Литература............... 495
Предметный указатель.....*....... 496
Цена: 300руб.
