72
Эквивалентные схемы и параметры полупроводниковых приборов. М., «Энергия», 1973.
96 с. с :илл. (Массовая радиобиблиотека. Вып. 828).
В книге рассматриваются эквивалентные схемы в схемы замещения наиболее распространенных полупроводниковых приборов. Определяются физические (внутренние) параметры и различные системы внешних параметров полупроводниковых приборов. Приводятся конкретные примеры использования эквивалентных схем.
Книга рассчитана на подготовленных радиолюбителей, а также может быть полезной для специалистов, учащихся техникумов в студентов вузов.
еФз
ПРЕДИСЛОВИЕ
В предлагаемой книге в доступной форме .изложены принципы построения уточненных и упрощенных физических схем и схем замещения наиболее широко распространенных полупроводниковых приборов.
Для уяснения смысла физических (внутренних) 'параметров приборов кратко описаны свойства р-п перехода, устройство и принцип действия полупроводниковых диодов и транзисторов. Даны простейшие способы определения внешних параметров и приведены соотношения этих параметров с физическими параметрами и между собой.
Рассмотренные эквивалентные схемы использованы для объяснения статических характеристик, общих и специфических параметров полупроводниковых приборов, а также параметров некоторых элементарных схем, собранных на этих приборах.
Таким образом, предлагаемая книга фактически охватывает все основные вопросы 'полупроводниковой электроники и поэтому может быть использована для начального изучения этого предмета.
(Книга рассчитана на подготовленных радиолюбителей, знакомых с математикой и физикой в объеме средней школы и с простейшим действием высшей математики—дифференцированием. Книга может оказаться также 'полезной для учащихся техникумов и студентов вузов при изучении данного предмета, при выполнении курсовых и дипломных работ.
Автор
ОГЛАВЛЕНИЕ
3
Предисловие •
4 12
I ipv,,!*..-----
Полупроводниковые диоды ........
Основные свойства электронно-дырочного перехода . Устройство и принцип действия полупроводниковых диодов ...............
Общие параметры и эквивалентная схема полупроводникового диода............ 16
Параметры и эквивалентные схемы полупроводниковых
диодов специального назначения ....... .19
Транзисторы..............30
Устройство транзисторов......, . . 30
Принцип действия транзисторов.......32
Эквивалентные схемы транзистора по постоянному току 38 Использование эквивалентных схем транзистора по постоянному току для объяснения статических характеристик транзистора..........40
Параметры транзистора в усилительных схемах ... 48
Частотные параметры транзистора.......
Эквивалентная схема и внутренние (физические) параметры транзистора...........
Внешние (вторичные) параметры транзистора Взаимосвязь внешних и внутренних параметров транзистора ..............
Схемы замещения усилительных каскадов и их параметры 67 Основные параметры предельных режимов транзистора и влияние температуры на параметры транзистора . . 72
Импульсные параметры транзистора...... 73
Специальные полупроводниковые приборы......79
Обращенный и туннельный диоды.......79
Параметры и эквивалентные схемы фотодиодов и фототранзисторов ..........., 81
Полевой (канальный) транзистор.......84
Тиристоры.............89
...... 92
52
56 59
63 67
Приложение
Цена: 150руб.
