Предисловие редактора перевода ....... 5
Предисловие автора .................. 9
Условные обозначения ................ 13
Глава 1. Введение........................ 15
§ 1. Историческая справка................. 15
§ 2. Кристаллическая структура тетраэдрических фаз .... 16
§ 3. Характеристика наиболее важных соединений AmBv . . 27
Глава 2- Теоретические основы.................. 31
§ 1. Химическая связь в тетраэдрических фазах...... 31
§ 2. Теория зонной структуры соединений AlnBv ..... 39
1. Введение...................... 39
2. Зонная структура полупроводника с решеткой типа алмаза....................... 40
3. Симметрия зонной структуры соединении AmBv ... 42
4. Теория Кейна................... 40
5. Методы теории возмущений............. 53
6. Одномерные модели................. 55
7. Выводы...................... 57
Глава 3- Оптические свойства соединений А1ПВ^......... 58
§ 1. Введение....................... 58
§ 2. Межзонные переходы................. 60
1. Край полосы поглощения ............. 60
2. Зависимость края полосы поглощения от давления . . 61
3. Влияние свободных носителей тока на положение края полосы поглощения................. (i(i
4. Оптические переходы из валентной зоны в зону проводимости ...................... 68
ОГЛАВЛЕНИЕ 475
5. Внутризонные переходы в валентной зоне и зоне проводимости ..................... 85
6. Поглощение и отражение света во внешнем магнитном поле........................ 90
§ 3. Свободные носители тока............... 98
1. Теория....................... 98
2. Поглощение.................... 103
3. Отражение..................... 107
4. Циклотронный резонанс .............. 109
5. Магнетоплазменное отражение............ 115
6. Эффекты Фарадея и Фогта............. 116
§ 4. Колебания решетки.................. 120
§ 5. Показатель преломления . . ............. 124
Глава 4- Явления переноса................... 126
§ 1. Введение....................... 126
§ 2. Электрические и гальваномагнитные свойства ..... 127
1. Подвижность.................... 127
2. Электропроводность и постоянная Холла ...... 132
3. Зависимость электропроводности и постоянной Холла от магнитного поля . . «, ^........... 174
4. Аномалии гальваномагнитных явлений при низких температурах и в сильных магнитных полях .... 195
5. Зависимость электрических свойств от давления . . . 208
6. Сильные электрические поля. Ударная ионизация . . 217 § 3. Термоэлектрические явления ............. 224
1. Термо-э. д. с..................... 224
2. Теплопроводность ................. 229
3. Термомагнитные явления.............. 233
§ 4. Неравновесные явления................ 239
Глава 5- Примеси и дефекты................... 257
§ 1. Введение....................... 257
§ 2. Свойства примесей в соединениях AJIIBV........ 259
1. Акцепторы и доноры II и VI групп периодической системы...................... 259
2. Примеси IV группы периодической системы ..... 262
3. Другие примеси.................. 265
4. Неидентифицированные примесные уровни ..... 268
§ 3. Введение и удаление примесей и дефектов в соединениях
AmBv........................ 269
1. Выращивание чистых кристаллов; легирование .... 269
2. Диффузия..................... 276
476 ОГЛАВЛЕНИЕ
3. Термообработка и дефекты решетки.......... 288-
4. Влияние облучения частицами............ 292
§ 4. Специальные случаи.................. 300
1. Аномалии в подвижности носителей зарядов, вызванные примесями................... .'ido
2. Высокоомные GaAs и GaP............. 301
3. Электролюминесценция................ 304
Глава 6- Кристаллы твердых растворов и тройных соединений . . 308
§ 1. Введение....................... 30»
§ 2. Твердые растворы между соединениями AIIIBV..... 309
1. Предварительные замечания............. 309
2. Система InSb — GaSb............... 310
3. Система InSb — AlSb................ 316
4. Система GaSb — AlSb................ 310
5. Система InAs — GaAs........•....... . 318
6. Системы InSb — InAs и GaSb — GaAs........ 321
7. Система InAs — InP ................ 321
8. Система GaAs — GaP............... 326
§ 3. Твердые растворы между соединениями AmBv и другими полупроводниками................. 327
1. Системы соединений АП1ВУ и AlnBVl ....... 327
2. Системы InSb — In2Se3 и InSb — 1п2Те3....... 329
3. Системы InAs — In2Se3 и InAs — 1п2Теэ ...... 332
4. Системы GaAs — Ga2Se3 и GaAs — Ga2Te3..... 334
5. Другие системы твердых растворов......... 334
§ 4. Тройные соединения.................. 335
1. Основные точки зрения............... 335
2. Соединения типа AnBIVC2v............. 337
Глава 7. р — от-переходы..................... 343
§ 1. Введение....................... 343
§ 2. Диоды и триоды................... 345
1. Диоды....................... 345
2. Транзисторы.................... 347
§ 3. Фотоэффект на р ;— га-переходах............ 348
1. Фотодиоды..................... 348
2. Обнаружение с помощью р — n-переходов рентгеновского, у~излучения и частиц высокой энергии . . . 353
§ 4, Туннельный эффект в р — и-переходах........ 355
§ 5. Спонтанное и стимулированное излучение из р — ге-пере-
хода......................... 361)
; ОГЛАВЛЕНИЕ 477
Глава о- Различные физические свойства............; 370
§ 1. Магнитная восприимчивость.............. 370
§ 2. Тонкие пленки.................... 375
§ 3. Поверхностная проводимость и эффект поля....... 378
§ 4. Поверхностные свойства и полярность решетки цинковой обманки...................... 379
§ 5. Пластическая деформация; дислокации......... 385
§ 6. Упругие постоянные; коэффициенты расширения .... 388
Глава 9. Обобщение и обсуждение основных свойств соединений
AIHBV.......................... 393
§ 1. Предварительные замечания.............. 393
§ 2. Зонная структура .................. 394
§ 3. Явления переноса .................. 403
§ 4. Зависимость между химической связью и полупроводниковыми свойствами.......,.......... 405
Литература................. 414
Дополнительная литература.......... 450
Предметный указатель ................. 462
Указатель веществ.......t............. 467
Цена книги: 300руб.
