Элементная база современной микроэлектроники, к которой относятся полупроводниковые приборы, акусто-, магнита- и оптоэлек-тронные элементы, непрерывно развивается и совершенствуется.
В этой связи повышается актуальность разработки физических моделей, позволяющих описывать процессы в уже существующих элементах и приборах, а также анализа перспективных процессов и приборов, не поставленных пока еще на серийное производство.
фут вопросов, освещенных в данном сборнике, рассматривает динамические процессы и:статистические характеристики самых разнообразных элементов и приборов микроэлектроники, в том числе функциональной электроники. Твердотельная функциональная электроника, основывающаяся на известных и новых физических принципах, в настоящее время характеризуется значительным ускорением своего развития: решаются проблемы создания памяти на цилиндрических магнитных доменах, разрабатываются различные элементы оптоэлек-'тронной аппаратуры, позволяющие повысить надежность волоконно-оптической связи, увеличить емкость и быстродействие устройства для оптической записи и обработки информации и т.д.
В такой области функциональной электроники, как акустоэлек-троника, все шире используются приборы на поверхностных акусти-• ческих волнах - модуляторы, дефлекторы, линии задержки, требующие нестандартных теоретических и технологических подходов при их проектировании и изготовлении.
СОДЕРЖАНИЕ.
Стр. ВВЕДЕНИЕ ..*,,.............................• •*•*«*.•..*«*••» 3
АХМЕДОВ Я.Б., АЛЛАВЕРДЙЕВ A.M., ТРЕТЬЯК М.С., СТЫРИКОВИЧ Й.и! Расчет составного пьезоиэлучателя, контактярукщего о бесконечной жидкой средой ,,..,,,,,,,.,»,..,.,,,,».,м*«».*,»...», 6 АБРАМОВ А.А., ГОРБАТЫЙ И,Я., КОШОРИДЗЕ С.Й./йалиа недияейяЮЕ искажений в СВЧ J0-/Z-/Z+диоде о тонкой базой *..»***.*..*«*»* 10 ШЕДЕШН Н.А., РОДИОНОВ Ю.П. Упрощенная модвль отруктурн воду-проводник - диэлектрик - полупроводник .,*,«»**.••».»»•»*»,.,, 16
РОМАНОВ В ЛЬ, САГЮЛЬКОВ А,Ю., ЧАЛШШ Ю»А* 0 Существовании предельной концентращш носителей заряда в диэлектрических в полупроводниковых слоях при нарушении влектровейтральноо-ти ....................„,.....,..,,,.,,,,,..,,,.,.,...,..,... 22
ГУСАКОВ Г.М., ЛАРШИН А.И., ЭМ А.С, Влияние теплопроводности я поглощения в полупроводнике на параметры импульсного лазерного отжига кремния ,,,г.»******»*»»************»?»^*****.»* %
БАЛАБАНОВ A.M., БИРКЩН И.А, Расчет волы-ашерншг характе-РИОТЙК туннельных МБМ-И ШЛБМнзтруктур .,..,,.,.,,.....,«.. 33
АХМЩИЕВ Н.Н., ОСТРОВСКАЯ Н.В. Об устойчивости нелинеИма
вола в оишетричноы пленарном волноводе ,,,..,,,...,-....... 3@
ВЕРЕЩАЛ В,П., ?ЛЕЗШ11АКОВ B.C., IHEPMEPTOP Т.Д. Завиоймооть эхо» оигнала рассеяния второй краткости в дисперсной ореде от индикатрисы лазерного излучения.........,,<*..,..>.,,....,..* 4Ь
КОРНЕЕВА Б.М., ДА1-1ШЙ Н.И., KOPflEEB В.Й, БлиЯййб рвэориен-тировки текстуры на характер акуотооптачвсйого взаимодействия оО
ШЕРМЕРГОР Т.Д., ЗВЕРЕВА С.Г. Использование дробно-экопонений-* ^t альных функций для описания тока деполяризации диэлектрика!. Ь4
ШЕРМЕРГОР Т.Д., КОЖЕВНИКОВА М,И, Влияние разориентацви оси
планарной текстуры на величину области селективного страхе-
ния холеотеричеокого жидкого кристалла .,,.....,...........* 62
ГУСЕЙНОВ Г.Я. Оптическая анизотропия гранато&ых апатаксиаль-ных пленок, содержащих оильноанизотрошые родноаемельные яоны..................-.......
6?
А.Я., ТУМАНОВА Л.А. Вариаиионвый метод расчета мод цилиндрического дивлвктричеокого волновода ........... ..,.,,.. 70
БЕЛЯЕВ А.Д., РОДИОНОВ В,Е„ ЧЕРНАЯ Н.С. Формирование ообствен-go2 памяти элбктролгминроцентных элементов ИС под воздействием „ ультразвухоанх колебаний ......... .... ............. . ...... .... 75
ГСОВА В.М., ФОМИН А.А. Фйдические процессы напыления пленок Оксида ниобия для планарных волноводов ....................... 79
АГАФОНЩВ В.Ф.Г ЛЕКСИН А,Н. Определение показателя поглоще-ря неоднородных диспероных сред на основании их спектров диффузного отражения *..*.......*.**••* . ..*.*.•*...***•*.••*. 86
АХМЕДОВ Н.Б., АМАВЕРДИЕВ A.M., ШЕРМЕРГОР Т.Д. Оптимальное проектирование пьезокерамичеоких стержней ...... ............. 93
ДЕНИСОВ А.Н., МОЧАЛОВ Е.Ф, Ахуотоелектроннне устройства В
оис темах анализа текущего цифрового изображения ......... . ... 96
АГРИКОВ Ю.М., АНТРОПОВ A.M., СИНЯГЯН 0»В., ТОКМ7ЛИН И.М. Использование поперечного термоэлектрического эффекта для измерения тепловых потоков в плазме атмосферного давления «... 104
АСТАХОВА Н.А., СТРЕЛЫШ м.В. Влияние ирнно-плазменной обработки поверхности кремния на аффективный заряд и плотнооть поверхностных состояний границы ЗС'-ЗЮц .................*» 108
ЗИМРУТЯН AJ., ГРУШЕВСКИЙ А,ИМ КОЛЕДОВ ЛД„ ТОМАЩЕНКО С.Н,. • Исследование влияния некоторых технологических факторов на надежность межуровневых переходов коммутационных плат....... И 2
1УСЛЯННИКОВ В.В.. КАЛБАЗОВ С.Е., ТУМАНОВА Л.А. Иооледова-ние характеристик излучающих структур металл - барьер - ме-
тлл .* .. ..... . ...... . ...... *.....*» 117
талл
ВОРОНКОВ Э.Н,. БЕЗМЕН В.П., ПОШЛИН Т.Е., БАВРИН В.О. Ио--
следование статических хараитериотик тошюетеночшх струк-
тур на основе аморфного кремния ...... .. .......... .......... 122
ОГНЕВ А.Н., КОРНЕТОВ В.Н., ПОПОВ Б.Н. Электрические свойства слоев окислов и герианатов внсыута...., ..................... 128
КАРЕТНИКОВ И.А., БУРУНОВ А.Г., КОПИИ В.В. Иооледоваше фото-тока короткого замыкания диодных структур на основе Infa? 135
ЗАКДШЕНИЕ .. ........... ..... ...... . ........... .... ....... .. 141
Цена: 75руб.
