АННОТАЦИЯ
В книге, написанной известным американским специалистом по вопросам теории и практического применения полупроводниковых приборов, обобщается практика использования в США кристаллических триодов в технике усиления низких частот.
Автор подробно рассматривает параметры и характеристики выпускаемых в США полупроводниковых триодов и излагает методику расчета типовых схем усилителей звуковой частоты на этих триодах.
В настоящем издании книга дополнена приложениями, в которых даны отдельные математические выводы, облегчающие пользование расчетными формулами, а также характеристики некоторых полупроводниковых триодов отечественного производства. Приведен также список основной литературы на русском языке по затронутым в книге вопросам.
Книга предназначена'для широкого круга инженеров и техников, работающих над конструированием аппаратуры на полупроводниковых триодах, а также студентов радиотехнических факультетов и подготовленных радиолюбителей.
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА
Последние годы характеризуются все возрастающим применением в технике полупроводниковых приборов. Это сопровождается, естественно, довольно широким выпуском литературы, в частности по теории и практическому применению полупроводниковых усилителей. Хотя по этим вопросам существует обширная журнальная литература, все же книг, обобщающих и систематизирующих этот разбросанный, а подчас и противоречивый материал, очень немного.
Предлагаемая вниманию читателя книга Р. Ф. Ши содержит сжатое, но достаточно полное и систематизированное изложение методов расчета полупроводниковых усилителей звуковой частоты.
Автор знакомит с основными свойствами полупроводниковых триодов, их эквивалентными схемами и параметрами, особенностями различных схем включения, свойствами каскадных соединений, усилителями мощности в режимах классов А и В, способами стабилизации рабочей точки, оценкой шума и т. д. Изложение сопровождается многочисленными и удачно подобранными примерами.
Особенностью книги является рецептурный характер изложения, при котором теоретическое обоснование чаще всего опускается. Такой подход, с одной стороны, делает книгу доступной более широкому кругу читателей, с другой— оставляет чувство некоторой неуверенности в применимости исходных соотношений для всего многообразия практических случаев. В связи с этим в приложении I редактором дано более развернутое изложение используемого в книге матричного метода анализа четырехполюсников. Этот материал позволяет без труда получить все исходные соотношения автора и оценить пригодность приближенных выражений для конкретных задач.
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие ре лактора............. 5
Из предисловия автора.............. 7
Принятые обозначения .............. 9
Глава 1. Основные сведения
1. Введение..................... 15
2 Типовые плоскостные триоды............ 15
3. Схема включения триода.............. KS
4. Статические характеристики............ И)
5. Влияние температуры............... 25
6. Стабилизация режима............... 27
Глава 2. Параметры полупроводниковых триодов
1. Триод как четырехполюсник............ 23
2. Эквивалентные схемы полупроводникового триода 31
3. Зависимость параметров от рабочей точки...... 33
4. Зависимость параметров от температуры...... 38
5. Зависимость параметров от частоты......... 40
6. Технологический разброс параметров........ 42
7. Параметры полупроводниковых триодоз....... 43
Глава 3. Основы расчета усилителя
1. Основные соотношения в эквивалентной схеме ... 55
2. Схема с заземленной базой ,............ 57
3. Схема с заземленным эмиттером.......... 71
4. Схема с заземленным коллектором......... 81
5. Стабилизация режима............... 84
Глава 4. Связанные каскады
1. Каскады с трансформаторной связью........ 90
2. Однотипные каскады с емкостной связью...... 98
3. Разнотипные двухкаскадные схемы с емкостной связью....................... 105
4. Потери в элементах связи............. 114
5. Схемы на полупроводниковых трподчх с проводимо-стями типов р — п—р\\п—р — п.......... 117
Глава 5. Предварительные усилители
1. Рассмотрение шума................. 119
2. Входное сопротивление предварительных усилителей 127
3. Частотная зависимость............... 131
4. Общие соображения по расчету........... 137
5. Регулирование громкости.............. 138
6. Регулирование тембра............... 145
Глава 6. Усилители мощности в режиме класса А
. 1. Анализ статических характеристик для схемы с заземленной базой ... •................ 148
2. Анализ статических характеристик для схемы с заземленным эмиттером................. 154
3. Схема с заземленным коллектором......... 158
4. Ограничение амплитуды.............. 159
5. Стабилизация режима............... 161
6. Усилители с последовательным питанием...... 161
7. Работа при повышенной температуре........ 163
8. Расчет предоконечного каскада........... 168
Глава 7. Усилители мощности в режиме класса В
1. Усилители в режиме класса В по схеме с заземленной базой. Статические характеристики......... 170
2. Входная цепь схемы с заземленной базой...... 177
3. Анализ схемы с заземленным эмиттером....... 181
4. Входная цепь усилителя с заземленным эмиттером 183
5. Схема с заземленным коллектором......... 184
6. Сводка основных данных.............. 187
7. Влияние изменения а от тока эмиттера....... 188
8. Линейность при малых сигналах.......... 195
9. Усилители в режиме класса В с комбинацией полупроводниковых триодов с проводимостями типов
р — п—р и л—р — п............... 195
10. Применение обратной связи в усилителях класса В 199
11. Влияние температуры.............. . 202
Глава 8. Примеры практического расчета усилителей
1. Аппараты для тугоухих..........• ... 203
2. Предварительный микрофонный усилитель..... 213
3. Электронный мегафон............... 220
4. Мощный усилитель на полупроводниковых триодах 223
Литература.....•................ 227
Приложения
1. Основные матричные соотношения для полупроводниковых триодов.................. 237
П. Некоторые характеристики низкочастотных плоскостных триодов отечественного производства...... 257
Цена: 150руб.