Предисловие..............
ГЛАВА 1. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА И УПРУГИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1.1. Кристаллическая структура полупроводников .
1.2. Спайность в кристаллах полупроводников ....
1.3. Закон Гука для анизотропных тел......
1.4. Упругие константы кубических кристаллов .... 12
1.5. Упругие константы для произвольных кристаллографических направлений кубических кристаллов ....
ГЛАВА 2. ДИСЛОКАЦИИ В КРИСТАЛЛАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ИХ ДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
2.1. Системы скольжения, геометрия и энергия дислокаций в структурах алмаза, сфалерита и вюрцита ....
2.2. Диссоциация дислокаций. Частичные дислокации и дефекты упаковки в алмазоподобных структурах ... 23
2.3. Методы наблюдения дислокаций и других дефектов
в полупроводниках .......... 24
2.4. Динамические свойства дислокаций в полупроводниках 35
ГЛАВА 3. ДЕФОРМАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ МИКРОВДАВЛИВАНИИ
3.1. Особенности испытаний на микровдавливание ... 45
3.2. Математическое описание процесса микропластической деформации при вдавливании .......
3.3. Температурная зависимость микротвердости ... 54
3.4. Микроструктурные особенности пластической деформации при микровдавливании ....... 60
3.5. Полярность полупроводниковых соединений и анизотропия микропластической деформации.....65
ГЛАВА 4. РАЗРУШЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
4.1. Феноменологическое описание разрушения .... 70
4.2. Фрактография полупроводников ....... 71
4.3. Теории хрупкого разрушения.......77
ГЛАВА 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
ПРОЧНОСТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
МАТЕРИАЛОВ
5.1. Введение.............83
5.2. Испытания на растяжение и сжатие.....84
5.3. Кручение.............89
5.4. Испытания на изгиб......, . ; . '||]
5.5. Некоторые особенности методики испытаний полупроводниковых пластин способом плоско-поперечного изгиба (ППИ)............ 93
5.6. Испытания на удар.......... 97
5.7. Испытания на микрохрупкость. Склерометрия ... 101
1АВА 6. МЕТОДИКА И АППАРАТУРА КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН СПОСОБОМ
-'••-'•.нимЕтпичного ИЗГИБА
РОВОДНИКившл. по.,,,,,.... ___
ОСЕСИММЕТРИЧНОГО ИЗГИБА
6.1. Методика осесимметричного изгиба......iuo
6.2. Установка контроля механической прочности полупроводниковых пластин методом осесимметричного изгиба 100
6.3. Теоретические исследования осесимметричного изгиба 107
6.4. Экспериментальная проверка расчетных формул теории нелинейного осесимметричного изгиба ....
6.5. Номограммы для расчета прочности.....ИЗ
ГЛАВА 7. ВЛИЯНИЕ ТЕРМООБРАБОТОК И ПРИМЕСЕЙ
НА ПЛАСТИЧНОСТЬ И ПРОЧНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
-• ••, г~„„ « ппн u г.трукТУР
. I E> и in w ...______
МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР
7.1. Дислокационная структура при выращивании монокристаллов кремния, германия и соединений АШВУ 115
7.2. Структура макроскопически бездислокационных кристаллов кремния большого диаметра.....118
7.3. Влияние микронеоднородностей легирования и агрегатного состояния примесей па микротвердость и прочность полупроводников ....... .125
7.4. Влияние примесей и объемных дефектов на прочность важнейших полупроводниковых материалов . . . 128
Прочность германия...........129
Прочность кремния...........135
7.5. Прочность полупроводниковых структур .... 138
ГЛАВА 8, ПЛАСТИЧНОСТЬ И ПРОЧНОСТЬ
ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССАХ
ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
И СТРУКТУР
8.1. Методы механической обработки поверхности полупроводников ............139
8.2. Исследование и контроль прочности пластин при механической обработке..........142
8.3. Расчет и определение глубины нарушенных слоев при механической обработке.........148
8.4. Использование метода микротвердости для изучения механических свойств поверхностных слоев . . . 150
8.5. Влияние некоторых технологических факторов на прочность полупроводниковых пластин.....155
238
ГЛАВА 9. ПЛАСТИЧЕСКАЯ ДЕФОРМАЦИЯ
ПОЛУПРОВОДНИКОВ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ
ПРОЦЕССАХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ
9.1. Возникновение дислокаций от локальных источников деформации............1^7
9.2. Дислокации, генерируемые термическими напряжениями Ifci
9.3. Дислокации, создаваемые осажденными диэлектрическими покрытиями..........IC.Q
9.4. Возникновение и распределение дислокаций при сплошной и локальной диффузии........1^2
9.5. Возникновение и распространение дислокаций при эпи-таксиальном наращивании........1^.
ГЛАВА 10. СКРАЙйИРОВАНИЕ И РАЗЛОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН
10.1. Физические основы скрайбирования..... 1&7
10.2. Скрайбирование пластин лучом лазера ..... 1$\п
10.3. Методы разлома скрайбированных пластин . . 1^2
10.4. Роль кристаллографического фактора при скрайбиро-ванин и разломе пластин......... \§.
ГЛАВА П. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ СТРУКТУРЫ
НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
11.1. Ухудшение параметров приборов при наличии дефектов ............" 2f)9
11.2. Влияние дефектов на параметры транзисторов при вибрационных и ударных воздействиях .... 2оя
11.3. Контролируемое использование структуры несовершенств............ $,_
Список литературы............5>,^
Предметный указатель..... • • • • • «В
Цена книги: 150руб.
