Математика | ||||
Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп О.Маделунг Москва 1967 470стр Настоящая книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов — соединениям типа АIIIВV, получившим в последние годы широкое практическое применение в полупроводниковой электронике и (в самое последнее время) в лазерной технике. В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих соединений (кристаллохимия, энергетическая зонная структура, электрические и оптические свойства, роль примесей и т. д.), включая самый последний период. Книга содержит обширную библиографию. Книга рассчитана на физиков, химиков и инженеров, занимающихся изучением свойств полупроводниковых материалов и их применением в полупроводниковых приборах и лазерах. Она может также служить дополнительным пособием для преподавателей и студентов физико-технических вузов по курсу физики полупроводников. | ||||
Оглавление Предисловие редактора перевода ....... 5 Предисловие автора .................. 9 Условные обозначения ................ 13 Глава 1. Введение........................ 15 § 1. Историческая справка................. 15 § 2. Кристаллическая структура тетраэдрических фаз .... 16 § 3. Характеристика наиболее важных соединений AmBv . . 27 Глава 2- Теоретические основы.................. 31 § 1. Химическая связь в тетраэдрических фазах...... 31 § 2. Теория зонной структуры соединений AlnBv ..... 39 1. Введение...................... 39 2. Зонная структура полупроводника с решеткой типа алмаза....................... 40 3. Симметрия зонной структуры соединении AmBv ... 42 4. Теория Кейна................... 40 5. Методы теории возмущений............. 53 6. Одномерные модели................. 55 7. Выводы...................... 57 Глава 3- Оптические свойства соединений А1ПВ^......... 58 § 1. Введение....................... 58 § 2. Межзонные переходы................. 60 1. Край полосы поглощения ............. 60 2. Зависимость края полосы поглощения от давления . . 61 3. Влияние свободных носителей тока на положение края полосы поглощения................. (i(i 4. Оптические переходы из валентной зоны в зону проводимости ...................... 68 ОГЛАВЛЕНИЕ 475 5. Внутризонные переходы в валентной зоне и зоне проводимости ..................... 85 6. Поглощение и отражение света во внешнем магнитном поле........................ 90 § 3. Свободные носители тока............... 98 1. Теория....................... 98 2. Поглощение.................... 103 3. Отражение..................... 107 4. Циклотронный резонанс .............. 109 5. Магнетоплазменное отражение............ 115 6. Эффекты Фарадея и Фогта............. 116 § 4. Колебания решетки.................. 120 § 5. Показатель преломления . . ............. 124 Глава 4- Явления переноса................... 126 § 1. Введение....................... 126 § 2. Электрические и гальваномагнитные свойства ..... 127 1. Подвижность.................... 127 2. Электропроводность и постоянная Холла ...... 132 3. Зависимость электропроводности и постоянной Холла от магнитного поля . . «, ^........... 174 4. Аномалии гальваномагнитных явлений при низких температурах и в сильных магнитных полях .... 195 5. Зависимость электрических свойств от давления . . . 208 6. Сильные электрические поля. Ударная ионизация . . 217 § 3. Термоэлектрические явления ............. 224 1. Термо-э. д. с..................... 224 2. Теплопроводность ................. 229 3. Термомагнитные явления.............. 233 § 4. Неравновесные явления................ 239 Глава 5- Примеси и дефекты................... 257 § 1. Введение....................... 257 § 2. Свойства примесей в соединениях AJIIBV........ 259 1. Акцепторы и доноры II и VI групп периодической системы...................... 259 2. Примеси IV группы периодической системы ..... 262 3. Другие примеси.................. 265 4. Неидентифицированные примесные уровни ..... 268 § 3. Введение и удаление примесей и дефектов в соединениях AmBv........................ 269 1. Выращивание чистых кристаллов; легирование .... 269 2. Диффузия..................... 276 476 ОГЛАВЛЕНИЕ 3. Термообработка и дефекты решетки.......... 288- 4. Влияние облучения частицами............ 292 § 4. Специальные случаи.................. 300 1. Аномалии в подвижности носителей зарядов, вызванные примесями................... .'ido 2. Высокоомные GaAs и GaP............. 301 3. Электролюминесценция................ 304 Глава 6- Кристаллы твердых растворов и тройных соединений . . 308 § 1. Введение....................... 30» § 2. Твердые растворы между соединениями AIIIBV..... 309 1. Предварительные замечания............. 309 2. Система InSb — GaSb............... 310 3. Система InSb — AlSb................ 316 4. Система GaSb — AlSb................ 310 5. Система InAs — GaAs........•....... . 318 6. Системы InSb — InAs и GaSb — GaAs........ 321 7. Система InAs — InP ................ 321 8. Система GaAs — GaP............... 326 § 3. Твердые растворы между соединениями AmBv и другими полупроводниками................. 327 1. Системы соединений АП1ВУ и AlnBVl ....... 327 2. Системы InSb — In2Se3 и InSb — 1п2Те3....... 329 3. Системы InAs — In2Se3 и InAs — 1п2Теэ ...... 332 4. Системы GaAs — Ga2Se3 и GaAs — Ga2Te3..... 334 5. Другие системы твердых растворов......... 334 § 4. Тройные соединения.................. 335 1. Основные точки зрения............... 335 2. Соединения типа AnBIVC2v............. 337 Глава 7. р — от-переходы..................... 343 § 1. Введение....................... 343 § 2. Диоды и триоды................... 345 1. Диоды....................... 345 2. Транзисторы.................... 347 § 3. Фотоэффект на р ;— га-переходах............ 348 1. Фотодиоды..................... 348 2. Обнаружение с помощью р — n-переходов рентгеновского, у~излучения и частиц высокой энергии . . . 353 § 4, Туннельный эффект в р — и-переходах........ 355 § 5. Спонтанное и стимулированное излучение из р — ге-пере- хода......................... 361) ; ОГЛАВЛЕНИЕ 477 Глава о- Различные физические свойства............; 370 § 1. Магнитная восприимчивость.............. 370 § 2. Тонкие пленки.................... 375 § 3. Поверхностная проводимость и эффект поля....... 378 § 4. Поверхностные свойства и полярность решетки цинковой обманки...................... 379 § 5. Пластическая деформация; дислокации......... 385 § 6. Упругие постоянные; коэффициенты расширения .... 388 Глава 9. Обобщение и обсуждение основных свойств соединений AIHBV.......................... 393 § 1. Предварительные замечания.............. 393 § 2. Зонная структура .................. 394 § 3. Явления переноса .................. 403 § 4. Зависимость между химической связью и полупроводниковыми свойствами.......,.......... 405 Литература................. 414 Дополнительная литература.......... 450 Предметный указатель ................. 462 Указатель веществ.......t............. 467 Цена книги: 300руб. |
||||