Полупроводниковые интегральные схемы памяти благодаря постепенному увеличению информационной емкости и, как следствие, снижению стоимости к середине 70-х годов заняли доминирующее положение в качестве элементной базы запоминающих устройств. К настоящему времени полупроводниковые ЗУ получили широкое распространение в различных устройствах вычислительной техники и автоматики. Современный уровень полу^ проводниковой технологии позволяет создавать большие интегральные схемы ЗУ (БИС ЗУ) ем-. костью до 4 млн. бит в корпусе. Для сравнения можно отметить, что распространенные до появления полупроводниковых ЗУ ферритовые устройства емкостью в несколько миллионов бит занимали объем стойки. С появлением БИС ЗУ высокой интеграции открылась возможность реализации запоминающих устройств емкостью в несколько гигобайт. . Наряду с повышением степени интеграции БИС ЗУ наблюдается устойчивая тенденция повышения их быстродействия — время выборки приближается к пикосекундному диапазону.
Большинство выпускаемых промышленностью БИС ЗУ являются адресными с произвольной выборкой, обращение к которым производится по произвольно заданному номеру адреса. Такие схемы можно объединять, получая заданную емкость памяти. Существуют два больших класса полупроводниковых ЗУ: оперативные и постоянные.
К оперативным относятся ЗУ, выполняющие операции записи и считывания информации приблизительно за одинаковое время. Эти ЗУ по области применения можно условно разделить на три основных типа: средней емкости умеренного быстродействия, высокого быстродействия и боль: шой емкости.
Устройства средней информационной емкости
3
Оглавление
Введение .................. 3
Г л а в а 1----------------------------------------------------------------
Статические ОЗУ 1.1. Статические БИС ЗУ среднего
среднего быстродействия быстродействия ...... 6
1.2. Организация ОЗУ..... 22
1.3. Особенности проектирования
ОЗУ.......... 25
1.4. Контроль ОЗУ....... 36
1.5. Практический расчет модуля
ОЗУ среднего быстродействия . 50
1.6. Основные направления развития ОЗУ среднего быстродействия ........... 52
Вопросы для самопроверки .... 54
Г л а в а 2 --------------------------------------------------------
Сверхбыстродействующие 2.1. Область применения СОЗУ . 55 ОЗУ 2.2. Статические БИС ЗУ высокого
быстродействия ........ 56
2.3. Линии связи в СОЗУ . . . . 68
2.4. Организация СОЗУ..... 75
2.5. Особенности проектирования СОЗУ.......... 81
2.6. Контроль СОЗУ...... 89
2.7. Перспективы развития СОЗУ 91 Вопросы для самопроверки .... 93
Г л а в а 3 -------------------------------------¦--------------------------
Динамические ОЗУ 3.1. Область применения ОЗУ ... 94
3.2. Динамические БИС ЗУ ... . 95
3.3. Организация динамических ОЗУ 107
3.4. Особенности проектирования динамических ОЗУ...... 112
3.5. Надежность динамических ОЗУ 120
3.6. Контроль динамических ОЗУ 126
3.7. Практический расчет динамического ОЗУ........ 130
3.8. Перспективы развития динамических ОЗУ........ 133
Вопросы для самопроверки .... 135
159
Глава 4---------------------------------------------------------
Постоянные 4.1. Область применения .... 136
запоминающие устройства 4.2. Классификация БИС ПЗУ . 138
4.3. Масочные ПЗУ ....... 142
4.4. Программируемые постоянные запоминающие устройства . . 146
4.5. Репрограммируемые ПЗУ . . . 149
4.6. Тенденции развития постоянных запоминающих устройств . . . 152
Вопросы для самопроверки .... 155
Заключение.................... 156
Цена: 100руб.
