Книга рассчитана на специалистов в области полупроводниковой технологии, радиационной физики полупроводников и полупроводниковых приборов, физики твердого тела, а также на аспирантов и студентов соответствующих специальностей.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие редактора.................. . 7
Предисловие к русскому изданию...............9
Предисловие авторов к английскому изданию...........12
Глава 1. Основные особенности ионного внедрения........13
§ 1. Распределение пробегов................ 15
§ 2. Разупорядочение решетки............... 17
§ 3. Локализация атомов примеси и электрические свойства легированных слоев . .................. 18
§ 4. Применение метода ионного внедрения при изготовлении полупроводниковых приборов................ 21
Глава 2. Пробеги и распределение пробегов внедренных атомов .... 22
§ 1. Введение...................... 22
§ 2. Экспериментальные методы исследования распределений пробегов 27
§ 3. Распределение пробегов в аморфных мишенях....... 31
§ 4. Распределение пробегов в монокристаллах......... 52
§ 5. Ускоренная диффузия................. 74
Глава. 3. Разупорядочение решетки и радиационные повреждения . . 81
§ 1. Введение...................... 81
§ 2. Теоретические соображения............... 82
§ 3. Экспериментальные методы............... 92
§ 4. Экспериментальные данные и их анализ.......... 115
§ 5. Сравнение с облучением быстрыми нейтронами....... 138
Глава 4. Положение внедренных атомов в кристаллической решетке . .146
§ 1. Введение......................146
§ 2. Метод, основанный на эффекте каналирования.......146
§ 3. Общий обзор экспериментальных данных о положении атомов
в решетке......................170
§ 4. Подробные данные о положении примесных атомов в решетке . 179 § 5. Факторы, влияющие на положение внедренных атомов в решетке 198
Глава 5. Измерения проводимости и эффекта Холла в кремнии .... 204 Глава написана совместно с О. Маршем
§ 1. Введение...........,..........204
§ 2. Интерпретация результатов измерения эффекта Холла . . . .211 § 3. Подвижность носителей и энергия ионизации примесных атомов 218
§ 4. Характеристики отжига................223
§ 5. Диффузионные эффекты................241
§ 6. Предельные электрические характеристики ивнно-легированных
слоев .......................244
§ 7. Исследование необычных легирующих элементов......247
Глава 6. Применение ионного легирования в полупроводниковой электронике .......................251
Р. Бауэр
§ 1. Введение...................... 251
§ 2. Свойства легированных слоев, полученных ионным внедрением . 252 § 3. Применение ионного внедрения в пленарной технологии . . . 257 § 4. Применение ионного внедрения для создания приборов, изготавливаемых не по планарной технологии..........272
§ 5. Выводы относительно применения метода ионного внедрения при
изготовлении приборов .........-.......276
§ 6. Заключение.....................278
Приложение. Каналирование частиц с малыми Z и энергией порядка нескольких мегаэлектронвольт в кристаллах с решеткой типа
алмаза ....................279
§ 1. Введение......................279
§ 2. Эксперимент ................... 280
§ 3. Теория.......................'282
§ 4. Сравнение теории г экспериментом.......•.....284
Литература....................... . 288
ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА
В монографии Дж. Мейера, Л. Эриксона и Дж. Дэвиса систематизированы результаты экспериментальных и теоретических исследований ионного внедрения в полупроводниках (кремний, германий) по состоянию на конец 60-х годов. Опубликованные' ранее в зарубежной и отечественной литературе обзоры по этой проблеме принесли большую пользу, но по охвату материала они носят более ограниченный характер, чем предлагаемая монография (в частности, приведенные в них экспериментальные данные относятся почти исключительно к кремнию), и не могут полностью удовлетворить запросы все расширяющегося круга читателей.
Развитие исследовательских работ в области ионного внедрения в последние годы во многом стимулировалось их большим прикладным значением для полупроводниковой микроэлектроники. В настоящее время метод ионного легирования достаточно широко применяется в производстве ряда полупроводниковых приборов и интегральных твердых схем для повышения быстродействия, радиационной стойкости и воспроизводимости характеристик выпускаемых приборов. Быстрое внедрение ион-но-лучевого метода в промышленное производство стало возможным благодаря интенсивной разработке физических основ этого метода учеными ряда стран. Большой вклад в изучение физических процессов при ионном внедрении внесли и авторы предлагаемой монографии.
Проф. Дж. Мейер известен своими исследованиями электрических свойств тонких ионно-легированных слоев с резко неоднородным распределением концентрации носителей заряда. Дж. Мейер и Л. Эриксон одними из первых продемонстрировали возможность определения положения внедренных атомов в решетке и степени разупорядоченности ионно-легированного слоя путем измерения эффекта каналирования легких ионов (Н+, Не+). Эта методика в сочетании с электрическими измерениями позволила установить корреляцию между положением внедренных атомов примеси в кристалле и электрическими характеристиками ионно-легированного слоя, изучить зависимость этих характеристик от степени разупорядоченности решетки. Этим вопросам в монографии вполне заслуженно уделено наибольшее внимание. В конце книги дан краткий обзор практических применений метода ионного внедрения в технологии полупроводниковых приборов.
Следует отметить, что благодаря непрерывному прогрессу наших знаний о процессе ионного внедрения за время, про-
Цена: 150руб.
