первая.
лава . Полупроводники
1-1.
1-2.
1-3.
1-4.
1-5. Законы расп
1-6. Уровень Ферми
ация носителей
Введение............
Структура полупроводников и типы проводимости..........
Энергетические зоны твердого тела ..................
Зонная структура полупроводников .................
Законы распределения носителей в зонах полупроводника ....
1-7. 1-8. 1-9 1-
Концентрация п^„.-...... .
Подвижность носителей....................
J. Удельная проводимость и удельное сопротивление..........
10. Рекомбинация носителей........................
Общие сведения (42). Равновесное состояние (44). Неравновесное состояние (47). Рекомбинация на ловушках (49). Время жизни (51). Поверхностная рекомбинация (54)
1-11. Законы движения носителей заряда в полупроводниках.......
142. Объемные заряды и поля в полупроводниках.............
Диэлектрическая релаксация (60). Эффект поля (63). Неоднородные полупроводники (68). Квазинейтральность (71)
1-13. Кинетика носителей заряда в полупроводниках............
Биполярная диффузия (72). Дрейф (75), Монополярная диффузия (76), Комбинированное движение (82) лава вторая. Плоскостные диоды....................
2-1. 2-2.
2-3-
2-4. 2-5
Введение...............
Электронно-дырочный переход.............,......
Классификация р-п переходов (85). Структура р-п перехода (87). Анализ перехода в равновесном состоянии (90). Анализ перехода в ncpanuoDccHOM состоянии (93). Плавный р-п переход (97), Односторонние р-п переходы (99)
Специальные типы переходов.................... ,
Переходы между примесными и собственными полупроводниками (101). Переходы между однотипными полупроводниками (102)
Контакты металл — полупроводник .................
Анализ идеализированного диода ...................
Исходные предпосылки (108). Решение диффузионного уравнения (ПО). Вольт-амперная характеристика (111). Характеристические сопротивления (114). Температура перехода (116)
2-6. Обратная характеристика реального диода...........
Тепловой ток (116). Ток термогенерации (118). Ток утечки '(120)' Эквивалентная схема диода при обратном смещении (121)
2-7. Пробой перехода........................ ]9
Туннельный пробой (122). Лавинный пробой (124). Тепловой пробой (125)
2-8. Прямая характеристика реального диода............. ,27
Ток рекомбинации (127). Сопротивление базы (128). Зависимость пря-' мого напряжения от температуры (129). Работа диода при высоком уровне инжекции (131). Дрейфовая составляющая тока инжектированных носителей (132). Коэффициент инжекции (133). Модуляция сопротивления базы (133). Распределение токов в базе (136). Эквивалентная схема диода при прямом смещении (138)
2-9. Переходные характеристики плоскостного диода........... JOQ
Барьерная емкость (емкость перехода) (139). Диффузионная емкость (140). Режим переключения (142). Установление прямого напряжения (142). Рассасывание избыточных носителей (146). Восстановление обратного тока (сопротивления) (148)
Глава третья. Разновидности диодов................... 15!
34. Точечные'диоды............................ 151
3-2. Полупроводниковые стабилитроны.................. 154
3-3. Туннельные диоды........................... 157
3-4. Диоды Шоттки............................. 162
Глава четвертая. Плоскостные транзисторы............. 164
4-1. Введение ................................ 164
4-2. Основные процессы в плоскостном транзисторе............ 166
Ипжекция и собирание неосновных носителей (!67). Распределение носителей в базе (169). Модуляция толщины базы (170)
4-3. Статические характеристики транзистора............... I7J
Формулы Молла—Эберса (171). Идеализированные статические характеристики (173). Реальные статические характеристики (175)
4-4. Статические параметры транзистора.................. 177
Коэффициент передачи эмиттерного тока (178). Сопротивление эмиттер ного перехода (181). Сопротивление коллекторного перехода (18!). Коэффициент обратной связи по напряжению (182). Объемное сопротивление базы (183). Тепловой ток коллектора (184)
4-5. Динамические параметры транзистора................ 185
Барьерные емкости (185). Коэффициент инжекции (185) Коэффициент переноса (186). Коэффициент передачи тока (188). Диффузионные емкости (192). Постоянная времени базы (194). Инверсные параметры
(194)
4-6. Зависимость параметров от режима и температуры.......... 19»
Зависимость от режима (195). Зависимость от температуры (198)
4-7. Характеристики и параметры транзистора при включении с общим
эмиттером................................. *"0
Статические характеристики и параметры (200). Динамические параметры (204). Схема с общим коллектором (209)
4-8. Разновидности эквивалентных схем.................. -^
П-образные эквивалентные схемы (209). Параметры транзистора как четырехполюсника (211). Сравнительная оценка (213)
4-9. Собственные шумы транзистора.................... ^'
Источники шумов (214). Коэффициент шума (216). Анализ коэффициента шума (218) .„.
Составные транзисторы ........................ ^тг>
Допустимая мощность и особенности мощных транзисторов..... ^
Дрейфовые транзисторы......................... ^
Особенности дрейфовых транзисторов (226). Распределение носителей в базе (229). Коэффициент переноса (235) Динамические иара-
4-13. Элементы технологии транзисторов.................. 239
Получение и очистка полупроводников (239). Механическая и химическая обработка (241). Эпитаксия (243). Диффузия (244). Основные технологические циклы (247). Сплавная технология (248). Меза-тех-нология (249). Плаиарная технология (251) Фотолитография (253)
лава пятая. Разновидности транзисторов................ 254
5-1. Точечный транзистор.......................... 254
5-2. Лавинный транзистор......................... 257
5-3. Тиристоры................................ 261
Динистор (262). Трикистор (266)
5-4. Униполярные (полевые) транзисторы................. 270
Унитрон (270). Текнетроп (274). Алкатрсп (276). Особенности реальных приборов (277). Общая оценка приборов (278). Эквивалентная
схема (279)
5-5. Полевые транзисторы с изолированным затвором........... 279
Структура и классификация (279). Физические процессы (280). Общий анализ (285). Характеристики и параметры в 1-м приближении 1 (288). Характеристики и параметры во 2-м приближении (291). Влия-
ние потенциала подложки (293). Эквивалентная схема (296)
УСИЛИТЕЛИ
Глава шестая. Статический режим усилительного каскада....... 298
6-1. Выбор рабочей точки.......................... 298
6-2. Стабильность рабочей точки...................... 301
Общий анализ (301). Стабильность типовых схем (303)
6-3. Расчет каскадов по постоянному току................. 305
Каскад с общей базой (305). Каскад с общим эмиттером (306V Каскад с обш.им коллектором (307)
Глава седьмая. Усилители с емкостной связью.............
7-1. Введение ................................
7-2. Каскад в области средних частот...................
Упрощенный анализ (309). Внутренняя обратная связь (312). Полный анализ (314)
7-3. Каскад в области больших времен и низших частот.......... 317
Влияние переходных емкостей (317), Влияние блокирующей емкости в цепи эмиттера (318). Совместное влияние емкостей (319). Коррекция искажений вершины (320)
7-4. Каскад в области малых времен и высших частот........... 321
Переходные характеристики (322). Частотные характеристики (325). Добротность каскада (326). Коррекция фронта (329)
7-5. Многокаскадные усилители...................... 331
Область средних частот (331). Область малых времен (332)
|,Г л а в а восьмая. Обратная связь в усилителях............. 334
8-1. Введение ................................ 334
8-2. Общие вопросы однонаправленной обратной связи.......... 335
Основные соотношения (335). Классификация (339)
8-3, Внутренняя обратная связь...................... 343
Источник сигнала — генератор тока (343). Источник сигнала — генератор э. д. с. (345)
8-4. Обратная связь по переменному току................. 347
Местная обратная связь по току (347). Местная обратная связь по напряжению (349). Общая обратная связь (352)
8-5. Обратная связь по постоянному току................. 357
лава лез я та я. Эмиттерные повторителя............ ~
* * * • ооу
Введение ............................
Простой повторитель.....................'.'.'"' Q^Q
Входное сопротивление (360). Выходное сопротивление (362). КоэсЫ фициент передачи (364). Динамический диапазон (367) '
9-3. Сложные повторители...................... ofio
Повторитель на составном транзисторе (369). Составной повтооитель с внутренней обратной связью (370). Повторитель с динамической нагрузкой (372)
Глава десятая. Каскад с змиттерным входом............. 372
10-1. Область средних частот........................ 373
10-2. Передача фронта импульса...................*. [ ', 375
10-3. Каскад с эмиттерной связью..........,.......'.','. 377
Глава одиннадцатая. Усилители с трансформаторной связью , , . 378
11-1. Введение.............,................. 378
И-2. Коэффициент трансформации..................'.','. 379
11-3. Область средних частот......................' ' 381
Параметры каскада (381). Максимальный коэффициент усиления мощности (382)
11-4. Область низших частот....................... 383
Граничная частота и выбор индуктивности обмоток трансформатора (383). Искажения вершины импульса (384) 11-5. Максимальная частота генерации транзистора......,..... 385
Глава двенадцатая. Мощные выходные каскады........... 386
12-1. Введение................................ 386
12-2. Однотактные каскады класса А.................... 383
Энергетические соотношения (388). Нелинейные искажения (391).
Особенности каскада ОЭ (392) 12-3. Двухтактные каскады класса В.................... 394
Энергетические соотношения (394). Нелинейные искажения (398).
Каскад с дополнительной симметрией (400)
Глава тринадцатая. Усилители постоянного тока.......... 402
13-!. Введение ................................ 402
13-2. Температурный дрейф......................... 403
13-3. Однотактные усилители........................ 406
13-4. Двухтактные (балансные) усилители................. 408
!\3-5. Усилители с термокомпенсацией................... 410
13-6. Усилители с модуляцией сигнала................... 411
ИМПУЛЬСНЫЕ СХЕМЫ
Глава четырнадцатая. Транзисторные ключи........... 414
14-1. Введение................................ 414
14-2. Статические характеристики ключа ОЭ................ 415
Режим отсечки (415). Режим насыщения (417)
14-3. Транзисторные прерыватели ..................... 422
14-4. Метод заряда.............................. 427
14-5. Переходные характеристики ключа ОЭ................ 4^1
Задержка фронта (431). Положительный фронт (432). Накопление носителей (433). Рассасывание носителей (436). Отрицательный фронт (440). Ключ с форсирующей емкостью (445)
606
14-6. Разновидности насыщенных ключей..................' 447
14-7. Ненасыщенные ключи......................... 449
14-8. Мощность, рассеиваемая транзистором в ключевом режиме .... .-•• 452
Глава пятнадцатая. Симметричны» триггер............. 454
15-1. Введение ................................ 454
15-2. Статический режим........................... 455
* Условие запирания транзистора (455). Условие насыщения транзи-
стора (456). Выходное напряжение и выходной ток (457). Статическая нагрузка (459)
15-3. Схемные варианты симметричного триггера.............. 460
Триггер с автоматическим смещением (460). Триггеры без смещения (461). Триггер с непосредственными связями (462)
15-4. Переходные процессы в режиме раздельных входов.......... 463
Общее описание (463). Анализ фронтов (466) Максимальнаярабочая частота (470)
15-5. Переходные процессы в режиме общего входа............. 471
Общее описание (472). Анализ фронтов (475). Максимальная рабочая частота (477). Коллекторный запуск (478). Особенности примене-i ния дрейфовых транзисторов (480)
|
Глава шестнадцатая. Триггер с змкттерной связью........ 481
16-1. Введение ................................ 481
16-2. Статический режим........................... 482
Рабочий цикл (482). Входная характеристика (483). Анализ входной характеристики,(485). Статический расчет (487)
16-3. Стабильность порогов срабатывания и отпускания.......... 489
Методика анализа (489). Анализ температурного дрейфа (490), Компенсация температурного дрейфа (494). Временной дрейф (495)
Глава семнадцатая. Мультивибраторы................ 495
17-1. Симметричные мультивибраторы................... 495
Рабочий цикл (496). Рабочая частота и ее стабильность (498). Регулирование частоты (501). Скважность импульсов и отрицательный фронт (502)
17-2. Мультивибратор с разрядным триггером............... 505
Введение (505). Рабочий цикл (506) Рабочая частота и скважность (507)
Глава восемнадцатая. Одновибраторы............... 508
18-1. Одновибратор сэкиттерной связью.................. 508
! Рабочий цикл (508). Статический расчет (510). Время выдержки
и его стабильность (511). Время восстановления (512). Роль спускового импульса (513)
18-2. Одиовибратор с разрядным триггером................. 515
Глава девятнадцатая. Блокинг-генератор ............. 517
19-1. Общее описание............................ 517
19-2. Интервал между импульсами..................... 518
19-3. Фронты импульсов........................... 521
19-4. Вершина импульса .......................... 524
19-5. Выброс напряжения.......................... 530
Глава двадцатая. Генераторы пилообразного напряжения...... 533
20-1. Введение ................................ 533
20-2. Общая характеристика и классификация............... 534
Параметры генераторов (534). Скелетная схема и режимы работы (535). Разновидности генераторов (537). Обратный ход (541). Особенности генераторов спадающего напряжения (542)
20-3, Простейшие генераторы с интегрирующей цепочкой.........544
20-4. Генераторы с параметрическим стабилизатором тока.........546
20-5. Генераторы со следящей связью....................547
Генераторы с повторительной связью (548). Генераторы с усилительной связью (552). Фантастроны (555)
ИСТОЧНИКИ ПИТАНИЯ
Глава двадцать первая. Преобразователя постоянного напряжения 558
21-1. Принцип действия и классификация..................558
21-2. Анализ преобразователя с трансформаторной обратной связью . . . 560 21-3. Особенности практической схемы...................565
Глава двадцать вторая. Стабилизаторы напряжения......, . 566
22-1. Введение ................................568
22-2. Стабилизаторы параллельного типа.................. 568
Общие свойства (568). Диодные стабилизаторы (573). Транзисторные стабилизаторы (576)
22-3. Стабилизаторы последовательного типа................578
Общие свойства (578). Одпокаскадный стабилизатор (582). Многокаскадные стабилизаторы (584)
22-4. Сравнение параллельных и последовательных стабилизаторов .... 586
..- 22-5. Особенности практических схем...................588
Регулировка выходного напряжения (588). Температурная стабильность (591). Зависимость параметров от частоты и режима (592)
22-6, Методика расчета стабилизаторов...................594
Литература.....................................5G6
Цена: 300руб.
