Предназначена для научных работников и инженеров, имеющих дело с полупроводниками и полупроводниковой технологией, d также для аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
Предисловие редакторов перевода
В течение последнего десятилетия в физике твердого тела наблюдается повышенный интерес к структурно-неупорядоченным системам, а именно .к некристаллическим материалам. Среди многих причин этого явления здесь целесообразно особо выделить следующую: осознание специалистами того факта, что в данной области исследований мы сталкиваемся с рядом принципиально новых физических явлений, иногда имеющих фундаментальное значение для физики твердого тела в це.лом. К ним относятся, например, такие явления, как локализация электронных состояний в случайном поле разупорядоченной атомной «ре- * шетки», прыжковый механизм электронной проводимости, электронный перенос в предельном случае особо сильного рассеяния, • т. е. при длинах свободного пробега порядка межатомного расстояния, новый тип поведения примесей и дефектов структуры, характеризующийся генерацией парных донорно-акцепторных состояний, и ряд других интересных явлений.
Тот факт, что физика структурно-неупорядоченных систем является «плодородным и нераспаханным» полем науки, впервые, по-видимому, был понят академиком А. Ф. Иоффе. Еще в 1948 г. в своем выступлении на Юбилейной сессии АН СССР он поставил задачу проведения исследований в этой области. В дальнейшем А. Ф. Иоффе совместно с А. Р. Регелем широко 'исследовал расплавы электронных полупроводников и показал существование полупроводниковой проводимости в структурно-неупорядоченных системах. Так были открыты жидкие полупроводники. Работы А. Ф. Иоффе и А. Р. Регеля были основополагающими в новой области, и это единодушно признано мировой научной общественностью. Данная книга, так же как и многие Другие обзорные публикации по неупорядоченным системам, начинается именно с упоминания о пионерском вкладе советских ученых.
Под влиянием идей А. Ф. Иоффе быстро развиваются исследования электронных процессов и в другом новом классе структурно-неупорядоченных полупроводников — халькогенид-ных стеклах. Эти новые материалы были открыты советскими учеными Б. Т. Коломийцем и Н. А. Горюновой, Позднее
Оглавление
Предисловие редакторов перевода .................. 5
Предисловие автора к русскому изданию.............. 8
Предисловие ............................. -9
Глава 1. Введение......................... 13
Глава 2. Экспериментальные данные о физических свойствах .... 20
§ 1; Электропроводность .................... 20
§ 2. Термо-э.д.с......................... 32
ч § 3. Эффект Холла....................... 35
§ 4. Теплопроводность и показатель термоэлектрической эффективности ... ............. .......... 41
§ 5. Магнитная восприимчивость ................ 45
Глава 3. Физико-химические и металлургические свойства ...... 49
§ 1. Химическая область систем жидких полупроводников ... 49
§ 2. Плотность.......................... 53
§ 3. Вязкость......................... w
§ 4. Термохимические данные.................. 58
§ 5. Дифракция рентгеновских лучей и дифракция нейтронов ... 67
Глава 4. Экспериментальные методы . ................ 73
§ 1. Методы высокотемпературных исследований ......... 74
§ 2. Удельное электрическое сопротивление........... 74
§ 3. Тормо-э.д.с.......................• • 76
§ 4. Эффект Холла....................... 78
§ 5. Общие проблемы...................... «9
Глава 5. Электронная структура жидких полупроводников ..... 82
§ 1. Металлическая модель............'.......... 84
§ 2. Модель искаженного кристалла............... 8&
§ 3. Модель молекулярных связей....... . ;...... 87
§ 4. «Хвосты> плотности состояний и локализация Андерсона . . 94
Глава 6. Интерпретация измерений..............~. . . 97
§ 1. Термоэлектрические явления................ 98
§ 2. Эффект Холла....................... 106
§ 3. Перенос тепла....................... 108
• § 4. Магнитные свойства.................... Ill
§ 5. Оптические свойства.................... 118
Глава 7. Сплавы Т1—Те....................... 122
§ 1. Область М-типа: 2/3<*<0,7............... 123
§ 2. Переход металл—полупроводник в Т1—Т12Те........ 134
§ 3, Область S-типа: *<2/3................... 148
§ 4. Псевдощель........................ 162
§ 5. Магнитные свойства.................... 169
§ 6. Чистый теллур....................... 173
а
Глава 8. Другие сплавы....................... 179
§ 1. Общие свойства ..'.................... 179
§ 2. Сплав Mg—Bi и аналогичные сплавы.......... . 188
§ 3. Сплавы Ag—Те .....*................. 193
§ 4. Сплавы Си—Те...................... 197
§ 5. Сплавы In—Те и Ga—Те.................. 202
§ 6. Сплавы Se—Те....................... 210
§ 7. Сплавы Т1—S и Т1—Se.................. 220
§ 8. Сплав AszSes и близкие к нему сплавы........... 227
Приложение А. Феноменологические выражения для a, S и хе. . . . 232
Приложение Б. Интегралы Ферми—Дирака и расчет явлений переноса 234
Б1. Интегралы Ферми—Дирака................. 234
Б2. Подгонка кривых...................... 235
БЗ. Модель с порогом подвижности.............. 236
Б4. Программы для ЭВМ...... . ............ 239
Приложение В. Теория равновесия связей.............. 241
81. Теория молекулярного равновесия для Т1—Те ....... 241
82. Метод равновесия связей.................. 244
83. Модель независимых связей для Se—Те.......... 244
Литература.............................. 247
Цена: 150руб.
