Одним из основных направлений современного развития микроэлектроники является разработка интегральных схем большой и сверхбольшой степеней интеграции. Новые возможности открывает применение в качестве схемотехнического и структурно-топологического базиса БИС биполярного транзистора с инжекционным питанием, известного как элемент интегральной инжекционной логики. Интенсивное производство и освоение ИС с инжекционным питанием связаны с рядом факторов - высокой степенью интеграции, относительно высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью, возможностью использования стандартной биполярной технологии и, как следствие, низкой стоимостью изготовления, совместимостью по технологии с другими типами биполярных ИС (ТТЛ, ЭСЛ, аналоговыми ИС) и, наконец, возможностью создания ИС практически для любых применений, в том числе и для линейной обработки сигналов.
За последние годы опубликовано большое число работ, посвященных ИС с ИП. Среди них следует выделить книгу Н.А.Аваева с соавт. "Большие интегральные схемы с инжекционным питанием" (М., I5V7), в которой систематизированы сведения о цифровых ИС (ВДС) с ИП первого поколения. Схемотехника и элементная база запоминающих устройств на ТИП подробно анализируются в книге К.А.Валиева, А.А.Орлйковского "Полупроводниковые интегральные схемы памяти на биполярных структурах" (М., 1979). Методы структурно-логического проектирования матричных БИС и микропроцессоров с учетом особенностей ТИП второго поколения рассмотрены в книге И.И.Шагурина, К.О.Петросянца "Проектирование цифровых микросхем на элементах инжекционной логики" (М., 1984).
Однако до последнего времени линейным ИС, реализуемым на основе стандартного, характерного для схемотехники ЦИС включения
ТИП, удалялось слабое внимание. Это связано с низкими значениями коэффициентов передачи тока базы усилительного транзистора в ин-жекционных структурах первого поколения и отсутствием информации о малосигнальных параметрах ТИП и его моделях в целом.
Стандартное включение ТИП и функциональная интеграция его рабочих областей при создании ЛИС на его основе определяют новый подход в развитии аналоговой схемотехники и требуют разработки новых принципов проектирования. Успешное решение проблемы создания ЛИС с ИП в значительной степени связано с широким применением совместимых со способами проектирования БИС методов и средств автоматизированного проектирования как на элементном, так и на схемотехническом и системотехническом уровнях.
В настоящей книге изложены исследования схемотехнических возможностей ТИП для создания усилительных устройств и описана разработанная нами подсистема автоматизированного проектирования таких устройств, основанная на идентификации статических и динамических параметров модели ТИП и оптимизации выходных параметров ЛИС при варьировании конструктивно-топологическими характеристиками библиотечных базовых инжекционных структур. Такой подход в известных системах автоматизированного проектирования микроэлектронных устройств до настоящего времени не применялся.
Данная монография является логическим продолжением известных обширных исследований применения принципа инжекционного питания в микроэлектронике. В ней систематизированы сведения о схемотехнике и автоматизированном проектировании ЛИС с ИП.
Разделы 1-5, за исключением 4.6, написаны авторами совместно, 4.6 - Н.А.Усом, предисловие и заключение - Ю.Г.Крюковым.
Цена книги: 50руб.
