Предисловие ... ......
Основные условные обозначения...........4
Глава 1. ПРЕДМЕТ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ .... , . . 8
1.1. Основные термины и определения.......... 8
1.2. Конструктивно-технологические типы интегральных микросхем . . 9
Глава 2. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМ основы МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ . . .15
2.1. Общие сведения о технологии изготовления полупроводниковых микросхем ............ ..... 15
2.2. Эпитаксия............. . 16
2.3. Диффузия примесей ..... ..... 18
2.4. Ионное легирование .......... ... 20
2.5. Термическое окисление и свойства пленки диоксида кремния . 23
2.6. Травление........... . . . , 24
2.7. Нанесение тонких пленок . . ......... 26
2.8. Методы получения структур типа Si—SiO2—Si...... 30
2.9. Проводники соединений и контакты в полупроводниковых микросхемах ........... ... 32
2.10. Литография........ 34
2.11. Сборка полупроводниковых микросхем........ 40
2.12. Технология гибридных микросхем.......... 42
Глава 3. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ . 50
3.1. Особенности структур биполярных транзисторов......50
3.2. Транзисторы с комбинированной изоляцией...... 55
3.3. Многоэмиттерные транзисторы......... . 60
3.4. Транзисторы с диодом Шотки........ . . .61
3.5. Новые структуры биполярных транзисторов.......64
3.6. Транзисторы типа р-п-р.............67
3.7. Диодное включение транзисторов..........69
3.8. Модель интегрального биполярного транзистора......72
3.9. Биполярные и полевые транзисторы на одном кристалле .... 74
Глава 4 МДП-ТРАНЗИСТОРЫ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ . . .75
4.1. Транзисторы с каналами n-типа и самосовмещенными затворами . . 76
4.2. Параметры и характеристики транзисторов с коротким каналом 82
4.3. Разновидности транзисторных структур СБИС.......88
Г „а „ s ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С УПРАВЛЯЮЩИМ ПЕРЕХОДОМ I лава а. «КТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК ...
5.1. Простейшая структура МЕП-транзистора........ 95
5.2. Разновидности структур МЕП-трачзисторов....... 100
5.3. Паразитная связь между элементами через полуизолирующую подложку 102
5.4. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупроводник и гетеропереходом.............. 104
Глава 8. МАССИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ....... . , . Н$
6.1. Полупроводниковые резисторы........... 11 f
6.2. Пленочные резисторы.............. 11 '*
6.8. Конденсаторы и индуктивные элементы......... 114
6.4. Микрополосковые линии и элементы на их основе...... М7
Глава 7. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 120
7.1. Классификация логических элементов.........120
7.2. Основные характеристики и параметры логических элементов . . . 122
7.3. Элементы транзисторно-транзисторной логики.......129
7.4. Элементы эмиттерно-связанной логики.........1-^8
7.5. Логические элементы БИС с инжекционным питанием . . . . 143
7.6. Элементы Шотки-транзисторной логики и интегральной Шотки-логики 154
Глава 8. ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ НА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ . .156
8.1. Инвертор на n-канальных МДП-трг'кзисторах.......156
5.2. Инвертор на комплементарных транзисторах.......162
8.3. Логические элементы И-НЕ и ИЛИ-НЕ.........166
8.4. Логические элементы динамического типа........171
8.5. Логические элементы сверхскоростных микросхем на МЕП-транзисторах 175
Глава 9. ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ............180
9.ii. Элементы памяти статического типа на МДП-транзисторах . . .181
9.2. Элементы памяти динамического типа на МДП-транзисторах . . .186
9.3. Элементы микросхем репрограммируемых постоянных запоминающих устройств . ................191
9.4. Элементы памяти на биполярных транзисторах..... .197
Глава 10. ЦИФРОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ 202
10.1. Триггеры............... . 203
10.2. Полупроводниковые микросхемы памяти...... . 206
50.3. Микропроцессоры и микроЭВМ ... ..... .211
10.4. Логические БИС...............213
Глава П. ПРИБОРЫ с ЗАРЯДОВОЙ связью ......215
lil.il Устройство, принцип действия...........215
11.2. Параметры элементов ПЗС............ 222
! 1.3. Разновидности конструкций............224
Глава 12. АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ .... 228
12.1. Общие сведения.............. . 228
12.2. Каскады формирователей тока...........231
12.3. Дифференциальные усилительные каскады на биполярных транзисторах...................236
12.4. Дифференциальные усилительные каскады на полевых транзистора л 240
12.5. Дифференциальные каскады с однофазным выходом .... 242
52.6. Выходные каскады............. 243
12.7. Устройство интегрирования аналоговых сигналов .....
12.8. Схемотехника операционных усилителей...... . 247
Глава 13. МИКРОЭЛЕКТРОНИКА и СМЕЖНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ 253
Г3.1. Оптоэлектроника и оптоэлектронные микросхемы......253
13.2. Элементы акустоэлектроники.......... 262
13.3. Элементы магнитных СБИС постоянных запоминающих устройств 269 Контрольные вопросы и задачи . . . . . . . . . , 276
Список литературы................283
Предметный указатель.........„ . . 285
Цена книги: 150руб.
