Предисловие........................... 3
Введение............................. 5
Глава I. Механическая обработка полупроводниковых материалов ... 16
5 1,1. Me голы ориентации монокристаллов (17). § 1.2. Методы резания слитков на пластины и кристаллы (21). § 1.3. Шлифование и полирование пластин (3.1). § 1.4. Контроль качества пластин н кристаллов после механической обработки (40).
Глава 2. Химическая и электрохимическая обработка поверхности полупроводников (42).
§ 2.1. Кинетика процесса химического травления (43). И 2.2. Механизмы травления (50). § 2.3. Травителн, их составы, режимы работы и особенности применения (59). § 2.4. Методика жидкостного травления полупроводниковых пластин и кристаллов (70). § 2.5. Электрохимическая обработка поверхности (72). § 2.6. Парогазовое травление (76). § 2.7. Йонн о-плазме иное травление (79). § 2.8. Методы очистки поверхности (92).
Глава 3. Фотохимические процессы в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.............100
§ 3.1. Процессы в фоторезистах (101)- 5 3.2. Фотошаблоны (109). § 3.3. Технология контактной фотолитографии (116). § 3.4. Методы повышения качества формирования изображения в произволе ise полупроводниковых приборов и ИМС (126).
Глава 4. Эпитаксиальные процессы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.............131
§ 4.1. Классификация эпитаксиальных процессов (131). g 4.2. Кинетика и механизмы процессов эпитаксии (135). § 4.3. Лвтоэпитаксия кремния (142). § 4.4. Гетероэпитаксия кремния (155). § 4.5. Эпитаксия полупроводниковых соединений типа А В и твердых растворов на их основе (159). § 4.6. Эпитаксия карбида кремния (174). § 4,7. Дефекты эпитаксиальных слоев (177).
Глава 5. Получение электронно-дырочных структур методом диффузии 179
5 5.1. Механизмы диффузии в полупроводниках (179). § 5.2. Распределение примесей в процессе диффузии (186). g 5.3. Методы осуществления диффузионных процессов (199). § 5.4. Аномалии распределения примесей и дефекты диффузионных слоев (207). § 5.5. Контроль параметров диффузионных сгрукгур (211).
Глава 6. Получение электронно-дырочных структур методом ионного легирования....................., 212
$ 6.1. Оборудование для ионного легирования (213). § 6.2. Физические основы метода (215). g 6.3. Пробеги внедренных ионов в аморфном твердом теле (217). § 6.4. Пробеги внедренных ионов в монокристаллах (223). § 6.5. Расчет профиля распределения внедренных ионов в аморфной мишени (225). § 6.6. Механизмы образования и типы радиационных дефектов (229). g 6.7, Активация примесных атомов (234). 5 6.8. Особенности ионного легирования полупроводниковых соединений (238). § 6.9. Применение ионного легирования в комбинации с диффузией примеси в полупроводнике (240).
Глава 7. Омические контакты и контактные системы (243).
§ 7.1. Контактные материалы и виды контактных систем (244). § 7.2. Методы формирования омических контактов и контактных систем (248).
Глава 8. Стабилизация и защита поверхности полупроводниковых приборов....................... 252
§ 8.1. Стабилизация поверхности полупроводниковых приборов (253). § 8.2. Защита поверхности органическими покрытиями (257) § 8.3. Защита поверхности окислением (260). § S.4. Защита поверхности осажденными пленками диоксида кремния (272). § 8.5. Маскирующие свойства слоев диоксида кремния (276). § 8.6. Покрытия из нитрида кремния и оксида алюминия. Комбинированные покрытия (278). § 8.7. Защита покрытиями из легкоплавких стекол (284).
Заключение.......................286
Список литературы....................287
Цена: 150руб.
