'4 Полупроводниковые приборы и микросхемы: Учеб. пособие для сред. ПТУ. — М.: Высш. шк., 1987. — 112с.: ил.
В книге приведены принципы действия, устройство, параметры и назначение полупроводниковых приборов и микросхем. Особое внимание уделено полевым транзисторам и тиристорам, оптоэлектронным приборам, аналоговым и цифровым микросхемам, большим интегральным микросхемам памяти и их применение в микроЭВМ.
В Основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1986-1990 годы и на период до 2000 года указано на необходимость решения главной политической и хозяйственной задачи - всемерного ускорения научно-технического прогресса. Одно из важнейших направлений научно-технического прогресса - развитие электроники, являющейся основой роботизации и компьютеризации производства, построения автоматизированных систем управления оборудованием и технологическими процессами.
Полупроводниковые приборы и микросхемы служат элементной базой электроники и широко используются в самых различных электронных и микроэлектронных устройствах и системах. Сложные автоматизированные системы построены на микросхемах средней (аппаратура третьего поколения) и большой (аппаратура четвертого поколения) степени интеграции. Стоит задача по расширению применения сверхбольших интегральных схем (аппаратура пятого поколения).
"Ускорение научно-технического прогресса предъявляет более высокие требования к общему и профессиональному образованию трудящихся", - отмечается в Программе Коммунистической партии Советского Союза, принятой XXVII съездом КПСС.*
Современный рабочий, деятельность которого связана с электронными и микроэлектронными устройствами, должен хорошо знать принцип действия и возможности использования разнообразных полупроводниковых приборов и микросхем. Число наименований, выпускаемых промышленностью полупроводниковых приборов и микросхем, достигает многих десятков, а число типов (по числу условных обозначений)-- тысяч. Цель настоящего учебного пособия - помочь учащимся средних профессионально-технических училищ ориентироваться в многочисленных полупроводниковых приборах и микросхемах и изучить особенности их работы, получить представление об их применении.
Учебное пособие предназначено для учащихся СП ТУ, готовящих наладчиков технологического оборудования (электровакуумного и полупроводникового), наладчиков-монтажников испытательного оборудования полупроводникового производства, монтажников электромеханических и радиоэлектронных приборов и систем, регулировщиков радиоэлектронной аппаратуры и приборов.
Настоящее учебное пособие знакомит учащихся с основными выпускаемыми промышленностью полупроводниковыми приборами (дио-чами, биполярными и полевыми транзисторами, тиристорами, оптоэлект-эонными приборами) и микросхемами (аналоговыми и цифровыми, в гом числе микросхемами памяти и микропроцессорными), а также с возможностями их применения.
Автор ' XXV" СЪ83Да К°ММунистической партии Советского Союза. М.:
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие..........................................3
Введение............................................4
Глава первая. Электрофизические свойства полупроводников.......6
§ 1. Кристаллическая структура и зонная модель полупроводников. § 2. Носители заряда в полупроводниках. § 3. Перенос носителей заряда в полупроводниках, § 4. Равновесные и неравновесные носители заряда. Полный токе полупроводниках.
Глава вторая. р-n-Переход.............................ц
§ 5. Структура р-л-перехода. § 6. Вольт^амперная характеристика р-п-пе-рехода. § 7. Динамические свойства р-л-перехода. § 8. Методы изготовления Р- п- переходов.
Глава третья. Полупроводниковые диоды...................21
§ 9. Выпрямительные универсальные и импульсные диоды. § 10. Варикапы, стабилитроны и стабисторы. § 11. СВЧ-диоды.
Глава четвертая. Биполярные транзисторы. Тиристоры..........зз
§ 12. Принцип действия, режимы работы и схемы включения транзисторов. § 13. Характеристики и параметры транзисторов. § 14. Работа транзисторов на высоких частотах. § 15. Малосигнальные эквивалентные схемы тран-хсторов. 5 16. Работа транзисторов в ключевом режиме. §17. Виды и применение транзисторов. § 18. Принципы действия, параметры и применение тиристоров.
Глава пятая. Полевые транзисторы........................50
§ 19. Виды полевых транзисторов. § 20. Полевые транзисторы с управляющим р-л-переходом. § 21. МОП-транзисторы. § 22. Параметры, эквивалентные схемы и применение полевых транзисторов.
Глава шестая. Оптоэлектронные приборы...................59
§ 23. Внутренний фотоэффект и электролюминесценция в полупроводниках. § 24. Фотоприемники. § 25. Излучающие полупроводниковые приборы. § 26. Оптроны и оптронные интегральные микросхемы.
Глава седьмая. Интегральные микросхемы..................65
§ 27. Классификация интегральных микросхем. § 28. Элементы полупроводниковых интегральных микросхем на биполярных транзисторах. § 29. Полупроводниковые интегральные микросхемы на МОП-транзисторах. § 30. Гибридные интегральные микросхемы. § 31. Конструктивное оформление интегральных микросхем.
Глава восьмая. Аналоговые интегральные микросхемы..........72
§ 32. Дифференциальные усилители. § 33. Операционные усилители. § 34. Работа операционных усилителей с обратной связью и на высоких частотах. § 35. Применение операционных усилителей. § 36. Цифроаналоговые и аналого-цифровые преобразователи.
Глава девятая. Цифровые интегральные микросхемы............85
§ 37. Логические элементы и их параметры. § 38. Схемотехника логических элементов. § 39. Интегральные логические элементы. § 40 Интегральные триггеры. § 41. Комбинационные и последовательностные логические микросхемы. § 42. Цифровые микросхемы памяти.
Глава десятая. Микропроцессорные комплекты интегральных микросхем ............................................105
§ 43. МикроЭВМ и микропроцессорные комплекты. § 44. Микропроцессор и система его команд. § 45. Микропроцессорный комплект КР580.
Заключение...........................................'1^
Цена: 150руб.
