Математика	Физика	Химия	Биология	Техника и технологии
	Курносое А. И. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. Учеб. пособие для средн. проф.-техн. училищ. М., «Высш. школа», 1975. 342 с. с ил. В учебном пособии описаны основные свойства и характеристики полупроводниковых, химических, фотолитографических, конструкционных, защитных, пластмассовых, абразивных, легирующих и вспомогательных материалов, применяемых при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Содержание книги соответствует основным этапам технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем; в каждой главе приведены те материалы, которые используются в конкретном технологическом процессе.
Введение Глава первая. Полупроводниковые материалы и их свойства § J. Основные требования к полупроводниковым материалам § 2. Классификация полупроводниковых материалов..... § 3. Характеристика кристаллических тел.......... § 4. Селен.....:.................... § ' Ь. Германий........................ § 6. Кремний.......•................. § 7. Карбид кремния .................... § ё. Сплавы германий — кремний............... § 9. Арсенид галлия.................... § 10. Фосфид галлия..................... § Ц. Арсенид индия ................ § 12. Антимонид индия.............. § 13. Антимонид галлия........... § 14. Сульфиды, селениды и теллурмды метал § 15. Окисные полупроводники........ § 1б. Стеклообразные полупроводники ............ § 17. Органические полупроводники............. Глава вторая. Материалы для механической обработки мол у про § 18. Свойства абразивных материалов и предъявляемые к ним • бования .......................... § 19- Методы испытания абразивных материалов.......... § 20. Абразивные материалы.................. § 21. Алмазные порошки и пасты............ § 22- Полировочные материалы............... § 23. Материалы для изготовления шлифовальников и полнот.! § 24. Материалы для наклейки слитков, пластин и «ристал < Глава третья. Химические материалы для обработки полупроподми § 25. Основные требования...................... § 26. Кислоты.......................... § 27- Основания........................... § 28. Соли.......................... § 29. Травильные смеси для обработки полупроводником.! § 30. Электролиты для травления полупроводниковых м.тп'рн § 31- Материалы для промывки полупроводниковых шигпш и к\|>п сталлов ......... .................... § 32- Техника безопасности при работе с химическими веществами . . Глава четвертая. Материалы для фотолитографии § 33. Основные сведения по фотолитографии........... § 31- Критерии оценки фоторезистов.............. § 35. Фоторезисты........................... § Зб- Светочувствительные эмульсии............... § 37- Проявители-для фоторезистов и светочувствительных § 3$. Растворители для фоторезистов и светочувствительных эмульсий 1 340 § 39. Материалы для удаления фоторезистов и светочувствительных эмульсий.............................114 § 40. Фотошаблоны........................ . 115 Глава пятая. Материалы для проведения диффузионных процессов в полупроводниках........................122 § 41. Основные требования к диффузантам..............122 § 42. Свойства диффундирующих примесей.............124 § 43. Твердые диффузанты.....................129 § 44. Стеклообразные диффузанты...................137 § 45. Жидкие диффузанты............. ..........138 § 46. Газообразные диффузанты....................141 Глава шестая. Электродные материалы..................144 § 47. Основные требования......................144 § 48. Акцепторные элементы................... . . 147 § 49. Донорные элементы.......................152 § 50. Элементы для основы электродных сплавов...........157 § 51. Электродные сплавы для р — /г-переходов............161 § 52. Электродные сплавы для омических контактов..........163 § 53. Изготовление электродных сплавов...............165 Глава седьмая. Материалы для защиты р — /г-переходов от внешних воздействий.................:•:-.........174 § 54. Основные требования к защите поверхности р — /г-переходов от внешних воздействий.......................174 § 55. Лаки, эмали и компаунды...................177 § 56. Вазелины и цеолиты......................181 § 57. Защита р — n-переходов спланированной............183 § 58. Защита р — /г-переходов гндрофобизующими составами .... 186 § 59. Защита р — /г-переходов пленками окислов металлов.......189 § 60. Защиты планарных р — n-переходов пленками нитрида кремния 191 § 61. Защита р — «-переходов легкоплавкими стеклами........200 Глава восьмая. Материалы для пластмассовой герметизации полупроводниковых приборов....................206 § 62. Основные требования.............. ........206 § 63. Эпоксидные смолы.......................207 § 64. Компаунды на основе эпоксидных смол . ............212 § 65. Кремнийорганические смолы и компаунды...........216 § 66. Полиэфирные смолы и компаунды...............220 § 67. Методы герметизации пластмассой...............222 Глава девятая. Материалы для конструктивных элементов корпусов полупроводниковых приборов..................227 § 68. Основные требования......................227 § 69. Металлы и сплавы.......................229 § 70. Стекло.............................242 § 71. Керамические материалы.....................250 § 72. Материалы для металлизации керамики............. 260 § 73. Припои.............................264 Глава десятая. Материалы для изготовления пассивных элементов интегральных схем........................268 § 74. Основные требования......................268 § 75. Материалы для подложек...................269 § 76. Материалы для резисторов...................272 § 77. Материалы для токоведущих коммутационных дорожек, обкладок конденсаторов и индуктивностей..............278 Глава одиннадцатая. Электролиты для осаждения металлических пленок 280 § 78. Основные требования......................280 § 79, Электролиты для меднения...................281 § 80. Электролиты и растворы для никелирования...........283 § 81. Электролиты для серебрения..................285 § 82. Электролиты для золочения..................286 § 83. Электролиты для осаждения сплавов золото — серебро.....288 § 84. Электролиты для лужения...................288 § 85. Электролиты для цинкования..................289 § 86. Электролиты для кадмирования.................291 § 87. Электролиты и растворы для палладирования..........292 § 88. Электролиты для родирования.................29-1 § 89. Электролиты для индирования . . . ,............. 294 § 90. Электролиты для хромирования.................295 § 91. Электролиты для свинцевания.................. 297 § 92. Электролиты для осаждения сплавов олово — свинец......298 § 93. Электролиты для осаждения сплавов олово — висмут......298 § 94. Электролиты для создания контактных выступов на полупроводниковых пластинах ................. ..... 299 Глава двенадцатая. Вспомогательные материалы.............300 § 95. Основные требования.................... . З1 § 96. Асбестовые материалы.....................300 § 97. Графит............................3 § 98. Полимерные материалы....................303 § 99. Кварц, алунд, органическое стекло, резина...........308 § 100. Газы.............................310 § 101. Масла, жидкости и замазки для вакуумной техники......315 § 102. Материалы для окраски и маркировки.............317 § 103. Материалы для упаковки полупроводниковых приборов .... 320 Глава тринадцатая. Контроль качества материалов............323 § 104. Определение типа проводимости полупроводниковых материалов 323 § 105. Измерение величины удельного сопротивления полупроводниковых материалов........................3 § 106. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда .... 3 § 107. Выявление дислокаций t . . . .:. .;. . . . . •.,.,.,. . . . . 331 § 108. Определение внутренних напряжений в полупроводниковых материалах ...........................332 § 109. Определение удельного сопротивления изоляционных материалов 334 § 110. Определение диэлектрической проницаемости изоляционных материалов.............................334 § 111. Определение тангенса угла диэлектрических потерь изоляционных материалов.........................335 § 112. Определение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости изоляционных материалов............335 § 113. Определение твердости полупроводниковых и изоляционных материалов...........................336 § 114. Определение кинематической вязкости.............336 § 115. Определение показателя концентрации ионов водорода (рЬП растворов и электролитов 337 Литература................................339 Цена книги: 150руб.
Назад	Заказ	На главную страницу