В настоящем пособии рассматриваются основные схемы, применяемые в статических микромоДульнык' и ийтёгральных устройствах ЦВМ. Эти' cxeMHi отличаются-низким- уров;йем напряжения питания, сравнителвно 'низкой йбтреб^ляемо'й мощностью и повышенными- требованиями" к помехоустойчивости в широком температурном Диапазоне'' работы. 'Наиболее -широкое! распространение получили элементы в диод-но-транзисторйой (ДТЛ) и мнбго&миттёрной (МЭТЛ) тра:н-зисторной логике. Поэтому основное • внимйнИе уделяется принципу действия и основам расче'га Именно этИх элементов:- • • ••••'"• ' •- '- " • ••' ••''.'• •• • '"
Для лучшего пониманий метода расчета "основных: схем с малым потреблением мощности в начале ' пОсЬбия разобраны некоторые наиболее важные для расчета особеи-ности транзисторов в микрорежиме. Кроме того,- рассмотрено проектирование схем с оптимизацией по мощности и добротности. Значительное внимание уделено определёниЬ запаса помехоустойчивости и его зависимости от температурьг на примере элемента ДТЛ;
В предлагаемых примерах расчета мнкрблогИческого элемента используются параметры- современных' '-крёмнИеййх планарных• тра[нзисторов. Расчет проводится иёходя из' заданных технических условий: нагрузочной способности, температурного диапазона, допусков нй 'сопротивления И источники питания, запаса помехоустойчивости и быстродействия. При аналитическом вероятностном методе расчетйк' исходным Данным относятся математическое ожидание и дисперсия основных параметров, а также допустимый процент брака элементов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ....... i. i...: .i. i. .i-.. . i. . v . . ,|. . .
Введение . .;. . . ... . i,,. . .,...,.. ,.i,............
Глава 1. Особенности транзисторов в микрорежяме.......
§ 1.1. Зависимость коэффициента р от тока тран
' ЗИСТОра . i .:. .-.'.i-i \'-i^^. . . ........
§ 1.2. Зависимость быстродействия от тока и мощности 9 § 1.3. Основные требования !К параметрам транзисторов
в микрорежиме.................. 11
Глава 2. Проектирование схем на минимум энергии и мощности 13 § 2.1. Расчет тока, при котором энергия переключения
минимальна.................... 14
Глава 3. Схемы с непосредственными (СНС) и с диодными (СДС)
связями ........................ 19
Глава 4. Элемент НЕ—И—ИЛИ в диодно-транзисторной логике
(ДТЛ).......................... 23
§ 4.1. Однотранзисторная схема НЕ—И......... 23
Расчет элемента НЕ—И на минимум mohihocth 25
Помехоустойчивость элемента.......... 28
§ 4.2. Двухтранзисторная схема НЕ—И ........ 31
Расчет двухтриодного элемента НЕ—И .;.... 34 Глава 5. Элемент НЕ—И—ИЛИ в многоэмиттерной транзисторной
логике (МЭТЛ)..................... 42
Глава 6. Элемент НЕ—^ИЛИ в транзисторно-резисторной логике
(ТРЛ) ......................... 45
Глава 7. Элемент ИЛИ—НЕ—ИЛИ в транзисторной логике
с объединенными эмиттерами (ТЛОЭ) ........ . 51
§ 7.1. Расчет элемента ТЛОЭ по постоянному току 52 Глава 8. Некоторые особенности полупроводниковых интегральных
схем.......................... 57
§ 8.1. Расчет границ применимости интегрального элемента НЕ—И .................. 61
Глава 9. Расчет элемента НЕ—И в ДТЛ............ 67
Выводы................... . .!....... . . 73
Литература............... . . ... . . . . ..... . 77
Цена: 100руб.
