Ричман П. Физические основы полевых транзисторов с изолироваиным затвором. Пер. с англ., под ред. Смолко Г. о Изд-во «Советское радио», 1971, стр., 144 т. 10900 экз., ц. 49KOJK|
'<*
I
Книга П. Ричмана представляет собой одну из пер*. вых монографий, посвященных основам теориЖ МДП-транзисторов с изолированным затвором. В не#| обобщено большое количество экспериментальных в;| теоретических данных, полученных рядом исследовате?! лей, в том числе и ее автором. На достаточно высокая^ научном уровне и одновременно в доступной для шасбЩ нерного круга читателей форме излагаются все осное*:3 ные аспекты, относящиеся к принципу действия МДП-транзистора и особенностям его работы в схемах^ С точки зрения физики полевого эффекта рассмотри-^ вается механизм протекания тока в полупроводниках^ изменение эффективной подвижности носителей токи' в канале при изменении напряжения на затворе, влияние поверхностных состояний на работу прибора и т. д. i
Книга может служить пособием для инженеров и,| научных работников, а также студентов старших /сур-| сов вузов и аспирантов, занимающихся разработками^ в области МДП-транзисторов. |
97 рис., библ. 102 назв. I
ПРЕДИСЛОВИЕ К РУССКОМУ ПЕРЕВОДУ
В отечественной и зарубежной литературе с момента создания полевого транзистора появилось большое количество статей и сообщений, посвященных их теории и применению. Полевые транзисторы — новый «ласе полупроводниковых приборов — нашли широкое применение в радиоэлектронике как в виде дискретных приборов, так и в виде интегральных схем.
Необходимо различать две разновидности толевых транзисторов: полевой транзистор с управляющим р-п переходом, или р-п транзистор (транзистор, в котором управляющая область — затвор образует р-п переход с областью канала), и полевой транзистор с изолированным затвором, или МДП-транзистор (транзистор, в котором затвор электрически изолирован от канала слоем диэлектрика).
В свою очередь, МДП-транзисторы делятся на транзисторы с индуцированным каналом и транзисторы со встроенным каналом.
До настоящего времени в отечественной литературе не опубликовано ни одной монографии, в которой последовательно и достаточно полно была бы изложена теория МДП-транзисторов. Основы теории и принципы расчета полевого транзистора с управляющим р-п переходом кратко изложены в книге Л. Севина «Полевые транзисторы» (пер. с англ.) и в книге Б. В. Малина и М. С. Сони'на «Параметры и свойства полевых транзисторов».
Основное внимание в них уделяется вопросам применения полевых транзисторов этого типа в различньш электрических схемах. «•••:'
Предлагаемая вниманию читателей книга П. Ричмана является, по существу, одной из первых книг как в отечественной, так и в зарубежной литературе, о ^которой дано описание физических процессов, конструк-
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие к русскому переводу........ 5
Предисловие.............. 7
Глава 1. Введение........... 9
Глава 2. Физические основы полевого эффекта .... 15
2.1. Удельное сопротивление и прохождение тока
в полупроводниках........ 15
2.2. Зависимость эффективной подвижности электронов в канале от мапряжвния «а затворе 21
2.3. Электромагнитная теория и полевой эффект 24
2.4. Статистика Ферми........ 26
2.5. Поверхность полупроводников « образование инверсионных слоев....... 30
Глава 3. Теория работы полевого транзистора с изолированным затвором......... 38
Глава 4. Принцип работы полевого транзистора с изолированным затвором 4........ 52
4.1. Три участка вольтамперной характеристики МДП-транзистора . "....... 52
4.2. Проводимость в области переменного сопротивления перед отсечкой...... 52
4.3. Ток насыщения ......... 59
4.4. Проводимость канала я . области лавинного пробоя........... 64
4.5. Пробой за счет туннельной эмиссии носителей
в МДП-транзисторах....... 71
Глава 5. Технология изготовления МДП'-транзисторов . . ?!>75
5.1. Защита изолированного' затвора с помощью зенеровского диода ........ 75
5.2. Нестабильность при работе МДП-транзистора 77
5.3. Изготовление МДП-транзисторов с изолированным затвором........ 84
5.4. Конструкции МДП-транзисторов .... 87
5.5. Полевой транзистор с р-n переходами . . 91 | . 5.6. Тонкопленочный полевой транзистор ... 93
141
Глава 6. Электрические характеристики, параметры схем и
области применения МДП-транзисторов ... 94
6.1. Общая характеристика областей использования МДП-транзисторов . ..... 94
6.2. Эквивалентная схема МДП-транзистора . . 96
6.3. Усиление МДП-транзиетором сигналов радиочастотного диапазона ....... 99
6.4. Переключатели на МДП-транзисторах Ю5
6.5. Схема переключателя на МДП-транзисторах 108
6.6. МДП-транзистор как ограничитель тока . . Ю8
6.7. МДП-транзистор как линейное сопротивление, регулируемое напряжением ..'.'. ПО
Глава 7. Применение МДП-транзисторов с изолированным
затвором в цифровых схемах......112
7.1. Логические схемы и цифровые устройства на МДП-транзисторах........112
7.2. Схема с общим затвором......112
7.3. Логические устройства на МДП-транзисторах
с каналом р-типа........116
7.4. Инвертор на МДП-транзисторах с каналом р-типа...........116
7.5. Ждущий .мультивибратор на МДП-транзисторах с каналом р-типа.......117
7.6. Логическая" схема И на ^МДП-транзисторах
с каналом р-типа . . . \. . . . .119
7.7. Логическая схема ИЛИ на МДП-транзисторах с каналом р-типа . . I . . . . 120
7.8. Сложные интегральные устройства на МДП-транзисторах .....\ .... 121
7.9. Дополняющие логические схемы' на МДП-транзисторах .........122
7.10. Инвертор на дополняющих МДП-транзисторах ...........125
7.11. Ждущий мультивибратор на дополняющих МДП-транзисторах . . . . . . . 127
7.12. Логическая схема НЕ—И на дополняющих МДП-транзисторах . . . . . . . . 128
7.13. Логическая схема НЕ—ИЛИ на дополняющих МДП-транзисторах . . . . • . . 129
Приложение А............. 132
Приложение Б............. 132
Приложение В............. 133
Литература.............. 135
Цена: 150руб.
