Радиоэлектронная аппаратура .широко применяется в различных областях народного хозяйства и науки: в технике связи, в радиовещании и телевидении, в навигации и локации, в вычислительной технике, для автоматизации и управления производственными процессами, для управления на расстоянии космическими кораблями, в медицине, биологии и т. д.
Быстрое развитие радиоэлектронной техники в большой степени обусловлено успехами, достигнутыми в последние годы в химий' и в применении химических продуктов, в технологии производства радиоаппаратуры.
Современная технология производства радиоаппаратуры бази-1 руется на новых химических материалах, таких, как полупроводниковые кристаллы, поликристаллы и пленки, ферриты, новые виды радиокерамики, органических и неорганических полимеров.
Использование новых химико-технологических методов способствует дальнейшему совершенствованию отдельных отраслей радиоэлектроники. Например, достижения в производстве ферри-' тов открыли пути развития кибернетической техники. Успехи1 в области получения чистых монокристаллов и способов их обработки завершились созданием полупроводниковых диодов и триодов и привели к появлению транзисторной техники. Синтезирование новых соединений уже на данном этапе привело к появлению приборов, действие которых основано на новых физических принципах (лазеры, датчики инфракрасного излучения и пр.). Эти приборы позволяют резко увеличить возможности связи и локации путем освоения светового диапазона частот. Новые технологические методы изготовления радиоаппаратуры (технология производства микромодулей, интегральных пленочных микросхем и т. д.) привели к уменьшению габаритов радиоэлектронных устройств и значительному расширению областей их применения.
Разнообразие назначений и условий эксплуатации радиоэлектронных устройств резко повысило роль конструкторско-техноло-гической разработки. Теперь, при оценке применимости устройства для выполнения заданных целей, помимо чисто радиотехнических показателей (принцип действия и принципиальная схема),
необходимо учитывать простоту изготовления, воспроизводимость результатов, устойчивость по отношению к воздействиям влаги, тепла, холода, радиации, вибрации, ударов, экономику производства, технологическое обеспечение надежности устройства и т. п. Для успешного решения этих задач необходим высокий уровень технологии.
Совершенствование технологического процесса на основе широкой автоматизации и внедрения новых материалов и современных физико-химических процессов в производство — таковы технологические задачи, без успешного решения которых невозможно дальнейшее увеличение выпуска высококачественной радиоэлектронной аппаратуры. Знание физико-химических процессов, на которых базируется технология изготовления радиоаппаратуры, имеет особое значение для радиотехнолога и радиоконструктора.
Настоящая книга является учебным пособием по курсу технологии радиоаппаратуры для студентов радиотехнических вузов и факультетов и соответствует программе, но может быть полезна и специалистам, работающим в этой отрасли.
План книги методически отработан автором в течение ряда лет при чтении этого курса в Таганрогском радиотехническом институте и в Ленинградском электротехническом институте связи им. проф. М. А. Бонч-Бруевича. При составлении книги автор использовал свой опыт работы в промышленности.
Книга не преследует цели рассмотреть все технологические процессы, протекающие при радиоэлектронном производстве.
Некоторые вопросы производства радиоэлектронной аппаратуры, такие, как трансформаторостроение (намотка и магнито-проводы), производство в заготовительных цехах (металлообработка и переработка пластмасс) и другие, в книге не рассматриваются. Эти вопросы являются предметом отдельного изучения.
Большое внимание в книге уделено вопросам технологии интегральных микросхем как перспективному направлению радиоэлектроники.
Глава IV написана автором совместно с аспиранткой Л. В. Альтман.
Будучи первой попыткой создания пособия такого рода, книга, конечно, не свободна от многих недостатков и автор с благодарностью примет все замечания.
Автор с признательностью отмечает постоянное внимание профессора Ф. Е. Евтеева к своей работе, благодарит канд. техн. наук доц. А. А. Другова, канд. техн. наук доц. М. Г. Каназееву и Н.И. Волокобинскую за ценные замечания, а также коллектив кафедры ЛЭИС за помощь при работе над ^"рукописью.
ОГЛАВЛЕНИЕ Стр.
Предисловие....................... 3
Глава I. Неорганические покрытия и пленки.......... 5
§ 1. Классификация................... 6
§ 2. Подготовка поверхности основания............ 12
1. Устранение жировой пленки и загрязнений......... 12
2. Устранение окисной пленки............... 19
3. Получение заданного микрорельефа поверхности..... 20
§ 3. Металлизация вжиганием.................. 26
1. Состав пасты для вжигания.............. 27
2. Температурный режим вжигания............ 29
3. Применение металлизации вжиганием.......... 32
4. Особенности вжигания меди............. 35
§ 4. Металлизация горячим распылением............ 36
§ 5. Получение пленок вакуумным испарением......... 38
1. Испарение материала................ 40
2. Вакуумные условия в пролетном пространстве....... 42
3. Вакуумные условия на подложке............ 46
4. Физика образования и структура пленки........ 47
5. Испарители..................... 51
§ 6. Получение пленок химическим осаждением...... . . . . 56
1. Применение пленок................. 56
2. Получение резистивных углеродистых пленок...... 57
3. Получение станатных резистивных пленок........ 58
4. Получение полупроводниковых пленок с помощью газотранспортных реакций............... 59
5. Химическая металлизация............... 61
6. Получение фосфатных пленок на алюминии и стали...... 62
§ 7. Получение пленок электролитическим осаждением...... 64
1. Коррозионная стойкость металлических пленок на металлических основаниях................. 64
2. Способ осаждения................. 68
3. Цинкофосфатные и кадмиевые пленки........... 69
4. Оловянно-свинцовые пленки.............. 69
5. Твердые серебряные и палладиевые пленки........ 70
§ 8. Электрофоретическое осаждение изоляционных материалов . 72
§ 9. Получение оксидных пленок за счет материала основания . . 74
1. Оксидирование алюминия................74
2. Получение диэлектрических оксидных пленок....... 77
3. Оксидирование и пассивирование цветных металлов .... 78
Глава II. Полимеры и силикаты................ 80
§ 1. Адгезия..................... 81
1. Адсорбционный потенциал............... 82
2. Контактный потенциал............... 83
3. Когезия .......................... 83
§ 2. Влагозащитные свойства органической пленки.......... 83
1. Набухание.......................... 84
2. Осмос при влагозащите ................... 85
3. Роль пигмента........................ 86
4. Режим формирования пленки................. 88
§ 3. Пропитка........................... 89
1. Назначение пропитки.......'.............. 89
2. Материалы для пропитки.................. 90
3. Технология пропитки..................... 91
§ 1. Заливка............................ 93
1. Назначение заливки ..................... 93
2. Материалы и технология заливки .............. 98
§ 5. Компаунды и лаки с проводящими и резистивными наполнителями 102 § 6. Получение органических пленок в результате химической перестройки вещества под действием тлеющего разряда, электронной
бомбардировки'или облучения ..... ............ 106
§ 7. Неорганические полимеры................... 108
Аморфные силикатные стекла................ 109
Фотоситаллы........................ 111
§ 8. Физико-химические основы технологии радиокерамики...... 114
Приготовление шихты ................... 115
Пластифицирование массы и формообразование изделий ... 119
Обжиг радиокерамики ................... 121
Глава III. Физико-химические основы технологии монтажа . . . 125
§ 1. Методы монтажа...................•. 125
§ 2. Избирательное удаление металлического слоя с основания печатной платы.................... 128
§ 3. Нанесение металлического рисунка печатного монтажа на изоляционное основание................... 136
Электролитическое осаждение рисунка печатного монтажа с
химически осажденным подслоем........... 136
Способ переноса рисунка печатного монтажа...... 138
§ 4. Пайка при монтаже................. 139
Припои..................... 141
Флюсы.................... 141
« -»л
Стр.
Процесс пайки................, . 142
Меры повышения надежности паяного шва печатных схем 143
Нанесение защитного слоя перед пайкой......• , , 145
Технология пайки волной припоя ........ * . 146
Глава IV. Физико-химические основы технологии интегральных микросхем 148
§ 1. Общая характеристика интегральных пленочных микросхем . 148
Топология интегральных пленочных микросхем • «*••• 148
Выбор подложки ................ 152
Технология масок..............• . 154
§ 2. Компоненты пленочных микросхем.......... . 157
Проводники и сопротивления в пленочных микросхемах . 157
Емкости в пленочных микросхемах.........» « 162
Активные компоненты в пленочных микросхемах..... 164
Магнитные компоненты в пленочных микросхемах . . . . . 167
§ 3. Общая характеристика полупроводниковых интегральных
микросхем...................... 170
Топология полупроводниковых микросхем ....... , 171
Параметры полупроводниковой подложки. *....... 172
Принципы получения полупроводниковых монокристаллов
для подложек интегральных микросхем......... 174
Роль поверхности полупроводниковой подложки. .... 178
§ 4. Технология изготовления полупроводниковой микросхемы . « 181 Технологические приемы формирования функциональных
структур.....................,181
§ 5. Компоненты полупроводниковых микросхем.......«186
Сопротивления................«... 186
Емкости...................« 187
Активные компоненты ................... 187
Индуктивные компоненты.................. 188
Литература......................... 189
Цена: 150руб.
