В сборнике рассматриваются методы расчета параметров акустических поверхностных волн в пьезоэлектрических кристаллах, методы синтеза частотно-селективных устройств на основе моделей дискретного и непрерывного распределения источников АПВ. Приводятся процедуры и программы автоматического построения топологических фотошаблонов полосных фильтров. Значительное внимание уделяется особенностям конструирования и технологии изготовления АПВ-фильтров.
Книга представляет интерес для научных сотрудников, радио-инженеров, инженеров-схемотехников, инженеров-программистов и технологов, занимающихся вопросами проектирования, изготовления и применения акустоэлектронных устройств в радиоэлектронной аппаратуре нового поколения, а также студентов старших курсов вузов, специализирующихся в акустоэлектронике.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Постоянное усложнение электронной аппаратуры для обработки информации наряду с созданием принципиально новых твердотельных элементов предопределяет необходимость миниатюризации и микроминиатюризации функциональных устройств на их основе. Если этот этап исследований и разработок в технике БИС в значительной мере уже пройден, и он не только повысил надежность радиоаппаратуры, но и улучшил ее габаритно-весовые характеристики, то освоение промышленностью акустоэлектронных устройств только начинается.
Одна из важных задач прикладной акустоэлектроники — уменьшение размеров и веса частотно-селективных устройств, в первую очередь -полосовых фильтров, при одновременном повышении их надежности и улучшении характеристик.
Среди всех типов колебаний, используемых в акустоэлектронных приборах, наибольшее распространение получили акустические поверхностные волны (АПВ). Значительная доля энергии АПВ сосредоточена в приповерхностном слое порядка длины волны, что вместе с малыми скоростью распространения и коэффициентом затухания на длину волны определяет основные преимущества АПВ. Именно они позволяют реализовать акустоэлектронные приборы на АПВ методами, хорошо освоенными в производстве интегральных схем.
Частотный диапазон АПВ-устройств снизу ограничен минимальным значением скорости поверхностных волн и допустимыми размерами подложки, а сверху допустимым значением затухания АПВ и возможностями технологического оборудования для создания субмикронных элементов на поверхности пьезодиэлектрика. Типичные значения рабочих частот современных АПВ-приборов лежат в пределах 10—300 МГц, полосы пропускания 3—70%, коэффициент прямоугольности на уровне 3 дБ/40 дБ около 1,2—1,4, вносимые устройством потери в основном определяются согласованием с внешними цепями и для различных полос пропускания составляют 3—20 дБ.
Весомый вклад в разработку АПВ-устройств внесли коллективы, работающие под руководством В. С. Бондаренко, С. С. Карийского, Г. К. Ульянова и И. Б. Яковкина. В знача-
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие • •......•................. 3
Я» С. Пащин. Акустические поверхностные волны в пьезоэлектрических кристаллах.................. 5
М, М. Рубанович. Выбор оптимального кристаллического среза для
устройства на АПВ * *................ 35
Ai В. Ковалев, О. И. Одаренно. Синтез частотно-селективных
устройств на акустических поверхностных волнах ... 47
Bi А. Вьюк, М. М. Рубанович, В. И. Хейфец. Использование алгоритма Ремеза для расчета эквидистантного встречно-штыревого преобразователя s............. 92
As М. Жаров. Особенности конструирования и акустоэлектриче-
ские характеристики АПВ-фильтров ~.......... 101
Дг Ц, Алексеевский, Н. А. Кашменский, Е. С. Семилетие. Методы согласования АПВ-фильтров с радиоэлектронными схемами . . ...................... 123
В* К, Раагоняее. Применение ЭВМ для автоматизации изготовления
фотооригиналов АПВ-устройств............. 137
jEs А. Каросик, С* Н. Петухоеа. Особенности изготовления фотошаблонов для акустоэлектронных приборов на отечественном оборудовании s ~................ 145
Эг Hi Киселева, А, А. Крейсер, .Технология акустоэлектронных
приборов . . -.................... 152
Цена: 150руб.
