Математика | ||||
Основы физики полупроводников Р.А.Гаврилов Москва1966 288стр Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса « для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происходящие при очистке и выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов. Книга предназначена для учащихся техникумов, вместе с тем она будет полезна студентам высших технических учебных заведений и специалистам, работающим в области производства полупроводниковых материалов и приборов. | ||||
ОГЛАВЛЕНИЕ Стр. Предисловие ............................ 3 Глава I. Строение атома...................... 5 § 1. 1. Введение........................ 5 § 1.2. Ранние модели атома................... 6 § 1.3. Спектры видимого света, теория излучения Планка и фотоэффект 12 § 1.4. Теория атома по Бору . . ................ 19 § 1.5. Опыт Франка и Герца. Энергетический уровень. Потенциал ионизации ......................... 26 § 1.6. Дальнейшее развитие теории атома водорода......... 30 § 1. 7. Магнетон Бора...................... 37 § 1.8. Пространственное квантование............... 39 § 1.9. Рентгеновские лучи . . ................. 45 § 1. 10. Радиоактивность..................... 68 § 1. 11. Многоэлектронные атомы................. 80 § 1. 12. Периодическая система элементов Менделеева и теория атома 93 § 1.13.О квантовой механике ................... 104 § 1. 14. Современное представление об электроне.......... 126 глава II. Строение твердых тел................... 135 § 2. 1. Строение молекул и природа химической связи....... , 135 § 2.2. Кристаллические и аморфные вещества........... 146 § 2.3. Структуры 'кристаллов . . ................ 151 § 2. 4. Кристаллизация...................... 163 § 2.5. Состояния электронов в кристаллах............ 166 § 2.6. Металлы, диэлектрики и собственные полупроводники..... 168 "лава III. Электрические и физические свойства полупроводников .... 175 § 3.1. Распространенность полупроводников в природе...... 175 § 3. 2. Электропроводность кристаллов............. 178 § 3. 3. Отличие металлов, полупроводников и изоляторов по электропроводности ...................... 182 § 3. 4. Собственная электропроводность полупроводников...... 184 § 3.5. Примесная электропроводность полупроводников....... 187 § 3. 6. Зонная структура примесных полупроводников....... 191 § 37, Дефекты в полупроводниках................ 196 § 3. 8. Уровень Ферми................... 198 § 3. 9. Зависимость электропроводности полупроводников от температуры .......................... 203 § 3. 10. Фотопроводимость полупроводников............ 206 § 3.11. Влияние ядерных излучений на электропроводность полупроводников .......{................... 208 § 3. 12. Термоэлектрические явления в полупроводниках...... 210 § 3. 13. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках...... 213 'лава IV. Свойства и методы получения германия, кремния и соединений типаАщ By...................... 219 § 4. 1. Кристаллическая решетка германия и кремния....... 219 § 4. 2. Химические и физические свойства германия и кремния .... 220 288 Оглавление Стр. § 4. 3. Электрические свойства германия и кремния........ 223 § 4. 4. Процесс получения германия...............• 228 § 4. 5. Процесс получения кремния................ 230 § 4. 6. Принцип зонной плавки.................. 234 § 4. 7. Зонная очистка германия и кремния............ 238 § 4. 8. Получение монокристаллов германия и кремния....... 241 §Р 4.9. Полупроводниковые соединения типа Ащ В\-........ 247 § 4. 10. Процесс получения соединений типа Аш-бу........ 253 Глава V. Неравновесные носители заряда в полупроводниках...... 258 § 5. 1. Неравновесные носители заряда.............. 258 § 5.2. Объемная рекомбинация и время жизни неосновных носителей заряда......................... § 5.3. Поверхностная рекомбинация............... 263 § 5. 4. Измерение времени жизни носителей............ 265 § 5.5. Зависимость времени жизни неосновных носителей заряда от температуры и совершенства кристаллической решетки . . . 270 § 5. 6. Уравнение непрерывности для неосновных носителей заряда . 273 § 5. 7. Электрический ток в полупроводниковых кристаллах..... 276 § 5.8. Вывод соотношений Эйнштейна............... 278 Приложения. 1. Периодическая система элементов Д. И. Менделеева . . . 280 2. Таблица элементарных частиц................. 282 3. Соотношения между единицами систем СИ и СГС....... 283 4. Соотношения между единицами энергии и массы......... 283 5. Физические постоянные.................... 284 Литература............................ 285 Цена книги: 150руб. |
||||