352 с. с илл.
На обороте тит. л. авт. Н. Н. Горюнов, А Ю. Клейман, Я- А. Толкачева
Приведены электрические параметры, предельные эксплуатацией ные данные и характеристики отечественных серийно выпускаемых по лупроводниковых диодов и транзисторов широкого применения.
Дани рекомендация по эксплуатации, а также по общим вопросам конструирования надежной аппаратуры на полупроводниковых приборах. Справочник предназначен для широкого круга специалистов по радиотехнике и электронике, занимающихся разработкой радпоэлект ровной аппаратуры на полупроводниках.
СОДЕРЖАНИЕ
Предисловие
Часть первая
ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, ИХ ИЗМЕРЕНИЕ И РЕКОМЕНДАЦИИ ПО ПРИМЕНЕНИЮ
Раздел первый Классификация и системы обозначений полупроводниковых приборов ...........
1-1. Устройство полупроводниковых приборов .......
1-2. Системы классификации полупроводниковых приборов . . 1-3. Системы' обозначений полупроводниковых приборов , . s
Раздел второй. Характеристики и параметры диодов ....
9 14 14
19
2-1. Классификационные параметры диодов ..... . » » 19
2-2. Вольт-амперные характеристики диодов ........ 19
2-3. Параметры выпрямительных диодов ......... 20
2-4. Параметры высокочастотных диодов ......... 21
2-5. Параметры импульсных диодов ......... , . 21
2-6. Параметры стабилитронов ............ . 23
2-7. Параметры переключающих (четырехслойных) диодов . . 23
2-8. Параметры варикапов ....... , ....... 24
2-9. Параметры туннельных диодов ........... -. 25
Раздел т р г г м и. Характеристики и параметры транзисторов . . 27
3-1. Классификационные параметры транзисторов ...... 27
3-2. Вольт-амперные характеристики транзисторов ..... 27
3-3. Параметры постоянного тока ..... ....... 29
3-4. Параметры малого сигнала ...... ....... 29
3-5. Параметры большого сигнала ... ........ 32
3-6. Основные параметры предельных режимов работы тран-
зисторов .................... 34
3-7. Тепловые параметры диодов и транзисторов и способы от-
вода тепла .................... 34
3-8. Общие технические требования к диодам и транзисторам 39
Раздел четвертый. Методы измерения электрических парамет-
ров диодов и транзисторов ....... 42
4-1. Общие замечания ................ 42
4-2. Измерения основных параметров диодов ....... 44 '
4-3. Измерения основных параметров транзисторов ..... 52
Раздел пятый. Общие рекомендации по применению полупровод-
никовых приборов ............. 73
5-1. Эксплуатационные особенности полупроводниковых при-
боров ...................... 73
Б-2. Правила установки и крепления полупроводниковых при-
боров в аппаратуре . ; ..... , . ....... , 80
Часть вторая
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Раздел шестой Диоды выпрямительные........... 83
6-1. Диоды германиевые сплавные Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д,
Д7Е, Д7Ж .................... 83
6-2. Диоды кремниевые сплавные Д202, Д203, Д204, Д205 . . 88 6-3. Диоды кремниевые сплавные Д206 Д207, Д208, Д209,
Д210, Д211 .................... 91
6-4. Диоды кремниевые сплавные Д217, Д218........ 93
6-5. Диоды кремниевые сплавные Д226Б, Д226В, Д226Г, Д226Д 95 6-6. Диоды кремниевые сплавные Д242, Д242А, Д242Б, Д243, Д243А, Д243Б, Д244, Д244А, Д244Б, Д245, Д245А, Д245Б,
Д246, Д246А, Д246Б, Д247, Д247В, Д248Б........ 97
6-7. Диоды германиевые сплавные Д302, Д302А, ДЗОЗ, ДЗОЗА,
Д304, Д305.................... 100
6-8. Диоды (столбы) кремниевые Д1004, Д1005А, Д1005Б,
Д1006, Д1007, Д1008................. ЮЗ
6-9. Диоды (столбы) кремниевые Д1009, Д1009А, Д1010, Д10ША,
Д1011А ..................... 106
6-10. Диоды (блоки) кремниевые выпрямительные КЦ401А,
КЦ401Б ....................: 109
6-11. Диоды кремниевые сплавные КД202А, КД202Б, КД202В,
КД202Г, КД202Д, КД202Е, КД202Ж, КД202И, КД202К,
КД202Л, КД202М, КД202Н, КД202Р, КД202С...... НО
6-12. Диоды кремниевые КД102.............. 114
Раздел седьмой. Диоды высокочастотные.......... 116
7-1. Диоды германиевые точечные Д2Б. Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е,
Д2Ж, Д2И.................... 116
7-2. Диоды германиевые точечные Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е,
Д9Ж. Д9И. Д9К. Д9Л............... 120
7-3. Диоды германиевые точечные Д10, Д10А, Д10Б...... 126
7-4. Диоды германиевые точечные Д11, Д12, Д12А, Д13.
Д14, Д14А .................... 129
• 7-5. Диоды кремниевые точечные Д101. ДЮ1А, Д102, Д102А,
ДЮЗ, ДЮЗА.................... 134
• 7-6. Диоды кремниевые точечные Д104, Д104А, Д105, Д105А,
Д106, Д106А.................... 136
• 7-7. Диоды кремниевые микросплавные Д223. Д223А, Д223Б . 137
• 7-8. Диоды германиевые ГД402А. ГД402Б......... 138
Раздел восьмой. Диоды импульсные........... , 141
8-1. Диод германиевый точечный Д18............ 141
8-2. Диод германиевый точечный Д20........... 143
8-3. Д;годы кремниевые сплавные Д219А, Д220, Д220А. Д220Б . 145
• 8-4. Диод кремниевый сплавной Д219С ......... . 148
8-5. Диод германиевый Д310............... 149
8-6. Диоды германиевые меза Д311, Д311А, Д311Б . , , « . 151
8-7. Диоды германиевые меза Д312, Д312А, Д312Б ..«.-. 158
8-8. Диод германиевый ГД507А........... , , . 162
8-9. Диоды кремниевые КДЮЗА, КДЮЗБ......., , . 163
8-10. Диоды кремниевые меза КД503А, КД503Б ...«,., 165
Раздел девятый. Стабилитроны.............. 169
9-1. Стабилитроны кремниевые КС156А, КС168А...... 169
9-2. Стабилитроны кремниевые Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 . 172 9-3. Стабалитроны кремниевые Д814А, Д814Б, Д814В, Д814Г,
Д814Д :................... 176
9-4. Стабилитроны кремниевые Д815И, Д815ИП, Д815А, Д815АП, Д815Б, Д815БП, Д815В. Д815ВП, Д815Г, Д815ГП, Д815Д, Д815ДП, Д815Е, Д815ЕП, Д815Ж, Д815ЖП, Д816А, Д816АП, Д816Б, Д816БП, Д816В, Д816ВП, Д816Г. Д816ГП, Д816Д, Д816ДП, Д817А. Д817АП. Д817Б, Д817БП, Д817В, Д817ВП, Д817Г, Д817ГП, КС620А, КС620АП, КС630А, КС630АП,
КС650А, КС650АП, КС680А, КС680АП......... 180
9-5. Стабилитроны кремниевые Д818А, Д818Б. Д818В, Д818Г . 183 9-6. Стабилитроны кремниевые КС133А. КС139А. КС147А ... 187
Раздел десятый. Диоды переключающие ...;...••• '90
10-1. Диоды кремниевые переключающие управляемые (тиристоры) КУЮ1А. К.УЮ1Б, КУ101Г, КУ101Ё....... 190
10-2. Диоды кремниевые переключающие управляемые (тиристоры) КУ201А, КУОТ1Б, КУ201В, КУ201Г, КУ201Д. КУ201Е, КУ201Ж, КУ201И, КУ201К, КУ201Л.......... 191
Раздел одиннадцатый. Варикапы............ '95
11-1 Варикапы кремниевые Д901А, Д901Б, Д901В, Д901Г,
Д901Д, Д901Е................... J95
11-2. Варикап кремниевый Д902............ • 19'
Раздел двенадцатый. Диоды туннельные......* • . '99
12-1. Диоды германиевые туннельные ГИ304А, ГИ304Б . . , . 194 12-2. Диоды германиевые туннельные ГИ305А. ГИ305Б .... 200 12-3. Диоды германиевые обращенные ГИ401А. ГИ401Б .... 202 12-4. Диоды туннельные из арсенида галлия АИ101А, АИ101Б. АИ101В, АИ101Д, АИ101Е, АИ101И, АИ201А, АИ201В, АИ201Г, АИ201Е, АИ201Ж, АИ201И, АИ201К, АИ201Л ... 204 12-5. Диоды туннельные из арсенида галлия АИ301А, АИ301Б,
АИ301В, АИ301Г.................. 206
Часть третья
СПРАВОЧНЫЕ ДАННЫЕ ТРАНЗИСТОРОВ
Раздел тринадцатый. Транзисторы малой мощности низкочастотные ........... 208
13-1. Транзисторы германиевые сплавные МП20А, МП20Б,
МП21В, МП21Г, МП21Д, МП21Е............ 208
13-2. Транзисторы германиевые сплавные МП25, МП25А, МП25Б,
МП26, МП26А, МП26Б............... 210
13-3. Транзисторы германиевые сплавные П27, П27А, П28 .... 221 13-4. Транзисторы германиевые сплавные МП35, МП36А, МП37,
МП37А, МП37Б, МП38, МП38А........... 225
13-5. Транзисторы германиевые сплавные МП39, МП39Б, МП40,
МП40А, МП41, МП41А............... 231
13-6. Транзисторы германиевые сплавные П42, П42А, П42Б . . 234 13-7. Транзисторы кремниевые сплавные МП111, МП1ПА,
МП112, МППЗ, МП113А............... 236
13-8. Транзисторы кремниевые сплавные МП114, МП115, МП116 238 13-9. Транзисторы германиевые сплавные ГТ108А, ГТ108Б,
ГТ108В, ГТ108Г.................. 246
13-10. Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные ГТ109А,
ГТ109Б, ГТ109В, ГТ109Г, ГТ109Д, ГТ109Е, ГТ109Ж, ГТ109И 243 Раздел четырнадцатый. Транзисторы малой мощности средне-частотные .......... 258
14-1. Транзисторы германиевые сплавные П29, П29А, ПЗО . . 253
Раздел пятнадцатый. Транзисторы малой мощности высокочастотные и сверхвысокочастотные . . 258 15-1. Транзисторы германиевые диффузионные П401, П402,
П403, П403А.................... 258
15-2. Транзисторы германиевые диффузионные П414, П414А,
П414Б, П415, П415А, П415Б............. 260
15-3. Транзисторы германиевые диффузионные П416, П416А,
П416Б...................... 266
15-4. Транзисторы германиевые диффузионные П422, П423 . . 268 15-5. Транзисторы германиевые диффузионные ГТ308А, ГТ308Б,
ГГ308В . . ..... ........... 2-69
15-6. Транзисторы германиевые диффузионные ГТ309А, ГТ309Б,
ГТ309В, ГТ309Г, ГТ309Д, ГТ309Е........... 275
15-7 Транзисторы гермаш*евые диффузионно-сплавные ГТ310А,
ГТ310Б, ГТ310В, ГТ310Г, ГТ310Д, ГТ310Е . ....... 279
15-8. Транзисторы германиевые диффузионные ГТ320А. ГТ320Б,
ГТ320В ..................... 280
15-9. Транзисторы германиевые конверсионные ГТ321А, ГТ321Б,
ГТ321В, ГТ321Г, ГТ321Д. ГТ321Е........... 284
15-10. Транзисторы германиевые сплавно-диффузионные ГТ322А,
ГТ322Б, ГТ322В, ГТ322Г, ГТ322Д, ГТ322Е....... 286
15-11, Транзисторы кремниевые диффузионные К.Т301, КТ301А.
КТ301Б, KI30IB, КТ301Г, КТ301Д, КТ301Е, КТ301Ж . . ^92
15-12. Транзисторы германиевые сплавно-диффузионные, мезг
ГТ313А, ГТ313Б.............. 397
Раздел шестнадцатый. Транзисторы средней мощности сред-
нечастотные........... ^99
16-1 Транзисторы германиевые конверсионные П601И, П601А,
П601Б, П602И, П602АИ............... 299
16-2. Транзисторы германиевые конверсионные П605, П605А,
П606, П606А.................,; . . J01
16-3. Транзисторы германиевые сплавные ГТ403А, ГТ403Г-
ГТ-103В, ГТ403Г. ГТ403Д. ГТ403Е, ГТ403Ж, ГТ403И .... 308
Раздел семнадцатый. Транзисторы средней мощности высокочастотные ............ 311
17-1. Тралзисюры германиевые конверсионные П607, П607Л
П608, П608А, П608Б, П609, П609А, П609Б........ 311
17-2. Транзисторы кремниевые диффузионные KT60I..... 320
Раздел восемнадцатый. Транзисторы большой мощности низкочастотные .......... 322
18-1. Транзисторы германиевые сплавные П210Б, П210В .... 322 18-2. Транзисторы германиевые сплавные П213, П213А, П213Б,
П214, П214А, П214Б, П214В, П214Г, П215....... 323
18-3. Транзисторы германиевые сплавные П216Б, П216В, П216Г,
П216Д, П217В, П217Г................ 326
18-4. Транзисторы кремниевые сплавные П302, ПЗОЗ, ПЗОЗА,
П304, П306, П306А................. 327
18-5. Транзистор германиевый сплавной ГТ701А....... 333
Раздел девятнадцатый. Транзисторы большой мощности сред-
нечастотные.......... 337
19-1. Транзисторы кремниевые сплавные П701, П701А, П701Б . 337
19-2. Транзисторы кремниевые КТ801А. КТ801Б....... 339
19-3 Транзистор кремниевый мезапланарпый КТ802А..... 341
19-4. Транзисторы кремниевые диффузионные КТ805А, КТ805Б . . 343
Приложение :::::............,......, 347
Алфавитный указатель : :........,....,....* ^49
ПРЕДИСЛ ОВИЕ
В настоящее время выпускается широкий ассортимент полупроводниковых приборов, применение которых позволяет создать экономичную по питанию, малогабаритную и с высокой эксплуатационной надежностью радиоаппаратуру.
Однако конструкторам и разработчикам аппаратуры надо внимательно учитывать следующие специфические свойства диодов и транзисторов: большой технологический разброс величин основных параметров, их сильную зависимость от температуры и режима работы, существенный дрейф параметров во время работы или хранения и, наконец, чувствительность к перегрузкам по напряжению, току или мощности, ведущую к пробою и порче диодов и транзисторов.
Для преодоления разброса величин параметров и их дрейфа во времени при разработке схем следует:
выбирать такие схемы, выходные параметры которых определялись бы наименьшим числом стабильных, обязательно гарантируемых техническими условиями и контролируемых в произ водстве параметров;
применять оптимальное согласование каскадов усиления;
использовать глубокие отрицательные обратные связи;
стабилизировать рабочий режим по постоянному току.
Для практической реализации этих принципов появилось несколько способов расчета схем: по методу наихудшего сочетания величин параметров, вероятностно-статистический и др. Конечная цель любого из этих методов — добиться серийнопригодности и надежности разрабатываемых узлов аппаратуры. Серийнопри-годпостыо схемы на полупроводниковых приборах называется ее свойство сохранять основные выходные параметры в установленных границах при изготовлении ее из серийных элементов без какого-либо подбора или дополнительной регулировки. Серийно-пригодность схемы необходима при организации массового выпуска аппаратуры на диодах и транзисторах.
В прошлом некоторые конструкторы пренебрегали отмеченными выше принципами разработки схем и пытались решить задачу путем так называемого отбора полупроводниковых приборов, параметры которых лежат в каких-то необходимых узких пределах, не предусмотренных ТУ. Такой отбор приводил к снижению надежности аппаратуры, повышению трудоемкости и себестоимости изготовления и практически исключал возможность ее ремонта. Ориентация на отбор затрудняет комплектацию аппаратуры полупроводниковыми приборами и наносит большой ущерб экономической эффективности производства.
Цена: 150руб.
