Математика

Физика

Химия

Биология

Техника и    технологии

Грехов И. В., Линийчук И. А. •О Тиристоры, выключаемые током управления.— Л.: Энер-гоиздат. Ленингр. отд-ние, 1982.— 96 с., ил. 35 к. В книге рассматриваются статические и динамические характеристики запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, приводится анализ физических процессов, протекающих в структурах при включении и выключении их током управления. Анализируются конструктивные особенности структур и дается краткий обзор технологических методов их изготовления. Приводятся сведения об электрических характеристиках сильноточных запираемых и комбини-романно-выключаемых тиристоров. Книга рассчитана на специалистов, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых приборов, а также на аспирантов и студентов, специализирующихся в области полупроводниковой электроники. Отдельные вопросы, рассмотренные о книге, могут представить интерес и для специалистов, занимающихся разработкой электрических преобразователей на основе полупроводниковых приборов.
Введение ......................... 3
Глава первая. Статическая вольт-амперная характеристика структуры................ . 4
1-1. Общие сведения о р — п —р — «-структуре и ее вольт-амперной
характеристике............. ... . . —
1-2. Статическая вольт-амперная характеристика структуры, находящейся в состоянии низкой проводимости . •........ 5
1-3. Статическая вольт-амперная характеристика открытой структуры 8
1-4. Распределение тока по площади включенной структуры ... И
Глава вторая. Переходный процесс включения р—п—р—гг-структуры 13
2-1, Одномерная модель процесса включения......... . —
2-2, Распространение включенного состояния по площади структуры 15
2-3. Структуры с регенеративным управлением......... 17
Глава третья. Выключение р—п—р—гг-структуры импульсом тока управления. Одномерная модель........ 18
3-1. Общие сведения о процессе выключения.......... —
3-2. Переходный процесс выключения р — п — р — n-структуры током
управления..................... 19
3-3. Выключение р — п—р — n-структуры при высоком уровне ипжек-
ции в п-базе............. ....... 25
3-4. Процесс выключения p—ti—p — n-структуры током управления
при наличии в базах встроенных электрических полей , ... 29
Глава четвертая. Включение структур с большой рабочей площадью................. 34
4-1. Физическая модель процесса выключения .......... —
4-2. Процесс сжатия токопроводящей области.......... 37
4-3. Экспериментальное исследование процесса сжатии...... 38
4-4. Заключительная стадия процесса сжатия.......... 42
Глава пятая. Коэффициент запирания............ 46
5-1. Коэффициент запирания для одномерной модели р—п — р — п-
структуры...................... 47
5-2. Зависимость коэффициента запирания от анодного тока .... 49
5-3. Влияние некоторых факторов на коэффициент запирания ... 54
5-4, Коэффициент запирания для структур с большой площадью , , 57
94
Глава шеста я. Факторы, влияющие на предельную переключаемую
мощность ...... . . .......58
6-1. Влияние сопротивления базы и напряжения пробоя эмиттерного
перехода на предельный выключаемый ток......... —
6-2. Тепловые процессы при выключении ........... 59
6-3. Связь выключаемого тока с частотой переключения, длительностью импульсов анодного тока и мощностью цепи управления 62
6-4. Переключение тока в цепи с индуктивной нагрузкой..... 63
Глава седьмая. Комбинированно-выключаемый тиристор ... .64
7-1. Физические процессы в КВТ............... 66
7-2. Специфические требования к конструкции структур КВТ .... 71
7-3. Электрические характеристики КВТ............ 72
Глава восьмая. Конструктивные особенности, технология изготовления и электрические характеристики структур, выключаемых током управления ........ 77
84. Требования к конструкции и свойствам слоев р — п — р — п-струк-
туры, выключаемой током управления........... —
8-2. Технология изготовления тиристоров ........... 83
8-3 Электрические параметры тиристоров, выключаемых током управ-
ления........................ 85
Список литературы.................. °8

Цена: 75руб.

Назад

Заказ

На главную страницу

Hosted by uCoz