Настоящий практикум предназначен для студентов, специализирующихся в области полупроводниковой электроники. Его целью является не только закрепить теоретические сведения по соответствующим курсам, но также ознакомить студентов с методами исследования и измерения параметров полупроводниковых материалов и приборов, с общими принципами построения установок для проведения экспериментальных исследований как в области физики и технологии полупроводников, так и в области физики полупроводниковых приборов и их применения.
В каждом разделе описанию лабораторных работ предшествуют довольно подробные теоретические данные. Это позволит студентам выполнять лабораторные работы даже до прочтения соответствующих разделов лекционных курсов. Впервые лабораторный практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам был издан в 1962 г. преподавателями кафедры «Полупроводниковые приборы» Московского ордена Ленина энергетического института. Данный практикум переработан с учетом последних достижений в области теории и эксперимента в полупроводниковой технике.
В написании данного практикума принимали участие: Андрушко А. Ф., Воронков Э. Н., Макаров В. А., Морозова Н. К., Павлов Л. П., Пиро-гова Н. В., Соловьев А. К-, Хирин В. Н., Цветко-ва С. В., Чарыков Н. А., Шалимова К. В.
СОДЕРЖАНИЕ >
Стр.
Предисловие ........................... 3
Раздел 1 Физика полупроводников
1.1. Определение ширины запрещенной зоны полупроводников .... 5
1.2. Определение концентрации и холловской подвижности основных носителей заряда ....................... , 19
1.3. Определение дрейфовой подвижности неосновных носителей за-
ряда ............................ ц 28
1.4. Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда 40
1.5. Определение времени жизни неосновных носителей заряда. . .• 49
1.6. Измерение скорости поверхностной рекомбинации ........ 58
1.7. Измерение температурной зависимости термо-э. д. с ....... 69
1.8. Изучение оптического поглощения полупроводников ...... 77
1.9. Изучение фотопроводимости полупроводников .......... 87
1.10. Изучение люминесценции полупроводников ........... 97
463
i а о м V vi А<
Технология полупроводниковых материалов
2.1 Выращивание монокристаллов полупроводников методом вытягивания из расплава....................... 106
2.2. Очистка полупроводниковых материалов методом зонной плавки 114
2.3. Металлографическое исследование полупроводников...... 122 <
2.4. Исследование влияния термической обработки на электрические свойства германия......................л 131
2.5. Получение монокристаллов сернистого кадмия......... 136
26. Исследование конденсации тонких слоев германия......__. 145
Раздел 3 Структурный анализ
3.1. Техника рентгеноструктурного анализа............. 156
3.2. Исследование кристаллической структуры веществ по методу порошков .........................., 169
3.3. Исследование структуры монокристаллов по методу вращения . . 188
3.4. Определение ориентировки монокристалла рентгеновским методом 204
3.5. Изучение симметрии кристаллов по методу Лауэ.....; . . 217
3.6. Электронографическое исследование структуры тонких слоев . . 231
Раздел 4
9
Физика полупроводниковых приборов
VJ4.1. Изучение плоскостных полупроводниковых диодов ........ 245
•J 4.2. Изучение статических характеристик транзистора ....... 259
4.3. Изучение эквивалентных схем и параметров транзистора на низких частотах ......................... 2/2
4.4. Зависимость параметров транзисторов от режима смещения . . . 281
4.5. Температурная зависимость параметров транзистора...... 290
4.6. Частотная зависимость коэффициента передачи тока транзистора 295
4.7. Изучение импульсных характеристик диодов......... . 306
4.8. Изучение импульсных характеристик транзисторов....... 316
V4.9. Изучение шумов транзисторов................. 330 4.10. Изучение статических характеристик управляемых диодов типа
р-п-р-п........................... 340
44.11. Изучение свойств полупроводниковых фотодиодов и фоторезисторов ............................ 350
4.12. Изучение характеристик терморезисторов........... 364
Раздел 5 Применение полупроводниковых приборов
5.1. Стабилизация рабочей точки транзистора............ 374
5.2. Составной транзистор..................... 383
5.3. Усилитель низкой частоты................... 392
5.4. Усилитель мощности..................... 406
5.5. Стабилизатор напряжения................... 416
5.6. Работа транзистора на реактивную нагрузку.......... 423
5.7. Симметричный мультивибратор................. 436
5.8. Преобразователь напряжения.................. 445
5.9. Симметричный триггер..................... 452
Цена: 150руб.
