Математика

Физика

Химия

Биология

Техника и    технологии

Основы физики полупроводников Р.А.Гаврилов Москва1966 288стр Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса « для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происходящие при очистке и выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов. Книга предназначена для учащихся техникумов, вместе с тем она будет полезна студентам высших технических учебных заведений и специалистам, работающим в области производства полупроводниковых материалов и приборов.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Стр.
Предисловие ............................ 3
Глава I. Строение атома...................... 5
§ 1. 1. Введение........................ 5
§ 1.2. Ранние модели атома................... 6
§ 1.3. Спектры видимого света, теория излучения Планка и фотоэффект 12
§ 1.4. Теория атома по Бору . . ................ 19
§ 1.5. Опыт Франка и Герца. Энергетический уровень. Потенциал ионизации ......................... 26
§ 1.6. Дальнейшее развитие теории атома водорода......... 30
§ 1. 7. Магнетон Бора...................... 37
§ 1.8. Пространственное квантование............... 39
§ 1.9. Рентгеновские лучи . . ................. 45
§ 1. 10. Радиоактивность..................... 68
§ 1. 11. Многоэлектронные атомы................. 80
§ 1. 12. Периодическая система элементов Менделеева и теория атома 93
§ 1.13.О квантовой механике ................... 104
§ 1. 14. Современное представление об электроне.......... 126
глава II. Строение твердых тел................... 135
§ 2. 1. Строение молекул и природа химической связи....... , 135
§ 2.2. Кристаллические и аморфные вещества........... 146
§ 2.3. Структуры 'кристаллов . . ................ 151
§ 2. 4. Кристаллизация...................... 163
§ 2.5. Состояния электронов в кристаллах............ 166
§ 2.6. Металлы, диэлектрики и собственные полупроводники..... 168
"лава III. Электрические и физические свойства полупроводников .... 175
§ 3.1. Распространенность полупроводников в природе...... 175
§ 3. 2. Электропроводность кристаллов............. 178
§ 3. 3. Отличие металлов, полупроводников и изоляторов по электропроводности ...................... 182
§ 3. 4. Собственная электропроводность полупроводников...... 184
§ 3.5. Примесная электропроводность полупроводников....... 187
§ 3. 6. Зонная структура примесных полупроводников....... 191
§ 37, Дефекты в полупроводниках................ 196
§ 3. 8. Уровень Ферми................... 198
§ 3. 9. Зависимость электропроводности полупроводников от температуры .......................... 203
§ 3. 10. Фотопроводимость полупроводников............ 206
§ 3.11. Влияние ядерных излучений на электропроводность полупроводников .......{................... 208
§ 3. 12. Термоэлектрические явления в полупроводниках...... 210
§ 3. 13. Гальваномагнитные эффекты в полупроводниках...... 213
'лава IV. Свойства и методы получения германия, кремния и соединений
типаАщ By...................... 219
§ 4. 1. Кристаллическая решетка германия и кремния....... 219
§ 4. 2. Химические и физические свойства германия и кремния .... 220
288 Оглавление
Стр.
§ 4. 3. Электрические свойства германия и кремния........ 223
§ 4. 4. Процесс получения германия...............• 228
§ 4. 5. Процесс получения кремния................ 230
§ 4. 6. Принцип зонной плавки.................. 234
§ 4. 7. Зонная очистка германия и кремния............ 238
§ 4. 8. Получение монокристаллов германия и кремния....... 241
§Р 4.9. Полупроводниковые соединения типа Ащ В\-........ 247
§ 4. 10. Процесс получения соединений типа Аш-бу........ 253
Глава V. Неравновесные носители заряда в полупроводниках...... 258
§ 5. 1. Неравновесные носители заряда.............. 258
§ 5.2. Объемная рекомбинация и время жизни неосновных носителей
заряда.........................
§ 5.3. Поверхностная рекомбинация............... 263
§ 5. 4. Измерение времени жизни носителей............ 265
§ 5.5. Зависимость времени жизни неосновных носителей заряда от
температуры и совершенства кристаллической решетки . . . 270
§ 5. 6. Уравнение непрерывности для неосновных носителей заряда . 273
§ 5. 7. Электрический ток в полупроводниковых кристаллах..... 276
§ 5.8. Вывод соотношений Эйнштейна............... 278
Приложения. 1. Периодическая система элементов Д. И. Менделеева . . . 280
2. Таблица элементарных частиц................. 282
3. Соотношения между единицами систем СИ и СГС....... 283
4. Соотношения между единицами энергии и массы......... 283
5. Физические постоянные.................... 284
Литература............................ 285

Цена книги: 150руб.

Назад

Заказ

На главную страницу

Hosted by uCoz