В48 Электронные приборы. Учебник для техникумов связи. М., «Связь», 1977. 288 с. с ил.
В книге изложены физические основы теории электропроводности полупроводников и контактные явления в них, принцип работы, устройство, характеристики и параметры основных типов полупроводниковых диодов, транзисторов и интегральных микросхем, электронных ламп и электроннолучевых трубок, фотоэлектрических приборов. Основное внимание уделяется полупроводниковым приборам и интегральным микросхемам.
Книга предназначена в качестве учебника по курсу «Электронные
ПРЕДИСЛОВИЕ
Содержание предлагаемого учебника соответствует программе курса «Электронные приборы». В книге освещаются физические основы теории электропроводности полупроводников и контактные явления в них, принцип работы, устройство, характеристики и параметры основных типов полупроводниковых диодов, транзисторов, электронных ламп, газоразрядных и фотоэлектрических приборов и электроннолучевых трубок. Основная цель книги — научить читателя пользоваться справочной литературой, ознакомить его с основными электрическими параметрами номинального и предельного режимов работы, т. е. с параметрами, характеризующими пригодность использования соответствующего электронного прибора в том или ином радиоэлектронном устройстве, с особенностями работы транзисторов и электронных ламп с нагрузкой, со способами определения по статическим характеристикам основных параметров, а также с эквивалентными схемами. Большое внимание в учебнике уделяется полупроводниковым приборам как наиболее перспективным.
Автор выражает глубокую признательность рецензентам Т. Н. Дементьевой и Л. М. Мартынову за ценные замечания, способствующие улучшению книги.
Автор с благодарностью примет пожелания и замечания читателей, которые следует направлять в издательство «Связь»: 101000, Москва-центр, Чистопрудный бульвар, д. 2.
Автор
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Предисловие . -.......... 3
• Введение............... 4
Глава 1. Электропроводность полупроводников. Основные
понятия ....... ..... 9
1.1. Электропроводность твердого тела...... 9
1.2. Типы электропроводности полупроводников .... 14
1.3. Распределение носителей заряда по зонам и их концентрация в полупроводниках ......... 21
1.4. Удельная электропроводность........ 25
1.5. Неравновесные носители заряда и их эффективное время жизни.............. 28
1.6. Дрейфовые и диффузионные токи. Уравнение непрерывности .............. 30
1.7. Термисторы и варисторы ........ 31
Глава 2. Электронно-дырочный переход ..... 31
2.1. Плоскостной р-п-переход......... 31
2.2. Эффект выпрямления. Толщина р-/г-псрехода ... 35
2.3. Вольт-амперная характеристика....... 39
2.4. Дифференциальные сопротивления и емкости ... 43
2.5. Явление пробоя........... 45
2.6. Типы переходов........... 47
2.7. Методы изготовления р-я-переходов..... 51
Глава 3. Полупроводниковые диоды '...... 57
3.1. Классификация. Основные характеристики и параметры , 57
3.2. Выпрямительные диоды , ..... 59
3.3. Импульсные диоды.......... . 69
3.4. Полупроводниковые стабилитроны...... 75
3.5. Варикапы............. 79
3.6. Сверхвысокочастотные диоды........ 80
3.7. Туннельные диоды........... 83
Глава 4. Транзисторы........... 87
4..1. Общие сведения. Устройство транзистора ..... 87 (4.2ГЮсновные процессы в плоскостном бездрейфовом тран-
v" зисторе.............. 89
4.3, Токи транзистора........... "'
4:4. Модуляция толщины базы...... 93
4.5. Коэффициент передачи тока эмиттера ..... 94
4.6. Дифференциальные сопротивления и емкости 9°
4.7. Схемы включения . ........ "
9SK
Стр.
' 4.8. -Статические характеристики. Коэффициент передачи тока
базы............... 100
4.9. Т-образные эквивалентные схемы для переменных составляющих сигнала.....,......107
4.10. Транзистор как четырехполюсник......109
4.П."Зависимость параметров от режима работы и температуры
.. аетров от частоты . . . . , 116
4.13. Дрейфовые транзисторы.......... 122
4.14. Работа с нагрузкой.......... 127
4.15. Работа в импульсном режиме....... 131
4.16. Шумы .
____,.,„........... . Щ
4.17. Электрические параметры и классификация . . . 135
4.18. Технологические методы изготовления и конструктивное исполнение ..... ....... 139
Глава 5. Полевые транзисторы и тиристоры ... . 146
5.1. Полевые транзисторы с управляющим р-я-переходом . 146
5.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором . . 151
5.3. Параметры и эквивалентные схемы полевых транзисторов 157
5.4. Тиристоры ... ......., . 161
Глава 6. Интегральные .микросхемы ... ... 166
6.1. Задачи микроэлектроники. Разновидности интегральных микросхем ....... ... 166
6.2. Полупроводннкопые интегральные микросхемы ... 181
6.3. Гибридные интегральные микросхемы . . ... 181
6.4. Конструктивное исполнение ....... 188
6.5. Классификация и электрические параметры .... 191 6.G. Большие интегральные схемы и функциональные приборы 193
191 193
. ., ч LJ ч I. ^>«и.-)\1ринные лампы........ 196
7.1. Общие сведения ... . ...... 198
7.2. Электронная эмиссия......... 198
7.3. Катоды электронных ламп ... . ... 199
7.4. Диод..... ....'.... 202
7.5. Триод ... . ........ 207
7.6. Работа лампы с нагрузкой. Эквивалентные схемы и входная проводимость ........... 215
7.7. Экранированные лампы......... 219
7.8. Комбинированные и частотопреобразовательные лампы. Электронносветовые индикаторы....... 222
7.0. Генераторные и модуляторные лампы . . . . 231
7.10. Приборы СВЧ.........! . . 234
Глава 8. Газоразрядные приборы ... ... 238
8.!. Общие сведения........... 238
8.2. Газоразрядные приборы с накаливаемым катодом . . 241
8.3. Газоразрядные приборы с холодным катодом . . . 244 Глава 9. Электроннолучевые трубки ...... 247
9.1. Общие сведения........... 247
9.2. Осциллографические трубки . . ...... 248
9.3. Другие виды электроннолучевых трубок..... 262
Стр.
Глаза 10 Фотоэлектрические приборы ...... 264
1J.1. Разнопадиости фотоэлектрических приборов
Основные фотометрические единицы . .... 2Ff
10.2. Фотодиоды............. '^
10.3 Фототранзиеторы........... 27!
10.4. .Фотоэлементы и фотоэлектронные умножители . . 274 Приложение !. Система обозначений полупроводниковых приборов ........'...... 278
Приложение 2. Основнь'е параметры ряда полупроводниковых
приборов............ 279
Предметный yi-азнтель . . . 283
Список литературы............ 28д
Цена: 150руб.
