1. Некоторые данные об общем состоянии электронной микроскопии
В Т развитии электронной микроскопии можно различать три периода [1]. Со времени появления первого электронного микроскопа просвечивающего типа в 1932 г. [2] и до 1940 г. продолжался первый период, когда основное внимание было сосредоточено на улучшении конструкции приборов и разработке простейших методик препарирования. Проводившиеся исследования имели целью показать потенциальные возможности электронной микроскопии. К 1940 г. был создан прибор с разрешающей способностью около 50 А, конструкция которого в общих чертах сохранилась и до сих пор.
С 1940 г. начался второй период, характеризующийся систематическим развитием прикладной электронной микроскопии. Разрабатывалась техника приготовления препаратов и расширялся объем приложений электронной микроскопии во всех отраслях знания, связанных со структурой вещества коллоидных размеров.
В известной степени-этот период продолжается и сейчас. Однако для настоящего времени более характерно такое состояние электронной микроскопии, которое можно назвать зрелостью.
Исследователи располагают удовлетворительными приборами, разработаны основы техники приготовления объектов. Результаты электронно-микроскопических исследований при* влекают внимание больше своим научным значением, чем новизной методики. Электронный микроскоп занял место в физических, химических и биологических лабораториях как надежный инструмент для исследования микроструктуры вещества и превратился в ценного помощника на ряде производств.
я
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение......................... 3
• 1. Некоторые данные об общем состоянии электронной микроскопии ...................... 3
2. О методике электронно-микроскопического исследования 11
Литература........................ 13
Часть первая
Глава I; Методы проведения исследования в электронном микроскопе ............................ 15
1. О классификации методов................. 15
2. Методы, различающиеся условиями образования изобра-
жения ......................... 16
а) Светлопольный метод (16). б) Метод муара (18). в) Темнопольн^й метод (19). г) Микродифракция (20)
• 3. Стереоскопия...................... 23
• 4. Охлаждение объектов в электронном микроскопе...... 25
а) Охлаждение камеры объекта (25). б) Охлаждение объекта (29)
" 5. Нагревание объектов в электронном микроскопе..... 32
6. Метод газовой камеры.................. 36
7. Действие электронного облучения на объект........ 45
а) Нагревание объекта (45). б) Ионизирующее действие электронного облучения (49)
Литература......................... 52
Глава II. Методы препарирования............... 55
1. Общие замечания.................... 55
2. Приготовление пленок-подложек............. 56
а) Пленки, полученные из растворов (56). б) Пленки, полученные напылением в вакууме (63)
"^^-- 3. Препарирование коллоидных объектов........... 68
•-— 4. Препарирование порошкообразных объектов....... 70
а) Сухие способы препарирования (70). б) Диспергирование в вязкой среде (72). в) Осаждение из суспензии (74). г) Диспергирование при помощи звуковых и ультразвуковых колебаний (78)
5. Метод оттонения..................... 81
/ '6. Метод реплик...................... 90
! а) Лаковые реплики (93). б) Углеродные реплики (97). в) Реплики с пористых и порошкообразных тел (104). г) Отделение и вылавливание реплик (107). д) Точность и разрешение реплик (111). е) Реплики с извлечением (114) f <. "--. 7. Метод улътратонких срезов................ 116
Литература......................... 121
Часть вторая Введение...............'............ 126
Глава I. Коллоидные системы................. 130
1. Коллоидные растворы................... 131
а) Механизм образования коллоидных частиц (131). б) Исследование тонкой структуры и механизма направленного роста частиц на примере золя \7гОБ (138). в) Другие примеры (143).
2. Структура гелей..................... 145
3. Аэрозоли........................ 154
4. Определение формы и размеров частиц........... 159
Литература......................... 163
Г-лава II. Рост и разрушение кристаллов........... 167
1. Рост кристаллов..................... 168
а) Спиральный рост кристаллов (168). б) Проявление фотографических верен (171). в) Гидратация компонентов цемента (178). Пластичные смазки (179).
2. Разрушение кристаллов................. 181
Литература......................... 185
Г^л ава III. Структура кристаллов. 1............... 188
1. Непосредственное наблюдение кристаллических решеток . . 188
2. Косвенный метод разрешения кристаллических решеток при
помощи явления муара................. 194
3. Полиморфные превращения................ 199
4. Поверхностная диффузия................. 201
Литература.......................... 206
Глава IV. Структура кристаллов. II.............. 208
1. Тонкие слои....................... 208
Напыленные слои (208). б) Пленки на поверхности жидкостей (216)
2. Осадки из растворов................... 218
3. Высокодисперсные минералы............... 223
4. Графитовые тела..................... 226
а) Графиты (226). б) Саши (229). в) Сажа, получаемая при разложении
окиси углерода (233). I
Литература......................... 235 :
Глава V. Аморфные тела и синтетические полимеры....... 239
1. Аморфные тела...................... 239
а) Активные угли (240). б) Целлюлозные фильтры (243). в) Пористые ,
и непористые стекла (244). г) Пористые анодные окисвые пленки на j
алюминии (246).
^ 2. Синтетические полимеры................. 248
а) Определение молекулярного веса (249). б) Аморфные полимеры ;<252)-в) Кристаллические полимеры (257).
Литература......................... 266 ;
Заключение......................... 269 |
Литература......................... 272
Приложение........................... 273
Цена: 150руб.
