Предисловие.............................. 3
Введение.......•........................ 5
Глава 1. Технология полупроводникового производства
§ 1.1. Технологический маршрут................... 7
§ 1.2. Особенности и перспективы технологии............. 10
Глава 2. Полупроводниковые материалы
§ 2.1. Требования к полупроводниковым материалам......... ]2
§ 2.2. Классификация полупроводниковых материалов......... 13
§ 2.3. Общая характеристика кристаллических тел.......... 15
5 2.4. Германий........................... 17
•§ 2.5. Кремний............................ 21
•§ 2.6. Арсенид галлия......................... 27
•§ 2.7. Фосфид галлия........................ 30
•§ 2.8. Арсенид индия......................... 31
§ 2.9. Антимонид индия............-........... 32
§ 2.10. Антимонид галлия...................... 33
§ 2.11. Структуры на основе материалов интерметаллических соединений 34
Глава 3. Механическая обработка полупроводниковых материалов
§ 3.1. Физические основы механизма разрушения хрупких полупроводниковых материалов при механической обработке........ 34
§ 3.2. Абразивные материалы..................... 36
•§ 3.3. Резка полупроводниковых слитков на пластины......... 38
-§ 3.4. Резка полупроводниковых пластин на элементы (кристаллы) ... 41
•§ 3.5. Разламывание пластин после скрайбирования.......... 45
§ 3.6. Шлифовка полупроводниковых пластин ............. 46
§ 3.7. Полировка полупроводниковых пластин............. 48
§ 38. Контроль качества механической обработки........... 51
Глава 4. Технохимические процессы подготовки подложек ИМС
§ 4.1. Цели технохимических процессов подготовки подложек...... 54
§ 4.2. Виды загрязнений полупроводниковых подложек......... 55
§ 4.3. Отмывка полупроводниковых подложек............. 57
§ 4.4. Химическая обработка полупроводниковых подложек ... . - 59
•§ 4.5. Химико-динамическая обработка полупроводниковых подложек . . 62
$ 4.6. Электрохимическая обработка полупроводниковых подложек ... 62
•§ 4.7. Парогазовая обработка кремниевых подложек.......... 65
-§ 4.8, Ионно-плазменная обработка подложек . . . ' ........ 67
f 4.9. Плазмохимическая обработка подложек............. 69
•§ 4.10. Осаждение гальванических покрытий § 4.11. Получение особо чистой воды
Глава 5. Получение структур методом сплавления
7V
: § 5.1. Диаграмма состояния .................. ;. . . • "
366
§ 5.2'. Физико-металлургические основы образования сплавного р-/г-пере-
хода.............................. 82
§ 5.3. Контроль качества сплавных структур............. 85>
Глава 6. Получение структур методом эпитаксиального наращивания
§ 6Л. Основные методы зпитаксиального осаждения......... 87
§ 6.2. Технологические особенности эпитаксии Si и Ge......... 90
§ 6.3. Технологические особенности эпитаксии полупроводниковых соединений типа AI!IBV..................... 101
§ 6.4. Дефекты в эпитаксиальных структурах............. 107
§ 6.5. Методы контроля эпитаксиальных слоев............ 109*
Глава 7. Защитные диэлектрические пленки в планарнои технологии
§ 7Л. -Требования, предъявляемые к защитным диэлектрическим пленкам 112
§ 7.2. Кинетика термического окисления кремния........... 11$
§ 7.3. Термическое окисление кремния в парах воды......... 116-
§ 7.4. Термическое окисление кремния в сухом кислороде....... 118-
§ 7.5. Термическое окисление кремния во влажном кислороде..... 119>
§ 7.6. Пиролитическое осаждение оксидных пленок кремния..... 120
§ 7.7. Анодное окисление кремния.................. 123-
§ 7.8. Осаждение пленок оксида кремния термическим испарением ... 124:
§ 7.9. Реактивное катодное распыление оксида кремния....... 125>
§ 7.10. Химическое осаждение пленок нитрида кремния........ 126*
§ 7.11. Реактивное катодное осаждение пленок нитрида кремния ... 130 § 7.12. Контроль качества защитных диэлектрических пленок диоксида
и нитрида кремния . . .................... 131
Глава 8. Фотолитография
§ 8.1. Фотолитография-—основа планарной технологии.......', . 135-
§ 8.2. Фоторезисты.......................... 13&
§ 8.3. Критерии применимости фоторезистов.............. 141
§ 8.4. Фотошаблоны и способы их получения............. 144
§ 8.5. Промышленное изготовление фотошаблонов........... 150*
§ 8.6. Контактная- фотолитография.................. 157
§ 8.7. Проекционная оптическая фотолитография........... 1G&
§ 8.8. Рентгенолитография...................... 169
§ 8.9. Дефекты фотолитографического процесса............ 170
Глава 9. Получение структур методом диффузии
§ 9.1. Распределение примеси при диффузии............. 172
§ 9.2. Технологические приемы получения диффузионных структур . . 177
§ 9.3. Методы расчетов диффузионных структур........... 181
§ 9.4. Определение режимов диффузии................ 18В
§ 9.5. Диффузионные процессы при изготовлении ИМС........ 193
§ 9.6, Дефекты и методы контроля диффузионных структур...... 197
Глава 10. Получение структур методом ионной имплантации
§ 10.1. Физические представления об имплантации.......... 202:
§ 10.2. Технологические особенности процессов ионной имплантации . . 207
§ 10.3. Отжиг и диффузия...................... 211
§ 10.4. Методы расчетов ионно-имплаитированных структур...... 2141
§ 10.5. Определение режимов имплантации.............. 2191
§ 10.6. Использование процессов ионной имплантации в полупроводниковой технологии....................... 223-
§ 10.7. Методы контроля ионно-имплантированных структур ...... 223-
Глава П. Получение структур методами термического испарения и ионно-ялазменного распыления.
§ 11.1. Технологические особенности термического испарения материалов 231
§ 11.2. Катодное распыление материалов............... 238
§ 11.3. Технологические особенности ионно-плазменного распыления . . 241
§ 11.4. Изготовление межэлементных соединений и контактов..... 251
§ 11.5. Пассивные элементы интегральных микросхем......... 255
§ 11.6. Методы контроля тонких пленок................ 261
Глава 12. Процессы радиационной обработки
§ 12.1. Воздействие проникающей радиации на вещество....... 265
§ 12.2. Радиационная литография................... 269
§ 12.3. Радиационпо-стимулированная диффузия........... 272
§ 12.4. Контролируемое введение радиационных нарушений с помощью
ионной имплантации ...................... 276
§ 12-5. Лазерная технология...................... 281
§ 12.6. Методы контроля радиационных нарушений.......... 285
Глава 13. Защита поверхности р-п-переходов
§ 13.1. Влияние состояния поверхности p-n-перехода на электрические
параметры прибора..................... 287
§ 13,2. Защита веществами на основе кремнийорганическпх соединений и полимеров....................... 290
§ 13.3. Защита оксидными и нитридными пленками кремния...... 291
•§ 13.4. Защита пленками оксидов металлов.............. 293
§ 13.5. Защита пленками стекла................... 295
Глава 14. Сборка полупроводниковых приборов и интегральных микросхем
§ 14.1. Особенности процесса сборки................. 300
§ 14.2. Присоединение кристалла к основанию корпуса......... 301
§ 14.3. Присоединение выводов.................... 306
§ 14.4. Герметизация кристалла................... 311
Глава 15. Конструкции корпусов полупроводниковых приборов и ИМС
§ 15.1. Общие сведения о корпусах.................. 318
§ 15.2. Конструкции корпусов диодов общего назначения........ 319
§ 15.3. Конструкции корпусов тиристоров............... 325
§ 15.4. Конструкции корпусов диодов СВЧ-диапазона......... 327
§ 15.5. Конструкции корпусов туннельных диодов........... 329
§ 15.6. Конструкции корпусов транзисторов.............. 331
§ 15.7. Конструкции корпусов источников света............ 334
§ 15.8. Конструкции корпусов интегральных микросхем........ 337
Тлава 16. Особенности технологии изготовления ИМС
§ 16.1, Классификация интегральных микросхем............ 345
§ 16.2. Разработка топологии ИМС.................. 347
§ 16.3. Изготовление элементов биполярных ИМС.......... 351
§ 16.4. Изготовление элементов МДП ИМС.............. 356
.'Заключение............................... 361
•Список литературы........................... 363
.'Предметный указатель......................... 364
Цена: 150руб.
