Ограничители
Creation of the Detector
The algorithm
|
|
|
|
|
|
|
|
|
STEP_1.
|
|
|
The mathematical formulation of the data
Уравнение p-n перехода представляет собой зависимость тока, текущего через диод, от напряжения на его концах. Уравнение идеального p-n перехода записывается как:
where:
I = Суммарный ток, текущий через диод
I0 = Темновой ток насыщения (ток утечки в диоде при отсутсвии света)
V = Приложенное к диоду напряжение
q = Абсолютное значение заряда электрона
k = Постоянная Больцмана
T = Абсолютная температура (K)
Темновой ток насыщения I0 является очень важной величиной, служащей для характеристики диодов. I0 является мерой рекомбинации в устройстве. Диод с большей рекомбинацией будет иметь больший I0.
Отметим, что I0 увеличивется при увеличиении температуры и уменьшается с улучшением качества материала.
At 300K, kT/q = 25.85 мВ - "термическое напряжение".
Для реальных диодов справедливо следующее уравнение:
Где n – коэффициент идеальности, принимающий значения от 1 до 2 и обычно увеличивающийся с увеличением тока.
График, описывающий уравнение p-n перехода для кремния
Уравнение кремниевого диода. Ток зависит от напряжения и температуры. Для фиксированного тока кривая смещается примерно на 2 мВ на каждый градус.
|
|
|
|
|
Германий детектор диод fm-am обнаружение радио
|
|
|
The main parameters(Основные параметры)
1.Voltage drops by(Наприжения падения )
Провека диодов мултиметром
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2.Frec(Частота)
|
|
|
|
|
|
Verification of theoretical data
 |
= |
1 Кom |
|
|
|
|
|
|
Verification of experimental data
Voltage drops by(Наприжения падения ) =245mv
|
|
|
|
|
|
1.Voltage drops by(Наприжения падения )
|
U =1Vpp
|
U =350mVpp
|
2.Freq(Частота)
|
|
 |
|
|
 |
