Математика

Физика

Химия

Биология

Техника и    технологии

Основы теории полупроводниковых приборов- Г.Е.Пикус Москва1965 450стр. АННОТАЦИЯ В книге изложены теория контактных явлений и принципы работы разнообразных полупроводниковых приборов. Для того чтобы лучше уяснить эти физические принципы и иметь возможность провести все расчеты, по отсылая читателя к оригинальным работам, в книге рассматриваются наиболее простые модели, позволяющие более четко выделить основные явления и получить окончательные формулы в простом виде. Книга предназначена для инженеров и научных работников, специализирующихся в области конструирования, исследования и применения полупроводниковых приборов. Она может также служить учебным пособием при изучении курса «Полупроводниковые приборы*? в технических вузах.
ПРЕДИСЛОВИЕ
Одной из наиболее важных областей технического применения полупроводников является их использование для выпрямления и усиления электрических сигналов.
Еще в 70-х годах прошлого столетия было установлено, что контакт между металлом и некоторыми полупроводниками обладает выпрямляющими свойствами. Основанные на этом принципе кристаллические детекторы широко использовались в первые годы развития радиотехники, пока не были вытеснены электронными лампами. В 30-х годах были разработаны меднозакисные и селеновые выпрямители, которые нашли широкое применение в электротехнике. В эти же годы были подробно изучены явления, происходящие на контакте полупроводника с металлом, и разработана теория этих явлений, позволившая объяснить основные наблюдаемые на опыте закономерности. Позже было установлено, что наилучшие условия для выпрямления могут быть осуществлены на контакте двух полупроводников — электронного и дырочного. Теория выпрямления на контакте двух полупроводников начала особенно быстро развиваться после открытия германиевых и кремниевых диодов и в свою очередь способствовала значительному прогрессу в усовершенствовании этих приборов. Было установлено, что и в селеновых и в меднозакисных выпрямителях между металлом и основным слоем полупроводника, обладающего дырочной проводимостью,

ОГЛАВЛЕНИЕ
Предисловие ..................
Глава 1. Полупроводники и металлы..........
§ 1. Изоляторы и проводники............
§ 2. Полупроводники................
| 3. Статистика электронов и дырок в полупроводниках и металлах................
§ 4. Концентрация электронов и дырок в собственном и примесном полупроводниках.........•
Глава 2. Контакт полупроводника с металлом......
§ 5. Термоэлектронная эмиссия и контактная разность
Потенциалов..................
§ б. Контакт полупроводника с металлом.......
Г л а и а 3. Диффузионный и омический токи.......
§ 7. Подвижность носителей тока..........
§ 8. Диффузионный ток...............
Глава 4. Выпрямление на контакте полупроводника с металлом ............,........
§ 9, Изменение приконтактного слоя во внешнем поле
§ 10. Диффузионная теория выпрямления.......
§ 11. Диодная теория выпрямления..........
Глава 5, Поверхностный явления...........
§ 12, Распределение носителей в приповерхностном слое
§ 13-, Эффект поля..................
§ 14. Роль поверхностных уровней при контакте полупроводника с металлом, р —• л-переход.....
I лава 6. Избыточные носители тока в полупроводнике
§ 15. Генерация н рекомбинация носителей тока . .
§ 16. Рекомбинация на примесных центрах.......
§ 17. Уравнение неразрывности...........
§ 18. Поверхностная рекомбинация.........
S 19. Распределение носителей в однородном образце
при генерации их светом. Квазиуровпи Ферми . . , 139
Глава 7. Выпрямление на р — п-переходе....... 151
§ 20. Распределение носителей и р — п-переходс .... 151 | 21. Вольт-амперные характеристики тонкого р — «-перехода ..................... 151)
§ 22. Диод с короткой базой. Влияние металлических
контактов.................. 173
§ 23. Вольтамперная характеристика при рекомбинации в р — п-лереходе............. 182
§ 24. Импульсные и частотные характеристики..... 193
§ 25. Сравнение с экспериментом; пробой в р — п-пере-
ходе..................... 206
Глав а*8. Транзистор................. 222
§ 26. Теория р — п — ^-транзистора......... 222
. § 27. Параметры транзистора на низкой частоте..... 236
§ 28. Транзистор при больших уровнях инъекции . . . 249 § 29. Зависимость параметров транзистора от частоты.
Высокочастотные транзисторы.......... 254
Глава 9. Диоды для усиления и генерации сверхвысоких
частот....................... 268
§ 30. Л авинно-про летный диод............ 268
§ 31. Параметрический дпод.............. 285
§ 32. Туннельный диод................ 294
§ 33. Больтамперные характеристики туннельных диодов при низких температурах и зонная структура
различных полупроводников ......... 319
Глава 10. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы и лазеры.................... 352
§ 34. Фотоэлементы с р — тг-псреходом........ 352
§ 35. Коэффициент полезного действия фотоэлемента 365
§ 36. Фототранзистор............... 376
§ 37. Полупроводниковый лазер........... 390
Приложение ................. 434
Литература .................. 443

Цена: 150руб.

Назад

Заказ

На главную страницу

Hosted by uCoz