Основы параметры полупроводниковых диодов(вентилей)

Идеальный p-n переход

Уравнение p-n перехода представляет собой зависимость тока, текущего через диод, от напряжения на его концах. Уравнение идеального p-n перехода записывается как:

where:
I = Суммарный ток, текущий через диод
I₀ = Темновой ток насыщения (ток утечки в диоде при отсутсвии света)
V = Приложенное к диоду напряжение
q = Абсолютное значение заряда электрона
k = Постоянная Больцмана
T = Абсолютная температура (K)

Темновой ток насыщения I₀ является очень важной величиной, служащей для характеристики диодов. I₀ является мерой рекомбинации в устройстве. Диод с большей рекомбинацией будет иметь больший I₀.

Отметим, что I₀ увеличивется при увеличиении температуры и уменьшается с улучшением качества материала.

At 300K, kT/q = 25.85 мВ - "термическое напряжение".

Неидеальные диоды

Для реальных диодов справедливо следующее уравнение:

Где n – коэффициент идеальности, принимающий значения от 1 до 2 и обычно увеличивающийся с увеличением тока.

График, описывающий уравнение p-n перехода для кремния

Уравнение кремниевого диода. Ток зависит от напряжения и температуры. Для фиксированного тока кривая смещается примерно на 2 мВ на каждый градус.

Германий детектор диод fm-am TV радио обнаружение

Dip-1n60 германий детектор диод fm-am TV радио обнаружение

Германивые диод

Германий диод TV FM AM кристалл радио