В книге дается определение основных количественных соотношений в транзисторах. Приводится минимум сведений из квантовой механики, необходимых для понимания особенностей полупроводников. Рассматривается работа транзистора в импульсных схемах, как усилительных, так и ключевых и реге- " неративных.
Книга предназначена для инженеров-радистов, работающих в области импульсной техники, а также может быть полезной и для лиц, работающих в других областях электронной схемной техники. Книга может служить пособием для студентов радиотехнических вузов, изучающих транзисторную электронику и ИМПУЛЬСНУЮ технику.
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА
Предлагаемая вниманию читателей книга написана по результатам научно-исследовательской и педагогической деятельности автора — одного из ведущих специалистов в области транзисторной импульсной техники. Книга не претендует на полное изложение всех относящихся к данной области вопросов. Автор не включил в нее вопросы, хорошо освещенные в отечественной литературе, например теорию триггеров [21] и мультивибраторов [14). Вместе с тем книга является достаточно полной в том смысле, что, начиная от физических основ полупроводников, автор последовательно приходит к техническому расчету практически применяемых схем.
При анализе схем автор отказывается от распространенного метода формальной аналогии между транзисторными и ламповыми схемами. Все расчетные соотношения непосредственно выводятся путем использования специфических параметров транзисторов, отражающих физику происходящих в них процессов.
В значительной части книги изложены материалы оригинальных исследований автора по типовым импульсным схемам (§ 24, 25, 26 и частично 27, § 33, 34, 35 и 36, гл. V и др.).
Ценность этих разделов заключается не только в том, что в них даются новые и удобные методы анализа и расчета конкретных схем, но также и в том, что эти методы могут быть положены в основу анализа не рассмотренных в книге схем.
Весьма удачно в методическом отношении изложены общие вопросы физики полупроводников и транзисторов (гл. I, II и др.).
Не пользуясь сложным- математическим аппаратом, автор сумел на достаточно высоком научном уровне изложить идеи и представления квантовой механики, которце н$о0$щмы для понимания работы транзисторов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие редактора............... .......3
Глава I. Физические основы работы транзисторов
§ 1. Волновые свойства электронов..............;. 5
§ 2. Дискретность уровней энергии электронов в атоме . . . . . , 7 § 3. Зонная теория уровней энергии электронов в твердом теле ,'/' 9 § 4. Классификация твердых тел. Электроны и дыркн . . . . » , 11
§ 5. Электронная и дырочная проводимости......., . . ; 12~
§ 6. Влияние примесей на проводимость.......... »-''•' 15
§ 7. Принцип действия диода . . '...............18
§ 8. Принцип действия транзистора............ . 20
§ 9. Типы транзисторов................. . . • 23
Глава II. Основные количественные соотношения в транзисторе
§ 10. Полупроводник с одним типом проводимости ....... 25
§ 11. Полупроводник с рп-переходом. Разность потенциалов на переходном слое...................... 28
§ 12. Прохождение тока через полупроводниковый диод . , . . 81
§ 13. Емкость переходного слоя ............., .37
§ 14. Основные соотношения в транзисторе.......... 40
§ 15. Частотно-временные зависимости в транзисторе ...... 50
§ 16. Приближенное определение основных соотношений в тран-
зисторе.............•........... 66
§ 17. Статические характеристики транзистора . . . . . . . .65-
§ 18. Особенности ларактеристик при больших напряжениях и то- ...
ках . . . . )................... . . 71
§ 19. Эквивалентная схема транзистора........... . 76
Глава III. Транзисторы в схемах импульсных усилителей •;,;..
§ 20. Выбор и обеспечение исходного режима транзистора в усилительном каскаде . . . . . . . . . .'........,-~ • 84
§ 21. Температурная стабилизация исходного режима транзистора • ;^ в усилительном каскаде ...........'••'•'*•«*
§ 22. Одиночный реостатный каскад усиления импульсов . . . «.;•»».
§ 23. Промежуточный каскад усиления импульсов . . . , • .• Ч^'МдГ-
§ 24. Многокаскадные реостатные импульсные усилители . . •/%;,§!
§25. Импульсные усилители с эмиттер'ной обратной связью • • i'**** - § 26. Прохождение вершины. Оптимальный выбор сопротивления каскада . . . .....................
§ 27, Эмиттерный повторитель...............' •*
Глава IV. Транзисторы в ключевых каскадах
§ 28, Элементарные ключевые каскады..........• •
§ 29. Обеспечение режима отсечки ключевого каскада . . • • • § 30. Переходные процессы переключения в ключевых каскадах >•
§ 31. Методы ускорения процесса выключения . . ....... 165
§ 32. НенасыщающЬеся ключевые каскады .......... 167
§ 33. Дифференцирующий (укорачивающий) каскад ...... 173
§ 34. Простейший интегрирующий каскад ........... 177
§ 35. Генератор линейного напряжения с эмиттерным повтори-
телем .......... " ............ ... 185
§ 36. Генератор линейно изменяющегося напряжения операцион-
ного типа ....................... 196
§ 37. Логические схемы на транзисторах ........... 205
Глава V. Транзисторы в схемах блокинг-генераторов
§ 38. Некоторые общие свойства блокинг-генератора ...... 213
§ 39. Формирование фронта импульса в блокинг-генераторе . . . 215 § 40. Формирование вершины импульса в блокинг-генераторе . . 222 § 41. Процесс восстановления ................ 229
§ 42. Варианты схем блокинг-генераторов ........... 233
. ............ 242
249
Приложение Литература
Цена: 150руб.
