) Микролитография: В 2-х ч. Ч. 2: Пер. с англ.—М.: Мир, 1990. — 632 с., ил.
ISBN 5—03—001717—8
Книга крупного американского специалиста по сути представляет собой энциклопедию, посвященную микролитографии, материалам для полупроводниковой технологии и вспомогательным технологическим операциям.
Во 2-й части рассматриваются процессы обработки экспонированных резистных структур: проявление, задубливание, травление, методы и возможности безрезистной технологии, методы контроля технологических процессов.
Для специалистов по технологии микроэлектроники, студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специальностей.
Оглавление
Глава 10. Проявление изображений в резисте...........613
10.1. Введение.....................613
10.2. Основные механизмы.............'.'.'. 627
10.3. Чувствительность ПММА и проявление...... 637
10.4. Способы увеличения Я и Ко для ПММА...... . 643
10.5. Диазохинон-новолачные (ДХН) резисты.....! . . 648
10.5.1. Введение.............'....'.'! 648
10.5.2. Моделирование процесса проявления ДХН-резистов . . 653
10.6. Проявление негативных резистов............670
10.7. Сухое проявление...........°. ...... 680
10.7.1. Прямое формирование изображения........681
. 10.7.2. Резисты для плазменного проявления.......686
10.7.3. Плазменное травление без проявления .....'. 691
10.7.4. Перспективы сухого проявления.........691
10.8. Проявление резистов на практике....... 692
Литература................! ... 709
Глава 11. Сушка после проявления (задубливание).........719
11.1. Введение.....................719
11.2. Физико-химические процессы при задубливании..... 723
11.2.1. Адгезия...................726
11.2.2. Плавление.........'..'...'.'.'.'. 728
11.3. Химические реакции в процессе задубливания.......731
11.4. Другие способы отверждения ДХН...........735
11.5. Практическое применение задубливания.........740
11.6. Заключение и перспективы..............743
Литература....................744
Глава 12. Процессы нанесения.................747
12.1. Введение.....................747
12.2. Однослойные резисты для резистной технологии.....752
12.3. ДХН для взрывной литографии............754
12.4. Взрывная литография на пленках ПММА.......765
12.5. Однослойный резист с пологим профилем для взрывной литографии ......................767
12.6. Заключение и перспективы использования однослойных резистов...................... . 768
12.7. Двухслойный резист................. 769
12.7.1. Перенос изображения в двухслойном резисте при проявлении ...................774
12.7.2. Двухслойные фоторезисты............776
12.7.3. Перенос изображения в двухслойном резисте с по-мощью плазменного травления ..........''
Оглавление 1237
12.8. Высокотемпературная взрывная литография........783
12.9. Заключение и перспективы для двухслойных резистов .... 784
12.10. Трехслойные резисты................785
12.10.1. Планаризующие слои.............788
12.10.2. Стопслой (барьерный слой)...........788
12.10.3. Чувствительный слой.............790
12.11. Практическое использование многослойных резистов .... 792
12.12. Осаждение металла и взрывная литография.......801
12.12.1. Профиль резиста с точки зрения взрывной литографии 805
12.12.2. Толщина резиста для взрывной литографии .... 808
12.13. Технологический контроль взрывной литографии......809
12.14. Другие аддитивные процессы нанесения..........814
12.15. Гальваническое осаждение с применением резистов.....814
12.16. Маскирование для ионной имплантации.........818
Литература ....................820
Глава 13. Травление.....................833
13.1. Введение.....................833
13.1.1. Общие принципы кинетики травления.......846
13.1.2. Феноменологический механизм травления......847
13.2. Жидкостное травление................852
13.2.1. Травление SiO2................в52
13.2.2. Смачивание, адгезия и подтравливание ..... 859
13.2.3. Составы и методы первичной обработки......866
13.2.4. Напряжения в резистных пленках.........876
13.3. Пассивация при травлении SiO2...........879
13.4. Травление кремния................ . 881
13.5. Травление многослойных структур...........885
13.6. Травление алюминия.................887
13.6.1. Травители для алюминия............889
13.6.2. Электрохимическое травление..........|97
13.6.3. Заключение.................j^
13.7. Практические аспекты жидкостного химического травления . . °»8
13.8. Отладка процесса жидкостного травления........°^?
13.8.1. Травление орошением и статическое травление .... 905
13.8.2. Другие характеристики травления.........-™°
13.9. Моделирование жидкостного травления.........~~j
13.10. Перспективы жидкостного травления.......... °11
13.11. Введение в газофазное травление............уА
13.12. Травление алюминия................ -Jr?
13.12.1. Введение ,.................™*
13.12.2. Механизмы травления алюминия.........„f?
13.12.3. Селективность травления алюминия.......d4
13.12.4. Загрязнение продуктами реакции и коррозия после за- -вершения травления..............„55
13.12.5. Задубливание резиста.............g^g
13.12.6. Практические аспекты травления алюминия.....?.-
13.12.7. Основные выводы...............„То
13.13. Травление кремния.................„.,,
13.13.1. Введение..................XZX
13.13.2. Газофазное травление.............«?д
13.13.3. Селективность...............—
13.13.4. Профили травления и искажения изображения . . • ri.
13.13.5. Равномерность плазменного травления......
13.13.6. Загрязнения при плазменном травлении .....
13.13.7. Применение плазменной обработки
13.13.8. Эффекты загрузки............. 1011
13.13.9. Скорость травления и регистрация момента окончания травления .............. 1014
13.14. Резюме и перспективы травления........... 1017
Литература................... 1019
Глава 14. Удаление резиста..........__....... 1038
14.1. Введение..................... 1038
14.2. Составы для жидкофазного удаления резиста..... 1042
14.2.1. Составы для снятия резиста на основе органических растворителей ................ 1043
14.2.2. Типичные жидкие средства удаления резиста . . . 1048
14.3. Средства удаления резистов на основе водных растворов . 1050
14.3.1. Кислотные составы.............. 1050
14.3.2. Щелочные составы.............. 1051
14.4. Практические аспекты удаления резистов....... 1052
14.5. Газофазное удаление резистов в плазме........ 1053
14.5.1. Реагенты для плазменного удаления резистов . . . 1054
14.5.2. Реагенты для полимеров............ 1054
14.5.3. Кислородная плазма............. 1057
14.5.4. Поле излучения плазмы............ 1059
14.6. Кинетика удаления резиста............. 1060
14.6.1. Взаимодействие газа с твердым телом...... 1060
14.6.2. Энергия активации удаления резиста...... 1064
14.6.3. Контроль и регулирование плазменного удаления резиста................... 1067
14.6.4. Скорости удаления резистов, структура полимеров . 1069
14.7. Побочные эффекты при плазменном удалении резиста . . 1072
14.7.1. Обнаружение повреждений........... 1073
14.7.2. Предотвращение загрязнений и контроль за ними . . 1077
14.8. Оборудование для плазменного удаления резиста .... 1079
14.9. Другие методы удаления резиста........... 1080
14.10. Применения кислородной плазмы в полупроводниковой литографии ..................... 1081
14.11. Перспективы................. 1082
Литература................... 1083
Глава 15. Контроль технологических процессов......... 1087
15.1. Общее рассмотрение технологических процессов..... 1087
15.2. Автоматизация литографического процесса....... 1099
15.3. Контроль резистных материалов........... 1105
15.4. Контроль обработки резиста............ 1110
15.4.1. Контроль экспонирования........... 1110
15.4.2. Контроль проявления............. 1122
15.4.3. Контроль травления............. 1129
15.5. Устранение затруднений, возникающих при проведении технологического процесса................ 1136
15.6. Заключение................... 1139
Литература................... 1140
Глава 16. Безрезистная технология.............. 1143
16.1. Введение.................... 1НЗ
16.1.1. Элементарное рассмотрение.......... 1149
16.1.2. Энергетические требования при термических и химических процессах............... 1160
16.1.3. Лазерные источники............. И52
16.2. Фотостимулированные реакции на границе газ—твердое тело 1153
16.2.1. Осаждение................. И53
16.2.2. Субтрактивное травление и удаление...... 1161
16.2.3. Заключение по поводу реакций на границе раздела
газ — твердое тело.............. 1163
16.3. Реакции на границе раздела жидкость — твердое тело . . 1163
16.3.1. Осаждение и окисление............ П63
16.3.2. Травление на границе жидкость — твердое тело. . 1168
16.4. Гомофазные реакции в твердом теле......... 1169
16.4.1. Сублимография.............. 1170
16.4.2. Сжигаемые резисты с наполнением....... 1171
16.4.3. Силициды металлов............. 1173
16.4.4. Разложение солей металлов.......... 1174
16.4.5. Генерация травителей из твердофазных исходных . . 1174
16.5. Прямая лазерная обработка............ 1176
16.6. Заключение по поводу фотостимулированных процессов . . 1179
16.7. Электронно-стимулированное структурирование..... 1181
16.7.1. Осаждение с помощью электронных пучков .... 1181
16.7.2. Электронно-стимулированное травление...... 1182
16.8. Ионно-лучевые процессы............. 1185
16.9. Состояние и перспективы безрезистной литографии . . . 1187 Литература................... И89
Глава 17. Состояние и перспективы развития технологии .... 1194
17.1. Литография.................. 1194
17.2. Резистные материалы............... 1199
П.2.1. Позитивные фоторезисты........... 1202
17.2.2. Негативные фоторезисты........... 1205
17.2.3. Позитивные радиационно-чувствительные резисты . . 1206
17.2.4. Негативные радиационно-чувствительные резисты . . 1210
17.2.5. Дополнительные материалы для литографии .... 1212
17.2.6. Общее сравнение резистов.......... 1214
17.3. Технология литографии............... 1214
17.3.1. Техника нанесения покрытий......... 1215
17.3.2. Сушка и задубливание............ 1216
17.3.3. Экспонирование............... 1217
17.3.4. Проявление................. 1220
17.3.5. Процессы удаления материала......... 1221
17.3.6. Дополнительные процессы........... 1222
17.3.7. Снятие резистов............... 1222
17.3.8. Безрезистная технология........... 1223
17.3.9. Технологический контроль........... 1223
17.4. Послесловие................... {225
Литература................... '226
Предметный указатель.............. 1227
Цена: 300руб.
